МЭИ (ТУ)
Филиал в городе Смоленске
Кафедра ТОЭ
Лабораторная работа
Простые цепи синусоидального тока
Группа : ОЭС-09
Бригада : № 10 Студент: Бабурченков М. А.
Преподаватель: Зезюлькин Г. Г.
Смоленск 2010 г.
I. Краткое содержание работы
В работе исследуются соотношения между синусоидальными напряжениями и токами при последовательном и параллельном соединении резистивных, индуктивных и емкостных элементов цепи. По экспериментальным данным производится определение параметров последовательной и параллельной схем замещения реальных элементов цепи, строятся векторные диаграммы токов и напряжений. Для последовательной резонансной цепи исследуются переменные режимы при изменении индуктивности. Все расчеты и анализ экспериментальных результатов выполняются с использованием символического (комплексного) метода. Работа может выполняться на сильноточном стенде.
II. Подготовка к работе
1. U=40B
I=0,4A
f=80 град
а) последовательная схема замещения катушки.
Z=
, где z – полное сопротивление.z=
(Ом)Комплексное сопротивление Z можно представить в виде
Z=zcosf+jzsinf=R+jX
R (активное сопротивление) = zcosf = 100cos800 = 17,4 (Ом)
X (реактивное сопротивление) = zsinf = 100sin800 = 98,5 (Ом)
(A) (B) (B)б) параллельная схема замещения катушки.
По определению комплексной проводимости имеем:
(См)Комплексную проводимость можно представить в виде:
g = ycosf - активная проводимость.
b = ysinf - реактивная проводимость.
g = 0,01.cos800 = 0,0017 (См)
b = 0,01.sin800 = 0,0098 (См)
По закону Ома:
,где
- активная составляющая тока, - реактивная составляющая тока. (А) (А)U = 40 B
R = 50 Ом
С = 160 мкФ
Z = R -
Z = 50 - = 50 – 20.j =z = 54 (Ом)
(A)4.
(B); U =37(B) (B); Uc=14,8(B)5. f = 50 Гц
I = 1 A
R = 40 Ом
C = 160.10-6 Ф
I = 1 A
(B)U =
17,9 (B) Ia=0,447(A)Ip =
Ip = (A)6. R = 40 Ом
C = 160.10-6 Ф
Входное сопротивление цепи на частоте 50 Гц будет чисто активным при резонансе. Условием наступления резонанса в данной схеме является
,где w0 – резонансная частота.
L0 = 15,8 (мГн)III. Рабочее задание.
1.
рис. 1
параметр | значение |
U | |
I | |
f |
А) последовательная схема замещения.
r = z·cosf =
x = z·sinf =
=Б) параллельная схема замещения
y ==g = y·cosφ =
b = y·sinφ =
=рис. 2
параметр | Измеренное значение | Расчетное значение |
I | ||
UC | ||
UR | ||
f |
3.
рис. 3
параметр | Измеренное значение | Расчетное значение |
U | ||
I | ||
IR | ||
IC |
Xl, Ом I, A | UR, B | UL, B | UC, B |