Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании (стр. 1 из 6)
Государственный комитет РФ по высшему образованию
Новгородский Государственный университет
им. Ярослава Мудрого
 |
Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники
”РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ
В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ
И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ”
Пояснительная записка
к курсовой работе
по дисциплине
”Физико-химические основы технологии микроэлектроники”
Выполнил
Студент группы 7033у
Н.Е.РодинПроверил
Преподаватель кафедры ФТТМ
Б.М.Шишлянников 1998
Техническое задание
на курсовую работу по дисциплине
«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»
Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.
1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).
материал кремний
примеси - Ga,P и Sb
исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)
Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.
2. Проанализировать бинарную диаграмму состоянияSi -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.
Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:
· при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии –30 мин.
· при температуре 950 оС; время диффузии –30 мин.
· после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии –30 мин. Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.
Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г.
Преподаватель........................................Б.М. Шишлянников
Студент .....................................................Н.Е. Родин
Реферат.
В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Ga,Pи Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Ga в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.
Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.
Содержание.
| Введение………………………………………………………………… | 5 | |
| 1. | Расчетная часть……………………………………………………….. | 6 |
| 1.1 | Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель…… | 6 |
| 1.2 | Расчет распределения примеси вдоль слитка кремния после зонной плавки (один проход расплавленной зоной)……………………….. | 10 |
| 1.2.1 | Расчет распределения Si-Ga…………………………………………… | 10 |
| 1.2.2 | Расчет распределенияSi-P……………………………………………... | 13 |
| 1.2.3 | Расчет распределенияSi-Sb……………………………………………. | 14 |
| 1.3 | Распределение примесей после диффузии……………………………. | 18 |
| 1.3.1 | Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)……………….. | 21 |
| 1.3.2 | Распределение примеси при диффузии из постоянного источника в полубесконечное тело………………………………………………….. | 22 |
| 1.3.3 | Распределение примеси при диффузии из слоя конечной толщины (диффузия из ограниченного источника) в полубесконечное тело с отражающей границей…………………………………………………. | 24 |
| 1.3.4 | Распределение примеси при диффузии из бесконечно тонкого слоя в полубесконечное тело с отражающей границей…………………… | 25 |
| 1.4 | Расчет распределения примеси после диффузионного легирования. | 28 |
| 1.4.1 | Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии 30мин……… | 28 |
| 1.4.2 | Диффузия из бесконечного источника примеси на поверхности пластины при Т=9500 С, и времени диффузии 30 мин………………. | 29 |
| 1.4.3 | Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС и времени диффузии 30мин. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС, время 2 часа………………………. | 30 |
| Заключение……………………………………………………………... | 32 | |
| Литература…………………………………………………………….... | 33 |
Введение.
Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых материалов достижения собственных свойств или близких к ним является тем необходимым пределом до которого материалы должны очищаться. При обосновании необходимой очистки нужно руководствоваться и экономической целесообразности очистки.
Для очистки полупроводниковых материалов в технологии микроэлектронных устройств используется метод зонной плавки (перекристаллизация). В некоторых случаях в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом зонной плавки. Достоинством метода является совмещение процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. В технологии разлагающихся полупроводниковых соединений применение этого метода позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла.
Для введения в полупроводник примеси используется процесс диффузии. Для изготовления p-n переходов используется химическая диффузия примесных (растворимых) атомов, которые вводятся в кристаллическую решетку для изменения ее электрофизических свойств. Кроме того диффузия используется для перераспределения примеси в полупроводнике.
1.Расчетная часть.
1.1 Описание процесса зонной плавки и ее математическая модель.
Очистку полупроводниковых материалов методом зонной плавки предложил в 1952 году Пфанн. В связи с различной растворимостью примесей в твердой и жидкой фазах зонная плавка является одним из наиболее эффективных и производительных методов глубокой очистки монокристаллов. При его реализации перед началом кристаллизации расплавляется не вся твердая фаза кристалла(рис.1), а только узкая расплавленная зона, которую перемещают вдоль слитка.Рисунок1 – Схема зонной плавки.
Большинство примесей обладает хорошей растворимостью в жидкой фазе по сравнению с твердой (равновесный коэффициент сегрегации k0<1), поэтому по мере продвижения зона плавления все больше насыщается примесями, которые скапливаются на конце слитка. Обычно процесс зонной плавки повторяют несколько раз, по окончании очистки загрязненный конец слитка отрезают. Для ускорения процесса очистки вдоль контейнера ставят несколько индукторов для образования ряда зон плавления. Для материалов с k0>1 очистка материалов зонной плавкой практически невозможна.
Распределение примесей после одного прохода расплавленной зоной при зонной плавке вдоль слитка представляется уравнением
(1)где Nтв – концентрация примеси в закристаллизовавшейся фазе на расстоянии x от начала слитка;
Nо – исходная концентрация примеси в очищаемом материале;
x – текущая координата (расстояние от начала слитка);
l – длина расплавленной зоны;
ko – равновесный коэффициент распределения.
Если измерять длину слитка в длинах расплавленной зоны a = x/l, выражение (1) следует записать иначе:
(2)Приведенные уравнения (1) и (2) , являющиеся математическим описанием процесса зонной плавки, выведены при определенных допущениях, сформулированных автором метода зонной очистки В. Пфанном при выводе этих уравнений. Эти допущения в литературе принято называть пфанновскими, их суть в следующем:
1 Процессами диффузионного перераспределения компонентов системы в объеме слитка можно пренебречь, т.е. коэффициенты диффузии компонентов в твердой фазе принимаются равными нулю ( Dтв = 0 ).
2 Диффузия компонентов системы в жидкой фазе совершенна - концентрация компонентов постоянна по объему расплава в любой момент процесса;
3 Коэффициент распределения примеси – величина постоянная и не зависит от концентрации примеси в кристаллизующемся веществе (кривые солидус и ликвидус диаграммы состояния прямолинейны);
4 Начальная концентрация компонентов в исходном материале (слитке) одинакова по всем сечениям;