R14 та R10 потрібні для симетрії схеми через розкид параметрів і площ кристалів транзисторів струмового дзеркала,
а також для збільшення вихідного опору схеми. Тому обираємо:
UДСС = 3,5 В
Uке = 1 В
URе = 2,5 В
Струм спокою прикінцевого каскаду:
Потужність розсіювання на транзисторі VT8ДСС дуже мала, оскільки для нього завжди виконується UкеVT8=UбеVT9, тобто
Вимоги до частотних властивостей транзисторів ДСС:
де
За значеннями Р,І,f,U обираємо для джерела стабільного струму пару транзисторів КТ814Г[13]. Їхні параметри зведено до таблиці 2.4
Таблиця 2.4 Параметри транзисторів струмового дзеркала.
транзистор | КТ814Г |
параметр | |
перехід Uке max Uбе max Iк max Pк с доп. тепло відводом Uке нас Uбе нас h21emіn fгр Cк | n-p-n 100 В 5 В 1,5 А 10 Вт 0,6-1,2 В 5 В > 40 6 МГц 60пФ |
Розрахунок опорів резисторів R14, R10 та R17в емітерних колах:
Із стандартного 10% ряду обираємо резистори номіналом по 100 Ом і потужністю 0,125 Вт кожен. Розрахунок потужності резисторів:
Розраховується опір резистора R11:
де Uбе = 0,8 В – напруга зміщення (обрана за ВАХ)
Із стандартного 20% ряду обираємо резистор номіналом 1,8 кОм,
потужністю 2 Вт. Розрахунок потужності резистора:
Розрахунок транзисторної схеми стабілізації
Струм, що протікає крізь подільник R15,R16 вибирається рівним
Розрахуємо опори R15 та R16:
ІкоVT10 = 10 мА. Тоді:
де Uбе0VT5 = 3 B
Із стандартного 20% ряду обираємо змінний резистор номіналом 3,3 кОм,
потужністю 0,125 Вт. Розрахунок потужності резистора:
R15 отримаємо від різниці результату формул (2.48) і (2.49)
R15= 3500-3000=500(Ом) (2.50)
Із стандартного 10% ряду обираємо резистор номіналом 510 Ом,
потужністю 0,125 Вт. Розрахунок потужності резистора:
Знайдемо вихідний опір джерела стабільного струму.
де Uy - потенціал Ерлі =45 (В)
Рисунок 2.4(Знаходження потенціалу Ерлі транзистора КТ814Г )
SVT9 – крутизна транзистору:
де φt = 25мВ – температурний потенціал
R14 = 100 Ом , тоді:
Розрахуємо коефіцієнт підсилення за напругою передкінцевого каскаду без зворотнього зв`язку.
Вхідний опір двотактного емітерного повторювача:
де rбеVT8 = 13 Ом, тоді
Коефіцієнт підсилення другого каскаду буде:
2.8 Розрахунок базового кола передкінцевого каскаду[2].
Визначимо робочу точку транзистора VT7.
Знайдемо максимальний струм бази VT7:
Визначимо амплітуду змінної складової струму бази:
Визначимо вхідний опір каскаду на VT7:
Амплітуда змінної напруги на вході другого каскаду:
Корисна потужність яку треба подати у базове коло:
2.9 Розрахунок вхідного каскаду[3]
В якості першого каскаду підсилення з напруги був обраний диференційний каскад
Розрахунок колекторного кола вхідного каскаду:
Корисна потужність, що вимагається від першого каскаду, повинна з деяким запасом перевищувати вхідну потужність передкінцевого каскаду:
Для забезпечення режиму А вхідного каскаду стала складова струму колектора повинна бути
тож
Розрахунку вище перерахованих параметрів достатньо для вибору пари транзисторів VT1 та VT2. Обираємо кремнієві транзистори КТ209М.[13]
Таблиця 2.5 Параметри транзисторів вхідного каскаду.
Транзистор | КТ209М |
Параметр | |
перехід Uке max Iк max Pк max Uке нас h21emіn fгр Cк | p-n-p 60 В 0,3 А 0,2 Вт 0.4 В 40 6 МГц 50пФ |
Зробімо розрахунок ДСС1 на транзисторах VT5, VT6