ПЕНЗЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра микроэлектроники
Курсовая работа
по курсу ФОМ
Тема
Емкость резкого p-n перехода
г. Пенза, 2005 г.
Содержание
Обозначение основных величин
Основная часть
1. Расчет собственной концентрации электронов и дырок
2. Расчет контактной разности потенциалов
3. Расчет толщины слоя объемного заряда
4. Расчет барьерной емкости
Список используемой литературы
Задание
1. Вывести выражение для емкости резкого p-n перехода в случае полностью ионизированных примесей
2. Рассчитать величину барьерной емкости резкого p-n перехода при 300 К и напряжении V. Считать что примеси полностью истощены, а собственная проводимость еще очень мала.
3. Построить график зависимости барьерной емкости от температуры.
4. Составить программу вычисления значений барьерной емкости для графика.
Полупроводник | Ge |
V ,В | 0 |
Nd ,см | 1,0 |
Na ,см | 1,0 |
S ,мм | 0,15 |
Обозначение основных величин
DE – ширина запрещенной зоны.
[DE] =1,8
e
e
[
[
m
m
m
m
m
m
S – площадь p-n перехода.
[S]= 10
n
[n
p
[p
N
[N
N
[N
k – константа Больцмана.
k = 1,38
Т – температура.
[T]=K.
h – константа Планка.
h = 6,63
V
[V
j
[j
q – заряд электрона.
q=1,6
n
[n
p
[p