3.
где
дополнительная функция
4. Полное сопротивление выводов (Au) с учетом скин-эффекта.
Чаще всего используются микрополосковые линии передачи (МПЛ), щелевые линии (ЩЛ) и компланарные линии (КЛ) передачи.
Топология линий показана на рисунке.
| |
|
Основной тип волны в МПЛ – Т-волна.
Используется понятие эффективной диэлектрической проницаемости, так как диэлектрик не заполняет линию полностью.
Суммарные потери в металле, диэлектрике и потери на излучение суммируются.
Удельное сопротивление и тангенс угла диэлектрических потерь определяются:
Если
Сравнительный анализ линий.
1. ЩЛ и КЛ удобны для подключения активных элементов и образования невзаимных устройств.
2. В отличие от МПЛ обладают ШЛ большим волновым сопротивлением
3. В ЩЛ и КЛ дисперсионные свойства выражены сильнее. (
4. Дисперсионные свойства линий выражаются тем сильнее, чем больше
5. В МПЛ заземляющая находится на обратной стороне пластины, что затрудняет (технологически) заземление элементов и активных приборов.
6. В ЩЛ и КЛ заземляющая пластина находится на верхней поверхности пластины и увеличивает занимаюемую ею площадь.
7. Отсутствие у ЩЛ и КЛ на обратной стороне металлизации ухудшает отвод тепла.
Преимущества полосковых линий передачи заключаются в:
1. в широкополосности (
2. малой массе и габаритах;
3. возможности применения печатного монтажа (автоматизированный технологический процесс).
Линии передачи на полупроводниковых подложках (большие
Однако затухание и дисперсия в таких линиях больше.
Функциональные возможности:
1. трансформация
2. используются в качестве аттенюаторов.
Порядок расчета линий передачи:
1. Расчет
2. Расчет
3. Расчет
МПЛ в приближении нулевой толщины полоски:
для
где
для
где
(погрешность 1%)
4.9. Индуктивные элементы ИС СВЧ
Входное сопротивление короткого короткозамкнутого отрезка линии
В отличие от линий передачи роль подложки для сосредоточенных элементов заключается в физической поддержке и изоляции.
Последовательные индуктивные элементы:
а). «Балочная»
| |
б). Кольцевая
| |
в). Меандровая
| |
г). Спиральная круглая:
| |
д).
| Все длины должны быть |
Схемная модель для индуктивностей а)., б)., в).
Схемная модель для индуктивностей г)., д).
Большие значения
Параллельные индуктивности:
Короткозамкнутый параллельный шлейф:
4.10. Емкостные элементы ИС СВЧ
для короткой замкнутой линии