Фізика напівпровідників 2 (стр. 1 из 4)

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ ТА НАУКИ УКРАЇНИ

ЗАПОРІЗЬКА ДЕРЖАВНА ІНЖЕНЕРНА АКАДЕМІЯ

Кафедра

Контрольна робота з курсу:

ФІЗИКА НАПІВПРОВІДНИКІВ

Запоріжжя

2009

Дано:

Напівпровідник – Si

Домішка – бор

Концентрація домішки - 7

10 м^-3

Рівень домішки

еВ

А = 0.2 см

В = 0.7 см

С = 0.1 см

сек

сек

Рішення

1. Оцінити ймовірність знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі та при

2. Визначити положення рівня Фермі у власному напівпровіднику відносно середини забороненої зони при кімнатній температурі. При виконанні враховувати температурну залежність ширини забороненої зони.

3. Розрахувати температурну залежність власної концентрації носіїв заряду у вихідному напівпровіднику в діапазоні температур (10К до 400К). При виконанні врахувати температурну залежність ширини забороненої зони. Побудувати графік температурної залежності власної концентрації від температури.

7

Всі данні занесені у таблицю.