Квантові ями . Квантовий дріт, нитки. Квантові точки. Надгратки (стр. 1 из 4)
Зміст
Вступ. ……………………………………………………………2
Розділ 1. Квантові ями
1.1 Технологія виготовлення квантових ям …………………..3
1.2 Особливості енергетичний рівнів………………………… 5
1.3 Застосування квантових наноструктур в електроніці ……5
Розділ 2. Квантовий дріт, нитки
2.1 Квантовий дріт ……………………………………………...8
2.2 Особливості квантових дротів ……………………………..8
2.3 Квантові нитки. Виготовлення квантових ниток ………..10
Розділ 3. Квантові точки
3.1 Технологія виготовлення квантових точок ……………...10
3.2 Особливості квантових точок …………………………….11
Розділ 4. Надгратки
4.1 Види надграток …………………………………………….12
4.2 Фізичні властивості надграток …………………………...12
4.3 Технологія виготовлення надграток ……...……………...13
4.4 Енергетична структура напівпровідникових надграток ..16
4.5 Застосування надграток в електроніці …………………...17
Висновок ………………………………………………………19
Список літератури …………………………………………...20
Вступ
У першій половині 50-х років XX ст перед Фізико-технічним інститутом ім. А.Ф. Іоффе було поставлено завдання створити вітчизняні напівпровідникові прилади для впровадження у вітчизняну промисловість. Перед лабораторією стояло завдання: отримання монокристалів чистого германію і створення на його основі площинних діодів і тріодів. За участю Алфьорова Жореса Івановича були розроблені перші вітчизняні транзистори і силові германієві прилади. Відкриття Ж.І. Алфьоровим ідеальних гетеропереходів і нових фізичних явищ - «суперінжекціі», електронного та оптичного обмеження в гетероструктурах - дозволило також кардинально поліпшити параметри більшості відомих напівпровідникових приладів і створити принципово нові, особливо перспективні для застосування в оптичній і квантової електроніки.
На початку 90-х років одним з основних напрямів робіт, що проводяться під керівництвом Ж.І. Алфьорова, стає отримання і дослідження властивостей наноструктур зниженої розмірності: квантових дротів і квантових точок.
У 1993-1994 роках вперше в світі реалізуються гетеролазери на основі структур з квантовими точками - «штучними атомами». У 1995 році Ж.І. Алфьоров зі своїми співробітниками вперше демонструє інжекційні гетеролазер на квантових точках, що працює в безперервному режимі при кімнатній температурі. Принципово важливим стало розширення спектрального діапазону лазерів з використанням квантових точок на підкладках GaAs. Таким чином, дослідження Ж.І. Алфьорова заклали основи принципово нової електроніки на основі гетероструктур з дуже широким діапазоном застосування, відомої сьогодні як "зонна інженерія».
Розділ 1. Квантові ями
1.1 Технологія виготовлення квантових ям
Найпростіша квантова структура, в якій рух електрона обмежена в одному напрямку, - це тонка плівка або просто досить тонкий шар напівпровідника. Саме на тонких плівках металу вісмуту і напівпровідника InSb вперше спостерігалися ефекти розмірного квантування [2]. В даний час квантові структури виготовляють інакше. Розглянемо структуру енергетичного спектру напівпровідників. Цей спектр складається з дозволених і заборонених енергетичних зон, які сформовані з дискретних рівнів атомів, що утворюють кристал. Найвища енергетична зона називається зоною провідності. Нижче зони провідності розташована валентна зона, а між ними лежить заборонена зона енергій. В одних напівпровідників заборонені зони широкі, а в інших більш вузькі. Що станеться, якщо привести в контакт два напівпровідника з різними забороненими зонами (межа таких напівпровідників називається гетероструктурою). На рис. 1 зображена кордон вузькозонних і широкозонного напівпровідників. Для електронів, що рухаються в вузькозонних напівпровідників і мають енергію менше , Кордон буде грати роль потенційного бар'єру. Два гетеропереходи обмежують рух електрона з двох сторін і як би утворюють потенційну яму.
Таким способом і створюють квантові ями, поміщаючи тонкий шар напівпровідника з вузькою забороненою зоною між двома шарами матеріалу з ширшою забороненою зоною. У результаті електрон виявляється замкненим в одному напрямку, що і призводить до квантування енергії поперечного руху. У той же час у двох інших напрямках рух електронів буде вільним, тому можна сказати, що електронний газ у квантовій ямі стає двовимірним. Таким же чином можна приготувати і структуру, що містить квантовий бар'єр, для чого слід помістити тонкий шар напівпровідника з широкою забороненою зоною між двома напівпровідниками з вузькою забороненою зоною.
Електрон з енергією менше
(рівень показаний червоним кольором) може знаходитися тільки праворуч від межі.Коли рух електрона відбувається в обмеженій області, його енергія має строго визначені, дискретні значення. Кажуть, що спектр енергій квантований.
Рис. 1 Енергетичні зони на межі двох напівпровідників - гетероструктурі.
