Вивчення хімічних дефектів кристалічних грат (стр. 1 из 4)
Практична робота №3
Вивчення хімічних дефектів кристалічних грат
Хімічними дефектами кристалічної решітки називаються відхилення від правильної форми кристала, пов'язані із впливом домішок. Типи хімічних дефектів:
1)змішані кристали;
2)центри фарбування в йонних кристалах;
3)електронна провідність у напівпровідникових з'єднаннях;
4)домішкові напівпровідникові кристали.
1. Змішані кристали - це кристали, у яких компонент А замінений
компонентом В (або навпаки) - тверді розчини заміщення, або компонент А впровадженийу решітку компонента В (або навпаки) - тверді розчини впровадження. При цьому змішаний кристал (або твердий розчин) є гомогенним і приймається за однуфазу.
Якщо утворення змішаних кристалів можливо у всьому діапазоні концентрацій, то говорять про зроблений або безперервний змішаний кристали, якщо тільки в певнійобласті, то говорять про утворення змішаних кристалів з обмеженою розчинністю.
Передумовами для утворення змішаних кристалів є:
- однаковий тип кристалічної решітки;
- малі розходження параметрів решітки (звичайно <15%);
- близькахімічна спорідненість хімічних компонентів;
- приблизно однакова спорідненість до електрона (для металів).
Змішані кристали заміщення утворяться у випадку, коли обидва атоми (іона) приблизно рівні по величині, змішані кристали впровадження характеризуються різкою різницею атомних радіусів речовин, щозмішуються (Fe - З).
В найпростішому випадку ізобарну діаграму станузутворенням змішаних кристалів заміщення й структури, що з'являються в процесі охолодження, можна представити у вигляді мал. 1: система Си(1083°С) - Ni(1445°C); Тх, Т1 Т2, Т3 - состав: х0, х3, х4(розплав); х1,х2, хо (змішані кристали).
Для утвореннягомогено змішаного кристала потрібно, щоб кристалізація проходила повільно. Якщо кристалізація проходить занадто швидко, то однорідні змішані кристали не утворяться. У цьому випадку внутрішня частина кристала збагачена Ni (більше тугоплавким компонентом), а зовнішня частина - Си (більше
легкоплавким компонентом).
При істотній відмінності параметрів ґрат А и В, утворяться змішані кристали з обмеженою розчинністю (напр. КС1 - NaCl).
Здатність одного компонента впроваджуватися в ґрати іншого компонента залежить від температури. Як правило, розчинність при високих температурах більше, ніж при низьких. Тому два компоненти можуть при високих температурах утворювати безперервний ряд змішаних кристалів, але при охолодженні може наступити розпад у твердому стані й перехід у гетерогенну область (див. червоні лінії на малюнку).
Змішані кристали впровадження можуть утворюватися й при затвердінні евтектичних сумішей (напр. Pb - Sn), утворених компонентами з передумовами для такого утворення.
2. Різні процеси утворення хімічних дефектів можуть так змінити
певні властивості кристалів (напр. Оптичне поглинання, електропровідність
й ін.), що часто прагнуть одержати кристали звідхиленнями по стехіометрії. Для цього застосовують спеціальні способи вирощування кристалів (впровадженням домішок).
Центри фарбування в безбарвних кристалах лужнихгалогенідів можна створити такими способами:
- віджигом кристалів у парах відповідного лужного металу при
температурах близьких до крапки плавлення (адитивне фарбування). Іон галогену за рахунокдифузії витісняється із ґрат і для компенсації відсутніх негативних зарядів заміняється електроном. Варіантом аддитивного фарбування є электрометаллическое фарбування (електроліз кристалів при температурі накілька сотень градусів нижче крапки плавлення);
-під дією променів високих енергій (рентгенівських або
-променів) при нормальних і низьких температурах (субстратне фарбування). При цьому утворяться й інші структурні дефекти ґрат;- за допомогою фотохімічних реакцій при нормальних і низьких температурахпроцесі виготовлення кристала (сенсибілізація введенням домішок, наприклад КСl+ДО) - фотохімічне фарбування.
3. Електронна провідність у напівпровідникових з'єднаннях (провідникип- і р- типу) обумовлена хімічними дефектами кристалічних ґрат - надлишком або недоліком аніонів або катіонів. Причому для урівнюваня зарядів з метою досягнення електронейтральності існують різні можливості.
При підвищенні температури кристалів Zn і Сd у них утвориться надлишок катіонів внаслідок виділення кисню. При цьому частина атомів цинку розщеплюється на Zn2+ і квазисвободные електрони, щоперебувають у міжвузловихґрати. У такий спосіб надлишок катіонів компенсується електронами. Так електрони при накладенні зовнішнього поля є носіями негативних зарядів, те цей тип кристалів називається напівпровідниками n-типу (negative - негативний).
Іншими напівпровідниками з електронною провідністю є Be, Ba, WO3, Cd, Sn2, МоОз.
