Re=aT T4; Re=aT
(T4-To4) Фотон-квант света Wф=hv=hwнькое полржит.заряженое ядро; =>p=,/2mWк==Ae(в степени)(-i/
)(Et-PxX) Это
пературы удалённых нагретых ние Эйнштейна для фотоэфек.точена в ядре, вокруг ядра, на 2dsin =kx =>
=2dsin
/kмонохроматич.волну де Бройля
ны,которую приT2T1 /2=0 => hvo=Aв => vo=Aв/hra~10 -10м; rЯ ~10 -15м -Фабриканта: Изучили дифрак ности вероятности нахождения
ходится max фу vo–красная граница фотоэфек. Постулаты Бора: цию электромагнит.пучков => микрочастицы в разных облас-
нкции Кирхг. 0
Применение фотоэффекта:1)Атом может находится в осо-развитие электронографии. тях пространства.
3. Первый закон Вина(з.смещен)1)Фотоэлиментах 2)Фотоэлект-бых стационарных сост,в кото-…………………………………. 5. Микрочастица в потенци-
При увилич.темпер. АЧТ max роные приборы 3)Звуковое ки-рых он не излучает энергию По аналогии с механ.волнами альной яме
ротковолновую область. С1 =батареи. яния в другое атом излучает должно описыватся некой вол- U=0 0<x<l; U=0
на С1=2,90 10-3мК При освещении в hv=Em-En дует,что в одних областях веро-Стационарное урав.Шрёдин-
4. rmax*( ,T)=C2T3где C2=1,3 контакте 2ух полупроводников ятность обнаружения микрочасгера:
2
+(2mE/
2)(Е-U)
10-5Вт/м3К5 возникает фотоЭДС >чем в других областях,т.к.ин- =0 где 2mE/ 2=k2 =>
+k2
Вид функции Кирхгофа:3. Эффект Комптона Правило квантования электро-тенсивность волны пропорцион=0 { 0<X<l => -1
Формула Реле и Джинса: При рассеивании рентгеновск. импульса кратен постоян.План-(она определяет плотность ве- =iAsind => d=0
f(w,T)=(w/4П2С2)КТ излучения на лёгко/углеводоро-ка. mUrn=n
Расхождение формулы Р.иД.с дных соединениях происходит n- главное квантовое число частицы в данной области). K2=(П2n2)/c2 => 2mE = П2n2
опытом в области высоких час-изменение длины волны(излуче Fy=FK-mU2/r=eze/4ПЕо r2 Плотность вероятности f(V)= 2l2