і 
- межі зони провідності і валентної зони, Eg - ширина забороненої зони.У квантовій механіці електрон не бігає в обмеженій області, як класична частинка. Якщо він замкнаний в атомі, молекулі або будь-якої потенційної ямі, то хвильова функція представляє собою стоячу хвилю. Якщо мова йде про прямокутну потенційну яму, яка зображена на рис. 2, то за своєю формою хвиля буде такою ж, як і у випадку натягнутої струни, але дискретним в цьому випадку буде не спектр частот, а спектр енергій. Стоячі хвилі, що описують електронні стани в ямі, - це синусоїди, які обертаються в точках x = 0 і x = a в нуль.
Рис. 2. Хвильові функції та рівні енергії частки, що знаходиться в нескінченно глибокій потенційній ямі. Показані три нижніх енергетичних рівня (червоний колір) і три хвильові функції
, (1)де n-номер квантового стану, a - розмір ями. На рис. 2 зображені три такі функції, відповідні n = 1, 2, 3, ... Електронна щільність у ямі розподіляється нерівномірно, є максимуми і мінімуми щільності ймовірності. З формули (1) випливає також, що довжини хвиль хвильових функцій, що описують електронні стани з різними n, задовольняють умовам
, тобто в ямі укладається ціле число півхвиль.1.2 Особливості енергетичних рівнів
Знайдемо дозволені рівні енергії електрона, що знаходиться в потенційній ямі. Скористаємося правилом квантування Н. Бора. Згідно постулату Бора, в потенційній ямі дозволені лише ті траєкторії, для яких імпульс частинки pn і ширина ями a пов'язані співвідношенням
(2)Тут n - номер квантового стану. Визначивши звідси дозволені значення імпульсу, знайдемо і рівні енергії в ямі:
(3)Мінімальна енергія частки, що знаходиться в ямі, не може бути рівною нулю. Завжди існує так звана енергія нульових коливань, яка, згідно з формулою (3), дорівнює n2h2/(2ma2).. Обчислимо, який порядок має величина першого рівня в реальному квантовій ямі. Якщо ширина ями дорівнює 5 нм, то, згідно (3), маємо E 1 = 0,02 еВ. Потрібно, однак, мати на увазі, що електронна маса в кристалі може істотно відрізнятися від маси вільного електрона m = 10-27 г. У типовій ситуації ефективна маса в квантовій ямі в десять разів менше маси вільного електрона. Тоді при тій же ширині ями отримаємо E1 = 0,2 еВ. Ця величина і визначає характерний масштаб електронних енергій у квантових структурах.
1.3 Застосування квантових наноструктур в електроніці
Розглянемо принцип дії двох основних приладів сучасної квантової електроніки.
Резонансний тунельний діод.
У класичній фізиці якщо повна енергія частинки менше потенційної енергії в області бар'єру, то ця частка відбивається і потім рухається у зворотному напрямку. У тому випадку, коли повна енергія перевищує потенційну, бар'єр буде подолано. Квантова частинка поводиться інакше: вона долає бар'єр подібно хвилі. Навіть якщо повна енергія менше потенційної, є вірогідність подолати бар'єр. Це квантове явище отримало назву "тунельний ефект". Воно використовується в резонансному тунельному діоді.
Він складається з двох бар'єрів, розділених областю з малою потенціальною енергією. Область між бар'єрами - це ніби потенційна яма, в якій є один або кілька дискретних рівнів. Характерна ширина бар'єрів і відстань між ними становлять кілька нанометрів. Області ліворуч і праворуч від подвійного бар'єру грають роль резервуарів електронів провідності, до яких примикають контакти. Електрони займають тут досить вузький енергетичний інтервал. У приладі використовується наступна особливість подвійного бар'єру: його тунельна прозорість має яскраво виражений резонансний характер. У тому випадку, коли енергія електронів, що налітають на бар'єри, дорівнює енергії дискретного рівня, тунельна прозорість різко зростає. При резонансі завдяки інтерференції хвиль у внутрішній області гаситься хвиля, що відбивається від подвійного бар'єру. Отже, хвиля, що впала ліворуч, повністю проходить направо.
Розглянемо, як працює резонансний діод. Струм, що протікає через подвійний бар'єр, залежить від величини прикладеної напруги. Потенціал в приладі падає головним чином в області подвійного бар'єру, оскільки області ліворуч і праворуч від нього володіють високою провідністю. Якщо прикладена напруга мала і енергія електронів, що налітають на бар'єр зліва, менше енергії дискретного рівня, то прозорість бар'єру і, отже, що протікаючий струм будуть малі. Струм досягає максимального значення за таких напругах, коли енергія електронів дорівнює енергії дискретного рівня. При більш високих напругах енергія налітаючих електронів стане більшою за енергії дискретного рівня і тунельна прозорість бар'єру зменшиться. При цьому струм також зменшиться. На вольт-амперної характеристиці буде ділянка негативного диференціального опору. Завдяки цьому в електронних схемах резонансний діод може використовуватися не тільки як випрямляч, а й виконувати різноманітні функції. Якщо до центральної області резонансного діода підвести контакт, через який можна управляти положенням дискретного рівня, вийде новий прилад - транзистор.