Перевагами газофазної епітаксії є, по-перше, досить велика швидкість протікання процесу, по-друге, забезпечення зміною компонентів легування різних матеріалів, по-третє, одержання досить товстих шарів і т.д [1].
Силановим методом газофазної епітаксії є одержання шарів товщиною 0,3 мкм [7].
Недоліком газофазної епітаксії є висока температура технологічного процесу, яка приводить до дифузії домішок з пластини в плівку, що росте. Крім того, зворотність реакцій відновлення вимагає високої точності підтримання режиму осадження шару плівки [1].
Переваги методу молекулярно-проміневої епітаксії – це низька температура процесу [1]. Зниження температури процесу зменшує дифузію домішки з підкладки і автолегування. Це дозволяє одержувати якісні тонкі шари. Перевагами даного методу є також висока точність управління рівнем легування. Легування при використанні даного методу є безінертним, що дозволяє одержувати складні профілі легування.
Метод молекулярно-променевої епітаксії перспективний для твердотільної електроніки створення НВЧ-приладів і оптичних твердотільних приладів і схем, в яких істотну роль грають шаруваті структури субмікронних розмірів. При цьому особливе значення надається можливості вирощування шарів з різним хімічним складом.
СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ
1. Закалик Л.І., Ткачук Р.А. Основи мікроелектроніки. – Тернопіль: ТДТУ ім. І. Пулюя, 1998. – 352 с.
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника: Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. – Москва: Высш. школа, 1987. – 416 с.
3. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. – Москва: Мир, 1988. – 320 с.
4. Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальние плёнки. – Москва: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1971. – 480 с.
5. Проценко І. Ю. Технологія та фізика тонких металевих плівок. Навчальний посібник. – Суми: Видавництво СумДУ, 2000. – 148 с.
6. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры/ Под редакцией Ченга Л. Л., Плога К. – Москва: Мир, 1989. – 584 с.
7. Н. А. Самойлов, А. В. Елисеев, С. В. Шутов. Получение высококачественных эпитаксиальных слоев кремния методом газофазной эпитаксии// Журнал технической физики. – 1997. – Т.67, №2. – С. 132-133.
8. В. Г. Шенгуров, Д. В. Шенгуров. Устройство для сублимационного молекулярно-лучевого осаждения пленок кремния// Приборы и техника эксперимента. – 2001. – №1. – С. 154-156.
9. www.erudition.ru.
10. www.sp.bdpu.org.