20 Toshino Ogino «Self-organization of nanostructures on Si wafers using surface structure control» // Surface Science 386(1997) pp.137-148
21. «Современная кристаллография. Том 3. Образование кристаллов.» Чернов А.А., Гиваргизов Е.И. и др. Москва, Наука 1980г.
22. Katusuyuki Shoji «Heteroepitaxial growth and superstucture of Ge on Si(111)-(7x7) and Si(100)-(2x1) surfaces» // Japanese Journal of Applied Physics v.22 №.10 (1983)pp.1482-1488
23. J.H.Neave, P.J.Dobson, B.A.Joyce and Jing Zhang «Reflection High-Energy Electron Diffraction oscillation from vicinal surfaces-a new approach to surfaces diffusion measurement» Appl.Phys.Lett. 47(2) 15July 1985 p.100-102
24. V.A. Markov, L.V. Sokolov, O.P. Pchelyakov Surf.Sci. 1991 v.250 p.229-234
25. М.А. Ламин, В.И. Машанов, О.П. Пчеляков «Осцилляции интенсивности ДБЭ от поверхности Si(111) в присутствии поверхностного резонанса» «Полупроводники» Сборник научных трудов ЦЭРИС Новосибирск 1994 стр.208
26. Tsunenori Sakamoto «RHEED oscillation in MBE their application to precisely controlled crystal growth» // Physic fabrication and application of multilayer structures p.93-110
27. Tsunenori Sakamoto, Kunihiro Sakamoto, Satoru Nagao and sw. «RHEED intensity oscillation-an effective tool of Si and GexSi1-x MBE» // Thin film growth techniques for low-dimensional structures p.225-245
28. H.J.W.Zandvliet, H.B.Elswijk, D.Dijkkamp and etc. «On the period of Reflection High-Energy Electron Diffraction intensity oscillation during Si molecular beam epitaxy on vicinal Si(001)» // J.Appl.Phys. 70(5), 1 september 1991 pp.2614-2617
29. O.P. Pchelyakov, I.G. Neisvestnyi, Z.Sh. Yanovitskaya «RHEED control of nanostructure formation durig MBE»// Phys.Low-Dim.Struct., 1995, v.10/11,389-396.
30. A.I. Nikiforov, V.A. Markov, O.P. Pchelyakov and Z.Sh. Yanovitskaya «The influensce of the Epitaxial Growth Temperature on the Period of RHEED Oscillations» Phys. Low-Dim. Struct., 7(1997) pp.1-10.
31. M. Fehrenbacher, H. Rauscher, U. Memmert, R.J. Behm «SiH4 chemical vapor deposition on Si(111)-( 7 Ч7) studied byscanning tunneling microscopy» // Surface Science 385 ( 1997) 123–145
32. S. Kodiyalam, K. E. Khor and S. Das Sarma «Calculated Schwoebel barriers on Si(111) step using an empirical potential» // Physical Review B v.53 №.15 (1995) pp.9913-9922.
33. «Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры» под ред.Л.Ченг и К.Полога - Москва 1989г.
34 Toshihiro Ichikawa and Shozo Ino «RHEED study on the Ge/Si(111) and Si/Ge(111) systems: reaction of Ge with the Si(111)-(7x7) surfaces» // Surface Science 136(1984) pp.267-284