Исследование полевых транзисторов
ГУАП
КАФЕДРА № 25
ОТЧЕТ
ЗАЩИЩЕН С ОЦЕНКОЙ
ПРЕПОДАВАТЕЛЬ
| должность, уч. степень, звание | подпись, дата | инициалы, фамилия |
| ОТЧЕТ О ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ |
| ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ |
| по курсу: ЭЛЕКТРОНИКА |
РАБОТУ ВЫПОЛНИЛ
| СТУДЕНТ ГР. | 2941 | Н.А. Никитин |
| подпись, дата | инициалы, фамилия |
Санкт-Петербург2011
Лабораторная работа №3ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1 Цель работы: изучение принципа действия, измерение характеристик и определение основных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полевого транзистора с изолированным затвором.
2 Описание лабораторной установки
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом приведена на рисунке 1.
Рисунок 1 – Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора 2П103Б с управляющим р-п переходом и каналом р-типа
Схема исследования статистических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором приведена на рисунке 2.
Рисунок 2 – Схема исследования статистических характеристик
МДП-транзистора 2П301А с индуцированным (обогащённым) каналом р-типа
Напряжения питания подаются с гнёзд источников стабилизированных напряжений Е-1 и Е-2, имеющих собственную цифровую индикацию и плавные регулировки R9 и R10 выходных напряжений соответственно. Измерения постоянных напряжений и токов в схемах осуществляется с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.
3 Измерительная часть3.1 Измерение статических характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом
Таблица 1 – Статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом (КП103Б)
| Uси, В | Ic, мА | |||||||
| Uзи=0 | Uзи=0,1 | Uзи=0,2 | Uзи=0,3 | Uзи=0,4 | Uзи=0,5 | Uзи=0,6 | Uзи=0,7=Uзи отс | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| -1 | 0,34 | 0,33 | 0,22 | 0,14 | 0,08 | 0,03 | 0,01 | 0 |
| -2 | 0,36 | 0,35 | 0,24 | 0,15 | 0,09 | 0,03 | 0,02 | 0 |
| -3 | 0,38 | 0,36 | 0,25 | 0,15 | 0,1 | 0,03 | 0,02 | 0 |
| -4 | 0,39 | 0,37 | 0,25 | 0,155 | 0,11 | 0,03 | 0,02 | 0 |
| -5 | 0,395 | 0,38 | 0,26 | 0,16 | 0,11 | 0,04 | 0,03 | 0 |
| -6 | 0,4 | 0,385 | 0,26 | 0,16 | 0,12 | 0,04 | 0,03 | 0 |
| -7 | 0,41 | 0,39 | 0,27 | 0,16 | 0,125 | 0,04 | 0,035 | 0 |
| -8 | 0,415 | 0,4 | 0,27 | 0,16 | 0,13 | 0,04 | 0,4 | 0 |
Семейство выходных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 3.
Семейство управляющих характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом представлено на рисунке 4.
3.2 Измерение статических характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типаТаблица 2 – Статические характеристики МДП-транзистора (КП301А)
| Uси, В | Ic, мА | ||||||
| Uзи=Uзи пор -2,8 В | Uзи=|Uзи пор| +0,5 В | Uзи=|Uзи пор| +1 В | Uзи=|Uзи пор| +1,5 В | Uзи=|Uзи пор| +2 В | Uзи=|Uзи пор| +2,5 В | Uзи=|Uзи пор| +3 В | |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| -1 | 0,2 | 0,5 | 0,87 | 1,44 | 1,8 | 2,2 | 2,4 |
| -2 | 0,23 | 0,54 | 1,03 | 1,8 | 2,5 | 3,1 | 4,0 |
| -3 | 0,24 | 0,6 | 1,15 | 1,92 | 2,8 | 3,6 | 4,6 |
| -4 | 0,25 | 0,65 | 1,2 | 2,01 | 2,95 | 3,85 | 5,0 |
| -5 | 0,26 | 0,68 | 1,2 | 2,1 | 3,0 | 4,0 | 5,2 |
| -6 | 0,28 | 0,7 | 1,3 | 2,2 | 3,2 | 4,2 | 5,3 |
| -7 | 0,3 | 0,7 | 1,37 | 2,3 | 3,3 | 4,3 | 5,5 |
| -8 | 0,31 | 0,75 | 1,4 | 2,4 | 3,4 | 4,4 | 5,7 |
Семейство выходных характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 5.
Семейство управляющих характеристик МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа представлено на рисунке 6.
4 Расчётная часть4.1 Расчёт дифференциальных параметров полевого транзистора с управляющим р-п переходом
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где 
– относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где 
– относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора
Ом
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
4.2 Расчёт дифференциальных параметров МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа
а) Расчёт крутизны стоково-затворной характеристики транзистора
где – относительное приращение тока стока;
- относительное приращение напряжения между затвором и стоком транзистора
б) Расчёт внутреннего сопротивления транзистора переменному току
где – относительное приращение напряжения между стоком и истоком транзистора
Ом
в) Расчёт статического коэффициента усиления транзистора
Вывод: в данной лабораторной работе был изучен принцип действия двух типов полевых транзисторов – транзисторов с управляющим р-п переходом и транзисторов с индуцированным каналом р-типа, измерены их статические характеристики и определены основные параметры.