Экспериментальные исследования диэлектрических свойств материалов 30 (стр. 2 из 2)
По графику зависимости e = F(f) видно, что диэлектрическая проницаемость среды не зависит от частоты внешнего поля. График зависимости ХС=F(1/f) подтверждает, что емкостное сопротивление зависит от 1/f прямо пропорционально.
Опыт № 4. Исследование зависимости емкости конденсатора от угла перекрытия диэлектрика верхней пластиной.
U1= 5В, R=120Ом, f=60 кГц, d=0,002м, r=0,06м, n=18.
| a,0 | U2,В | С, пкФ | Стеор, пкФ |
| 0 | 0,039 | 172 | 150 |
| 10 | 0,048 | 212 | 181 |
| 20 | 0,056 | 248 | 212 |
| 30 | 0,063 | 279 | 243 |
| 40 | 0,072 | 318 | 273 |
| 50 | 0,080 | 354 | 304 |
| 60 | 0,089 | 393 | 335 |
Опыт № 5. Измерение толщины диэлектрической прокладки.
U1= 5В, R=120Ом, f=60 кГц.
Схема конденсатора с частичным заполнением диэлектриком.
U2 (стеклотекстолит тонкий)=0,051В,
U2 (стеклотекстолит толстый)=0,093В,
U2 (воздух)=0,039В.
С0 =172пкФ - без диэлектрика;
С1 = 411пкФ - стеклотекстолит толстый;
С1 = 225пкФ - стеклотекстолит тонкий.
;
; 
; 
; 
;
; 
;
Вывод: На этой работе мы определили диэлектрическую проницаемость и поляризационные характеристики различных диэлектриков, изучили электрические свойства полей, в них исследовали линейность и дисперсность диэлектрических свойств материалов.