(SiF2)n + 2nH2O ®nSiO2 + 2nHF + nH2
Затем происходит анодное растворение оксида кремния в плавиковой кислоте:
SiO2 + 6HF ® H2SiF6 + 2H2O
Такой процесс называют также электрополировкой.
Для ускорения наименее медленных стадий процессов очистки с целью повышения качества очистки и производительности процессов применяют анодно-механическое травление. В основу анодно-механического травления положено электрохимическое травление, сопровождаемое механическим воздействием. Электролит подается на освещенные мощной лампой (для генерации дырок) пластины, которые предварительно закрепляются на аноде и
соприкасаются с вращающимся катодным диском, содержащим радиальные канавки. При этом скорость электрополировки достигает 400нм/с.
Электролитическое травление применяют как для очистки поверхности пластин, так и для их локальной обработки.
Электрохимическое нанесение пленок
В технологии микроэлектроники для получения пленочных покрытий с различными свойствами наряду с вакуумными применяют электрохимическое осаждение, анодное окисление. В основу метода положены реакции протекающие в водных растворах солей металлов в условиях приложенного электрического поля. В результате взаимодействия продуктов реакции с подложкой образуется пленка.
Электролитическое осаждение – осаждение пленок из водных растворов солей металлов (электролитов) под действием электрического тока, которое осуществляется в специальных электролитических ваннах, заполненных электролитом и содержащих два электрода: анод и катод.
При электроосаждении меди из раствора медного купороса в качестве анода используется медная пластина. С приложением к электродам разности потенциалов происходит разложение электролита на ионы. Под действием электрического тока, протекающего через раствор, находящиеся в растворе ионы металла, двигаясь к аноду, захватывают на нем электроны и, осаждаясь, превращаются в нейтральные атомы. Под действием тока ионы меди, достигая катода, отбирают два электрона, образуя нейтральные атомы, а на аноде атом меди отдает два электрона и переходит в раствор в виде положительного иона. Процесс описывается следующими уравнениями:
накатоде Cu2+ + SO42- + 2e = Cu0¯ + SO42-;
нааноде Cu0 + SO42- = Cu2+ + SO42- + 2e.
Осаждение атомов металла начинается на дефектах структуры подложки, после этого они перемещаются вдоль поверхности к изломам, образуя пленку. Таким образом, пленка
развивается островками, которые разрастаются во всех направлениях, пока не сольются. Если вблизи зародыша концентрация электролита понижена (что имеет место в большинстве случаев), то условия благоприятны для роста пленки по нормали к поверхности.
Свойства осажденных пленок зависят от состава электролита, плотности тока, температуры, интенсивности перемешивания электролита, скорости дрейфа ионов металла, формы и состояния поверхности подложки.
Толщина пленки контролируется по значению тока и времени осаждения:
d = hgIt/gSп;
где h - выход металла по току, g – электрохимический эквивалент, I – ток, протекающий через электролит, t – время, в течение которого осаждается металл, g - плотность пленки, Sп – площадь подложки.
Практически значение тока постоянно, а время осаждения – контролируемый параметр.
Методом электроосаждения получают пленки из различных металлов: меди, никеля, золота, серебра и др.
В тонкопленочной технологии микроэлектроники электроосаждение применяют для изготовления многослойных металлических масок, повышения проводимости внутрисхемных соединений, создания жестких и балочных выводов ИМС, золочения корпусов. Метод электроосаждения широко применяется также для получения тонких магнитных пленок, используемых в качестве элементов памяти.
Анодное окисление – взаимодействие химически активных металлов с ионами кислорода, выделяющимися у анода при электролизе с образованием оксидной пленки. Процесс анодного окисления, или анодирование, имеет много общего с электролитическим осаждением. Аппаратурное оформление этих методов практически одинаково, однако в данном случае пленки образуются на аноде, которым является подложка.
В процессе анодирования происходит электролитическая
реакция соединения кислорода с металлом в приповерхностных слоях подложки. При этом металл анода не растворяется, как в случае электроосаждения, а при взаимодействии с кислородом образует плотно сцепленную с подложкой оксидную пленку. Механизм роста пленки заключается в переносе ионов кислорода через растущий оксидный слой под воздействием электрического поля, возникающего в пленке в случае приложения к электродам напряжения от внешнего источника. Скорость роста оксидной пленки зависит от природы электролита, условий проведения процесса – электрического режима и температуры. Толщина оксидной пленки при анодировании пропорциональна количеству электричества, прошедшего через ванну.
