Разработка устройства Видеопорт (стр. 6 из 6)
1
Rпр = ,K0 (m*R) + 4 * K0 (2.7*m*R)
m * ( 0.105 * m * + 0.155 )1 / tx + 1 / ty
Получим для каждой микросхемы - Rпр , м -
Rпр1 = 0.03694 Rпр2 = 0.03694 Rпр3 = 0.03694 Rпр4 = 0.03689 Rпр5 = 0.03689
Rпр6 = 0.03689 Rпр7 = 0.03689 Rпр8 = 0.03689 Rпр9 = 0.03688 Rпр10 = 0.03688
Rпр11 = 0.03689 Rпр12 = 0.03689 Rпр13 = 0.03688 Rпр14 = 0.03688 Rпр15 = 0.03688
Rпр16 = 0.03688 Rпр17 = 0.03688 Rпр18 = 0.03688 Rпр19 = 0.03693 Rпр20 = 0.03689
Rпр21 = 0.03689 Rпр22= 0.03689 Rпр23 = 0.03689
В дальнейших расчетах зададимся Rпр = Rпр1-Rпр18 = 36 мм.
Определяют наведенный перегрев для микросхем
( Qэi * K0 (m*rji) / K0 (m*Ri) )
Qэфji = ,аi * ( 1 + ( ci + 1 / ai ) * ( bi + di ) )
где Qэфji - тепловое влияние i-той микросхемы на данную (j-тую),
rji - расстояние между центрами i-той микросхемы и данной,
ai, bi, ci, di - обозначения, принятые для упрощения формы записи,
ai = ( ( Каi - 4 ) * Ö Н2 / 105 + 4 ) * ( Sэi - Sэоi ) ,
bi = ( 4.5 * Ö Н2 / 105 + 4 ) * p * Ri*Ri,сi = dз / ( lз * p * Ri * Ri ),
di = 2* p * Ri * l1 * dп * m * ( К1 (m*Ri) / К0 (m*Ri) ),
Qэi, Ri, Каi, Sэi, Sэоi - параметры i-той микросхемы.
При расчетах необходимо учесть влияние только тех микросхем, центры которых отстоят от центра данной не далее Rпр.
Произведя расчеты получим Qэф , К–
Qэф1 = 0.02444Qэф2 =0.01262Qэф3 = 1.30447Qэф4 = 0.92994Qэф5 = 1.27076
Qэф6 =1.07639Qэф7 = 1.16395Qэф8 = 0.93818Qэф9 = 3.53786Qэф10 = 0.48943
Qэф11 = 0.63164Qэф12 = 1.06709Qэф13 =,1.26717Qэф14 =1.07594Qэф15=2.74241
Qэф16=0.50932Qэф17=0.48049Qэф18=1.35534Qэф19=2.35717Qэф20 =1.37697
Qэф21=2.60099Qэф21= 2.30956Qэф21=1.42029
Определяют перегрев корпуса микросхемы относительно базовой температуры -Qэ-
Qэ = Qв + Qэс + Qэф,
Для каждой микросхемы получим - Qэ , К -
Qэ1 = 4.34575 Qэ2 = 4.33394 Qэ3 = 5.62579 Qэ4 = 17.87538 Qэ5 = 18.21619
Qэ6 = 18.05471 Qэ7 = 18.10938 Qэ8 = 17.88361 Qэ9 = 9.31290 Qэ10 = 6.26447
Qэ11 = 8.87874 Qэ12 = 9.30365 Qэ13 = 8.25538 Qэ14 = 8.06415 Qэ15 = 9.73062
Qэ16 = 12.76610 Qэ17 = 12.73727 Qэ18 = 13.61212 Qэ19 = 13.34293 Qэ20 = 14.91460
Qэ21 = 16.13862 Qэ22 = 15.84719 Qэ23 = 14.95791
Определяют температуру корпуса микросхемы - tэ -
tэ = to + Qэ ,
Для каждой микросхемы получим - tэ , К -
tэ1 = 297.34575 tэ2 = 297.33394 tэ3 = 298.62579 tэ4 = 310.87538 tэ5 = 311.21619
tэ6 = 311.05471 tэ7 = 311.10938 tэ8 = 310.88361 tэ9 = 302.31290 tэ10 = 299.26447
tэ11 = 301.87874 tэ12 = 302.30365 tэ13 = 301.25538 tэ14 = 301.06415 tэ15 = 302.73062
tэ16 = 305.76610 tэ17 = 305.73727 tэ18 = 306.61212 tэ19 = 306.34293 tэ20 = 307.91460
