Дальнейшую очистку синтезированного материала осуществляют методом горизонтальной зонной плавки под давлением паров кадмия. В настоящее время отсутствуют данные о зависимости коэффициентов распределения примесей от отклонений состава расплава от стехиометрии, т. е. oт величины давления паров кадмия над расплавом. По-видимому, целесообразно проводить процесс при давлении паров кадмия, близком к равновесному (0,9 ат).
Для получения легированных кристаллов к исходной смеси компонентов добавляются навески легирующих примесей: In, Ga, P, As. Однако, как отмечалось в гл. IV, введение примеси сопровождается возникновением противоположного заряженного дефекта, и концентрация носителей должна зависеть от отклонений от стехиометрии.
Слитки, выращиваемые из расплава, обычно состоят из отдельных крупных монокристаллических блоков. Свойства полученных кристаллов проявляют вполне удовлетворительную зависимость от условий очистки исходных компонентов и значения давления паров кадмия, установленного в камере кристаллизации.
Из сказанного следует, что известные значения структурно-чувствительных свойств соответствуют образцам с самой различной степенью компенсации. Существенно отметить, что материалы с заметными отклонениями от стехиометрии во всех случаях являются частично компенсированными, а их свойства в значительной степени зависят от условий изготовления. Для определения оптимальных условий изготовления особенно важно знание природы превалирующих точечных дефектов.
При проведение подготовке курсовой работы были рассмотрены полупроводниковые соединения типа AIIBVI, их свойства и методы получения. Рассмотренные методы получения полупроводниковых соединений показали, что не каждый метод может подойти для производства монокристаллов соединения типа AIIBVI. Так как большинство элементов II и VI группы периодической таблицы химических элементов – легколетучие. В связи с эти возникает ряд затруднений при производстве монокристаллов полупроводниковых соединений.
1. «Полупроводниковые соединения AIIIBV», В.Н. Вигдоровича, «Металлургия», 1967.
2. «Введение в производство полупроводиковых материалов» В.И. Медведев, «Наука», 1979г.