В технологии микроэлектроники путем анодирования получают оксидные пленки из тантала и алюминия. При этом сначала на подложку вакуумным методом наносится пленка исходного металла, которая впоследствии подвергается локальному анодированию. Процесс получения оксидных пленок анодированием состоит из первоначальной формовки при постоянной плотности тока и окончательной формовки при постоянном напряжении. Такое ведение процесса обусловлено тем, что с ростом толщины пленки ее возрастающее сопротивление приводит к снижению силы тока.
Особенностью получения анодированных пленок является их рост в условиях приложенного электрического поля, напряженность которого достигает 107 В/см. Такие пленки харктеризуются высокой электрической прочностью, поэтому их используют в качестве изолирующих и диэлектрических слоев.
Вакуумное нанесение пленок тантала и алюминия с последующим анодированием позволяет создавать высококачественные пленочные конденсаторы и изолирующие слои при многослойной разводке. Основным преимуществом при этом является получение различных пленочных структур из одинаковых исходных материалов.
В технологии микроэлектроники анодирование используют также для получения необходимого значения сопротивления пленочных танталовых резисторов путем превращения верхнего проводящего слоя тантала в непроводящий оксид тантала.
Изготовление печатных плат электрохимическим методом.
Назначение печатных плат и способы их изготовления.
Непрерывное развитие всех отраслей приборостроения обусловило значительное расширение области применения электролитических и химических покрытий. Детали из пластмасс с металлическими покрытиями широко используются в радиотехнической промышленности и других областях народного хозяйства. Особо большое значение процессы металлизации полимерных материалов приобрели в производстве печатных плат.
Печатная плата представляет собой плоское изоляционное основание, на одной или на обеих сторонах которого расположены токопроводящие полоски металла (проводники) в соответствии с заданной электрической схемой. Для монтажа на плату радиоэлементов служат отверстия в плате, которые в зависимости от назначения могут быть металлизированы. Металлизированные монтажные отверстия служат также для электрического соединения проводников, расположенных на обеих сторонах платы.
К печатным платам предъявляют ряд существенно важных требований по величине сопротивления изоляции диэлектрических материалов, по точности расположения монтажных отверстий и проводников и т.д. Одним из главных требований, предъявляемых к платам, является достаточная прочность слоя металлизации в отверстиях из диэлектрического материала, а также обеспечение способности к пайке поверхности металлического слоя, что достигается соответствующим выбором гальванического покрытия и технологией металлизации. Поэтому в производстве печатных плат особое внимание уделяется правильному выполнению операций химико-электролитической металлизации диэлектрических материалов и качеству металлических покрытий на проводниках и в отверстиях. Изготовление печатных плат может осуществляться различными способами: вытравливания, электрохими-ческого или химического осаждения, комбинированным.
При электрохимическом (химическом) способе изготовления печатной платы исходным материалом служит нефольгированный диэлектрик, в котором предварительно сверлятся отверстия в соответствии с заданной монтажной схемой. Защитный рисунок схемы наносят таким образом, чтобы открытыми оставались те участки, включая отверстия, которые подлежат металлизации для образования проводников
и контактных площадок. Создание проводниковых слоев осуществляется вначале методом химического осаждения меди, а затем электролитического осаждения меди или других металлов для получения слоя толщиной 35 – 50 мкм.
Гальваническое меднение
Гальваническое меднение является важнейших операций технологического производства плат. Гальваническим осаждением меди создается необходимый по толщине слой металла в отверстиях и на проводниках печатной. Качество медного слоя, его распределение по толщине определяют качество металлизации и экономические показатели производства. Минимальная толщина слоя меди в отверстиях определена в 25 мкм. При малых толщинах меди металлизированные отверстия получаются механически непрочными и после нескольких перепаек деталей легко разрушаются. Кроме того, при малой толщине слой меди бывает очень пористым, в результате чего в процессе пайки через поры проникают газообразные продукты из диэлектрика и водяные пары, что влечет за собой плохую смачиваемость припоя и недоброкачественную пайку выводов радиодеталей в отверстиях. Характерной особенностью меднения печатных плат является наличие большого количества отверстий, подвергаемых металлизации, поэтому электролиты меднения должны обладать хорошей рассеивающей способностью и в тоже время допускать применение повышенной плотности тока в цепях интенсификации процессов.