t da
r1 r R r2
a1 a2dl
dl
dl = (r*dr)/sina
r = R/sina
dl = (R*da)/sin2a
dE = t*dl/(4pe0r2)
dEx = dE cosa = [t*dl/(4pe0r2)]*cosa= = [(tRda*sin2a)/(sin2a*4pe0R2)]*cosa = = [t/(4pe0R)]*cosa*da;
dEy = dE sina = [t/(4pe0R)]*sina*da;
Ex = [t/(4pe0R)]*a1òa2cosada = = [t/(4pe0R)]*(sina2 - sina1);
Ey = [t/(4pe0R)]*a1òa2sinada = = [t/(4pe0R)]*(cosa1 - cosa2);
E = ÖE2x + E2y;
Если нить бесконечна:
a1 = 0; a2 = 180;
Ex = 0; Ey = t/(2pe0R).
10’. Уравнение Пуассона:
У
Ex dx Ex+(¶Ex/¶x)dx
dz
dy
Х
Z
ФХ = [Ex + (¶Ex/¶x)dx]dydz cos 0 + + EX dydz cos180;
ФX = (¶Ex/¶x)dxdydz = (¶Ex/¶x)dV;
ФУ = (¶EУ/¶y)dxdydz;
ФZ = (¶EZ/¶z)dxdydz;
oSòEdS = ФХ + ФУ + ФZ = (¶Ex/¶x + + ¶EУ/¶y + ¶EZ/¶z)dV;
lim [(oSòEdS)/V] = div E
V® 0
div E = (¶Ex/¶x + ¶EУ/¶y + ¶EZ/¶z)
По теореме Гаусса:
oSòEdS = q/e0e = (VòrdV)/(e0e);
divE = r/(e0e);
divD = r.
24. Связанные заряды:
+ + + + + + + + + + + + + + + +- -
+ ++ - - -
+ +
¾ ¾ ¾ ¾ ¾ ¾ ¾ ¾ ¾
E = E0 – EД
E0/e = E0 - EД
EД = E0 (1 – 1/e) = E0 [(e - 1)/e]
e - 1 = c - диэлектрическая восприимчивость;
ЕД = Е0*(c/e);
ЕД = sД/e0;
Е0 = s/e0;
sД = s*(c/e), где sД – плотность заряда на диэлектрике;
s - плотность заряда на пластине конденсатора.
47. Диамагнетизм: PM B a ® ® u Na
® ®
dM=Ndt®
MMsina
r’ ® IPM
® ® ®
N = [PM B]
® ®
dM = N*dt
dM/(M*sina) = dj
N = PM*B*sina
|dM| = PM*B*sina*dt
(PMBsina dt)/(Msina) = dj
dj/dt = wL – частота прецессии;
w = (PM/M)*B = (l/2m)*B, где В – величина непостоянная;
w не зависит от угла ориентации орбиты.
На е – орбите атомы прецессируют с одной частой.
Возникает дополнительный ток:
Происходит ослабление внешнего поля: PM’ = I’pr’2 = e*(wL/2p)*pr’2 = = -(e2/4m)*Br’2;
<PM’> = -(e2/4m)*B<r’2> = = -(e2/6m)*Br;
<r’2> = 2/3*r2;
i=1åN<PM’> = -(e2/6m)Bi=1åNri2;
X = åPM/(VH);
XМОЛ = [(-e2*m0*NA)/(6m)]*I=1åNri2.
Все вещества, атомы которых не имеют магнитного момента называются диамагнетиками. Их магнитная восприимчивость немногим < 0.