Недолік катіонів спостерігається в оксидів Ni і СиО2. У цьому випадку заряд відсутніх катіонів компенсується переходом іонів металу в станзбільше високим зарядом: Ni2+ -
—> Ni3+ і Си+ - ё —> Си2+. У такий спосіб вакансія двовалентного іона нікелю компенсується двома його тривалентними іонами.Місця катіонів збільше високим зарядом, які віддали по одному електроні, називаються електронними дефектами або дірками. Цей тип напівпровідників називається напівпровідниками p-типу. Іншими напівпровідниками знедоліком катіонів є Fe, Fe, Co, Cu2S, Ag2O,ZrCr2O4.
Без зміни числа аніонів і виникнення катіонних вакансій можна одержати напівпровідникові властивості, наприклад, у кристалах Ni легованих літієм. При цьому одновалентний заряд Li компенсується тривалентним катіоном Ni3+. Таким, образом, состав кристала з добавкою літію може бути виражений формулою {Li 
Ni 
Ni 
)O. На противагу оксиду Ni стехіометричногосостава, що
має блідо-зелене фарбування й не проводить електричний струм, метал з додаванням Li має чорне фарбування й провідність p-типу.
4. домішкові напівпровідникові кристали на основі Si й Ge одержують при додаванні до них елементів головних підгруп 3 й 4 груп періодичної системи ізприблизно рівним атомним радіусом, тому що в цьому випадку домішковий центрстає электрично активним. Завдяки впровадженню елементів цих груп, наприкладР, As, Sb (5 група), в Ge утворяться дефекти донорного типу, тому щонадлишковий п'ятий валентний електрон поблизу домішковогоцентра утворить хмара негативного заряду, що охоплює область -1000 атомів Ge (напівпровідники типу n).
Замішення Ge й Si елементами 3 групи (В, А1, In, Ga) створює домішкові центри акцепторного типу. Тому що трьох валентних електронів недостатньо для насичення чотирьох зв'язківґрати, той один електрон приєднується до In від навколишніх атомів Ge. Таким, образом, позитивно заряджена дірка (хмара позитивних зарядів) перебуває в поле негативно зарядженого атома In. Вона може вільно переміщатися й тим самим забезпечувати електричну провідність (p-типу).
Велике значення придбали останнім часом напівпровідники, одержувані при комбінуванні елементів 3 й 5, а також 2 й 4 груп головних підгруп, позначувані як з'єднанняА3У5й А2У4.
Рівновага кристал — розплав
Утворення змішаних кристалів. У багатьох речовин хімічні й кристалохімічні властивості компонентів А и В двухкомпонентної системи досить близькі; завдяки цьому стає можливимутворення змішаних кристалів у всьому діапазоні концентрацій
Рис, 1. Виникнення змішаного кристала АВ з компонентів А (чорні кружки)
і В (білі кружки)
(утвореннязроблених або безперервних змішаних кристалів) або в певнійобласті концентрації (утворення змішаних кристалів з обмеженою розчинністю). Під утворенням змішаного кристала розуміють заміну компонента А компонентом В (або навпаки) у кристалічному стані. Виникаючий змішаний кристал (або твердий розчин) є гомогенним і приймається за одну фазу. Процес утворення змішаного кристала на атомному рівні можна наочно представити за допомогою мал. 1. Атоми компонента А, наприклад Сu, безупинно й статистично заміняються атомами компонента В, наприклад Ni, поки, нарешті, не виходить у підсумку ґрати чистого компонента В. Тому розподіл розчиненого компонента в змішаному кристалі може поступово змінюватися. Наприклад, Лавес розглядав утворення змішаного кристала, аналізуючи можливі розподіли 50% чорних й 50% білих квадратів (мал. 2). Розподіл стороннього компонента в змішаному кристалі може перебувати на грані статистичного розподілу, наприклад за схемою, б або в, мал. 2, Зі схематичного зображення треба, що в стані б відбувається агрегація (скупчення) атомів одного сорту. У цьому стані можна виявити відому тенденцію до розпаду вихідного гомогенного змішаного кристала. Фактичний розподіл вирішальним образом залежить від умов охолодження.
Утворення змішаних кристалів пов'язане з певними передумовами, які, однак, не можна заздалегідь точно вказати для довільної системи. Перед-
 |
Рис. 2. Схематичне зображення
розподілу компонентів в змішаному кристалі на прикладі
50% білих й 50% чорних квадратів (по Лавесу): а – статистичне розподіл; б - краще чим статистичне; в - гірше чому статистичне посилками для виникнення змішаних кристалів є: однаковий тип кристалічних ґрат обох компонентів, малі розходження параметрів ґрати (звичайно менш 15%) і близькахімічна подібність вихідних компонентів. У металів, крім того, повинне бути приблизно однаковим спорідненість до електрона. Чим більше негативний заряд компонента А и позитивний заряд компонента В (або навпаки), тим сильніше прагнення до утворення стабільних металевих з'єднань замість гомогенного змішаного кристала.