Транспортные процессы и гетеропереходы в твердофазных электрохимических системах (стр. 6 из 6)
13. Выращивание и свойства монокристаллов твердого электролита RbAg4J5. II // Электрохимия. - 1977. - Т.13. №12. - С.1858-1859.17. Иванов-Шиц А.К., Боровков B. C., Мищенко А.В., Гоффман В.Г.
14. Электропроводность и фазовые переходы в твердом электролите RbAg4J5 // ДАН СССР, - 1976. - Т228. №6. - С.1376-1379.18. Андреев В.Н., Гоффман В.Г. Поглощение света в кристаллах RbAg4J5,окрашенных иодом // ФТТ. - 1983. - Т.25. №11. - С.3480-3482. 19. Андреев В.Н., Гоффман В.Г., Гурьянов А.А., Чудновский Ф.А.
15. Доменная структура RbAg4J5 ниже точки фазового перехода 208К // ФТТ. - 1983. - Т.25. №9. - С.2636-2643. 20. Иванов-Шиц А.К., Мищенко А.В., Гоффман В.Г. Получение и свойства монокристаллов твердого электролита RbAg4J5 // VI Всесоюз. конф. по физической химии ионных расплавов и твердых электролитов:
16. Тез. докл. Часть 2. - Киев, 1976. - С.119-120.21. Иванов-Шиц А.К., Мищенко А.В., Гоффман В.Г. Выращивание монокристаллов твердого электролита RbAg4J5 из раствора в ацетоне // V Всесоюз. совещ. по росту кристаллов: Тез. докл. - Тбилиси, 1977. -С.77-78.22.
17. Андреев В.Н., Гоффман В.Г., Гурьянов А.А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф.А. Температурный гистерезис и скрытая теплота при фазовом переходе 208К в суперионном проводнике RbAg4J5 // Письма в ЖЭТФ, 1982. -Т.36. №3. -С.61-63.23.
18. Афанасьев М.М., Гоффман В.Г., Компан М.Е. Люминесценция ионного проводника RbAg4J5 // ФТТ. 1982. - Т.24. №5. - С.1540-1542.24.
19. Афанасьев М.М., Гоффман В.Г., Компан М.Е. Фотолюминесценция низкотемпературной фазы суперионного проводника RbAg4J5 // ЖЭТФ, 1983. - Т.84. №4. - С.1310-1317.25.
20. Афанасьев М.М., Гоффман В.Г., Компан М.Е. Фотолюминесценция монокристаллов суперионного проводника RbAg4J5, аддитивно окрашенного иодом // ФТТ. 1987. - Т.29. №3. - С.940-941
21. С.2207-2210.27. Волков А.А., Козлов Г.В., Мирзоев Г.И., Гоффман В.Г.
22. Субмиллиметровые колебательные спектры суперионного проводника
23. RbAg4J5 // Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.38. №.4. - С.182-185.28. Волков А.А., Козлов Г.В., Мирзоянц Г.И., Гоффман В.Г. Спектр проводимости (х - и Р - RbAg на частотах 2-33 см'1 // ФТТ, 1985. - Т.27.
24. №6. -С.1874-1877.29. Kozlov G. V., Mirzoyants A. A., Volkov А.А., Goffman V. G. The splitting of the infrared vibrational spectra of RbAg4J5 in Low-temperature y-shase // Phisics Letters, 1984. - V.105A. № 6. - P.324-326.30.
25. Волков А.А., Козлов Г.В., Мирзоянц Г.И., Гончаров Ю.Г., Торгашев В.И., Гоффман В.Г. Новые низкотемпературные фазовые переходы в суперионном проводнике RbAg^s // Письма в ЖЭТФ. 1986. -Т.43. №.6. -С.280-282.
26. Ованесян Н.С., Гоффман В.Г., Соколов В.В. . Ткачев В.В. Рэлеевское рассеяние мессбауэровского излучения в суперионном проводнике
27. RbAg4J5 // ФТТ. 1984. - Т.26. №4. - С.1197-1199.32. Goffman V. G. ^ Ovanesyan N. S., Sokolov V. B., Tkachev V. V., Sherbinin
28. Yu. S Releigh scattering Mossbauer radiation (RSMR) in superionic conductor // Programme and abstr. Inter, conf. On the appl. Of Mossbauer effect. Alma-Ata, 1983. P.463. ЗЗ.
29. Тараскин С.А., Струков Б.А., Гоффман В.Г., Шаймерденов Б.У. Калориметрическое исследование монокристаллического суперионного проводника RbAgJs в широком интервале температур // ФТТ. 1985. - Т.27. №6. -С. 1904-1906.34 Гоффман В.Г. Быстрый ионный перенос в диэлектриках // Физика твердого тела и новые области ее применения: Тез. докл I Республ. конф. - Караганда, 1986. - С.108.
30. Гоффман В.Г., Базанов А.А., Ушкарева Л.В. Импеданс границы серебро/твердый электролит RbAg4J5«0,2Rb2AgJ3 // Твердые электролиты: Тез. докл. VII Всесоюз. конф. по физической химии ионных расплавов и твердых электролитов. - Л., 1983. - С.47-49.
31. Шаймерденов Б.У., Важев В.В., Писчанский ВВ., Гоффман В.Г. Применение химически сформированных тонких пленок твердых электролитов в сенсорных устройствах // Твердые электролиты: Тез. докл. X Всесоюз. конф. по физической химии ионных расплавов и твердых электролитов - Екатеринбург, 1992. - Т.З. - С.185.
32. Карпов И А, Симаков ВВ., Гоффман В.Г., Топоров Д.В., Михайлова А М Электрохимический импеданс композиционных структур, включающих суперионную компоненту // Современные технологии в образовании и науке: Сборник докл. - Саратов, 1998. - С.150-151.
33. Гоффман В.Г., Карпов И.А., Симаков В.В., Топоров Д. В, Михайлова A. M. Исследование процесса переноса заряда при формировании распределенных структур // Современные технологии в образовании и науке: Материалы Междунар. конференции. -Саратов, 1999. -С.25-26.
34. Добровольский Ю.А., Леонова Л.С., Вакуленко А.М., Гоффман В.Г. Детектирование газов при низких температурах // Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления: Всеросс. науч. -технич. конференция. Гурзуф, 1994. - С.71.
35. Топоров Д.В., Давиденко О. . С, Гоффман В.Г., Михайлова A. M. Ионная проводимость монокристаллов Ag4KT5, полученных из раствора в ацетоне // Фундаментальные проблемы ионики твердого тела: Сборник материалов докладов на 5-м Международном совещании. Черноголовка, 2000. С.28-31.
36. Топоров Д.В., Гоффман В.Г., Михайлова A. M. Измерительный комплекс для исследования электрохимических систем // Фундаментальные проблемы ионики твердого тела: Сборник материалов докладов на 5-м Международном совещании. -Черноголовка, 2000. С.178-179.
37. GolTman V. G. Solid state electrolytes with analysis of iodine - containing media // . Sensor Tekhno-93: Proceed, of Jnt. Conf. - St. -Petersburg, 1993, July 22-23. -P.25.
38. Mikhailova A., Efanova W., Bukun N., Goffman V. Electrochemical behavior of solid-state short-circuite systems alkaline metal-organic semiconductor // ! 2th International conference on solid state ionics (SSI-12) 26 January, 1999. Patras, Greece. P.654.
