Полупроводниковые пластины. Методы их получения (стр. 4 из 21)
Ðèñ 4. Çàâèñèìîñòü òîëùèíû x0 îêñèäà îò âðåìåíè îêèñëåíèÿ t ïðè ïîñòîÿííûõ òåìïåðàòóðå è äàâëåíèè ãàçîîáðàçíîãî îêèñëèòåëÿ. çàâèñèìîñòè îò îêèñëèòåëüíîé ñðåäû ðàçëè÷àþò òåðìè÷åñêîå îêèñëåíèå â ñóõîì êèñëîðîäå, â àòìîñôåðå âîäÿíîãî ïàðà è êîìáèíèðîâàííîå. Òåðìè÷åñêîå îêèñëåíèå êðåìíèÿ â ñóõîì êèñëîðîäå õàðàêòåðèçóåòñÿ íàèáîëüøåé ïðîäîëæèòåëüíîñòüþ è áîëåå âûñîêèì êà÷åñòâîì ïëåíêè ïî ñðàâíåíèþ ñ îêèñëåíèåì â àòìîñôåðå âîäÿíîãî ïàðà, î ÷åì ñâèäåòåëüñòâóåò åå âûñîêàÿ ïëîòíîñòü (2.27 ã/ñì3).  ýòîì ñëó÷àå äëÿ ïîëó÷åíèÿ ïëåíêè SiO2 òîëùèíîé 1 ìêì ïðè 1300°Ñ òðåáóåòñÿ 15 ÷. Ïðîöåññ îêèñëåíèÿ êðåìíèÿ â àòìîñôåðå âîäÿíîãî ïàðà ( ãèäðîòåðìàëüíîå îêèñëåíèå) õàðàê- òåðèçóåòñÿ áîëüøèìè ñêîðîñòÿìè ðîñòà è âîçìîæíîñòüþ ïîëó÷åíèÿ òîëñòûõ (2-3 ìêì) ïëåíîê SiO2. Îñíîâíûì íåäîñòàòêîì ïðîöåññà îêèñëåíèÿ â àòìîñôåðå âîäÿíîãî ïàðà ÿâëÿåòñÿ íèçêîå êà÷åñòâî ïîëó÷àåìûõ ïëåíîê è, êàê ñëåäñòâèå, óõóäøåíèå èõ çàùèòíûõ ñâîéñòâ. Íèçêàÿ ïëîòíîñòü ïëåíîê (îêîëî 2 ã/ñì3) ñâÿçàíà ñ èõ ïîðèñòîñòüþ èç-çà íàëè÷èÿ âîäîðîäà è ãèäðîêñèëüíûõ ãðóïï ÎÍ. Ïîýòîìó òåðìè÷åñêèé îêñèä îáû÷íî ñîçäàþò ïðè êîìáèíèðîâàííûõ ðåæèìàõ îêèñëåíèÿ, ÷åðåäóÿ ýòàïû âûðàùèâàíèÿ ïëåíîê â ñóõîì è âëàæíîì êèñëîðîäå. Íàèáîëåå ÷àñòî îêèñëåíèå ïðîâîäÿò â òðè ñòàäèè: â ñóõîì êèñëîðîäå, óâëàæíåííîì -äëÿ óñêîðåíèÿ ïðîöåññà è íàðàùèâàíèÿ äîñòàòî÷íî òîëñòîé ïëåíêè è âíîâü - â ñóõîì. Òåðìè÷åñêîå îêèñëåíèå ñâÿçàíî ñ âîçäåéñòâèåì âûñîêîé òåìïåðàòóðû, ÷òî ïðèâîäèò ê äèôôóçèîííîìó ðàçìûâàíèþ (èçìåíåíèþ ãåîìåòðèè) ôîðìèðóåìîé ñòðóêòóðû ïðèáîðà. Äëÿ ñíèæåíèÿ òåì ïåðàòóðû ïðèìåíÿþò ñïîñîáû îñàæäåíèÿ ïëåíîê SiO2 èç ëåòó÷èõ êðåìíèéîðãàíè÷åñêèõ ñîåäèíåíèé ïðè 700°Ñ, ïðè÷åì îíè óíè âåðñàëüíû ïî÷òè äëÿ âñåõ ïîëóïðîâîäíèêîâ. Áîëüøîå ðàñïðîñòðàíåíèå ïîëó÷èë ñïîñîá ïèðîëèòè÷åñêîãî îñàæäåíèÿ äèîêñèäà êðåìíèÿ ñ èñïîëüçîâàíèåì òåòðàýòîêñèñèëàíà, ïèðîëèç (ò. å. òåðìè÷åñêîå ðàçëîæåíèå) êîòîðîãî ïðîòåêàåò ñîãëàñíî ðåàêöèè