Эффект поля. Расчёт эффективной подвижности носителей заряда (стр. 6 из 6)
где n – концентрация электронов,
NG– плотность состояний в зоне проводимости.
В большинстве практических ситуаций достаточно учесть лишь первое и второе слагаемые этого выражения. Аналогичные соотношения связывают коэффициент диффузии и подвижность дырок. В невырожденных полупроводниках, где n << NC(p << Nv), выражение переходит в обычное соотношение Эйнштейна
Коэффициенты диффузии при комнатной температуре легко получить из приведенных на рисунке 3.1 значений подвижности. Для этого их надо умножить на kT/q = 0,0259 В (Т = 300К)[2].
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В ходе данной курсовой работы был рассмотрен эффект поля. Он применим только в том случае, когда удается обеспечить условия квазиравновесия на поверхности полупроводника. Это квазиравновесное состояние поверхности характеризуется тем, что носители заряда в зонах проводимости и валентной находятся в равновесии и между собой (поскольку рекомбинационно-генерационные процессы успели завершиться), и с быстрыми поверхностными состояниями (так как завершилась и релаксация, связанная с заполнением этих состояний электронами и дырками). При этом поверхностные концентрации носителей заряда в зонах, а также и степень заполнения быстрых поверхностных состояний определяются единым квазиравновесным значением уровня Ферми на поверхности, т.е. так называемым поверхностными потенциалом.
В связи с тем, что заполнение быстрых поверхностных состояний при указанных условиях измерения по методу эффекта поля является равновесным по отношению к измеряемой величине поверхностного потенциала, этот метод предоставляет дополнительную возможность исследования самих поверхностных состояний.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука; 1977. – 988с
2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М: Наука;
3. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М: Наука;1971. – 480с
4. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др.// ФТП 1988 Т 32 С.382
5. Овсюк В.Н. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука. Сибирское отделение. 1984. – 233с.