Фізика напівпровідників 2 (стр. 3 из 4)

При високих температурах (коли виконується умова

)

температурна поведінка рівня Фермі в області домішкової провідності за формулою

Згідно з графіком 2 температура насичення

5. Легований домішкою напівпровідниковий зразок має геометричні розміри: А, В, С. Знайти його електричний опір при кімнатній температурі.

А = 0.2 см, В = 0.7 см, С = 0.1 см.

6. Розрахувати довжину хвилі випромінювання

, необхідного для створення електронно-діркових пар у власному напівпровіднику при кімнатній температурі.

7. Знайти час життя носіїв заряду, якщо в момент часу

після вимкнення випромінювання концентрація носіїв заряду була у N разів більша, ніж у момент часу .

Висновок

Ймовірність знайти електрон на рівні Е у власному напівпровіднику при кімнатній температурі дорівнює

, при Т=300К дорівнює 1.

Положення рівня Фермі при кімнатній температурі

еВ.

Побудували графік залежності власної концентрації від температури.

Побудували графік температурної залежності рівня Фермі.

Електричний опір легованого напівпровідника при кімнатній температурі 0.0348 Ом.

Довжина хвилі випромінювання, необхідного для створення електронно-діркових пар у власному напівпровіднику при кімнатній температурі

.