tэ21 = 309.13862 tэ22 = 308.84719 tэ23 = 307.95791
Определяют перегрев воздуха для микросхемы относительно базовой температуры - Qвэ -
Qвэ = Qэ - Qэс,
Для каждой микросхемы получим - Qвэ , К -
Qвэ1 = 4.30879 Qвэ2 = 4.15220 Qвэ3 = 5.14290 Qвэ4 = 5.36025 Qвэ5 = 5.39936
Qвэ6 = 5.20498 Qвэ7 = 5.29254 Qвэ8 = 5.06677 Qвэ9 = 7.66646 Qвэ10 = 4.61803
Qвэ11 = 4.76024 Qвэ12 = 5.19569 Qвэ13 =5.39577 Qвэ14=5.20454 Qвэ15 =6.87100
Qвэ16 =4.63792 Qвэ17 =4.60909 Qвэ18 =5.48394 Qвэ19 =6.48577 Qвэ20 =5.50557
Qвэ21 =6.72959 Qвэ22 =6.43816 Qвэ23 =5.54888
Определяют температуру воздуха для микросхемы - tвэ -
tвэ = to + Qвэ ,
Для каждой микросхемы получим - tэ , К -
tвэ1 = 297.15303 tвэ2 = 297.14122 tвэ3 = 298.43307 tвэ4 = 298.05854 tвэ5 = 298.39936
tвэ6 = 298.20498 tвэ7 = 298.29254 tвэ8 = 298.06677 tвэ9 = 300.66646 tвэ10 = 297.61803
tвэ11 = 297.76024 tвэ12 = 298.19569 tвэ13 = 298.39577 tвэ14 = 298.20454 tвэ15 = 299.87100
tвэ16 = 297.63792 tвэ17 = 297.60909 tвэ18 = 298.48394 tвэ19 = 299.48577 tвэ20 = 298.50557
tвэ21 = 299.72959 tвэ22 = 299.43816 tвэ23 = 298.54888
Рабочий диапазон температур микросхем:
. Согласно технического задания контроллер предназначен для использования в качестве переносного оборудования при температуре 
. Температура корпуса микросхемы (согласно расчета) будет составлять 
, что входит в рабочий диапазон эксплуатации элементов. Принудительное охлаждение не требуется, согласно с графиком рекомендации выбора способа охлаждения.[ 3, Стр. 164 ]Литература
1. Электронные вычислительные машины. Справочник. Под ред. С.А. Майорова, М.: Сов. радио, 1975
2. A.Я.Куземин «конструирование и микроминиатюризация электронно вычислительной аппаратуры». М:Радио и связь. 1985.
3. Технология и автоматизация производства РЭА. Под ред. А.П. Достанко, М.: Радио и связь, 1989
4. Разработка и оформление конструкторской документации РЭА. Справочник. Под ред. Э.Т. Романычевой, М.: Радио и связь, 1984
5. Аппаратура локальных сетей. Под ред. Ю.В. Новикова, М.: Издательство "ЭКОМ", 1998
6. Справочник разработчика и конструктора РЭА. Справочник. Под ред. М.Ю.Масленникова, М.: Издательство "Прибор", 1993
7. В.В. Шерстнев. «Конструирование и микроминитюризация ЭВМ», М.: Радио и связь, 1984
8. А.Я. Савельев, В.А. Овчинников. «Конструирование ЭВМ и систем», М.: Высшая школа, 1989
9. В.В. Павловский, В.И. Васильев, Т.Н. Гутман. «Проектирование технологических процессов изготовления РЭА», Пособие по курсовому проектированию: Учеб. пособие для вузов, М.: Радио и связь, 1982