Контроллер зарядного устройства (стр. 2 из 4)
3.2 Излучатель звука BF1 HCM1212A
Основные характеристики излучателя звука BF1 HCM1212A приведены в таблице 3.1, сам элемент изображен на рисунке 3.1.
Таблица 3 - Основные характеристики излучателя звука BF1 HCM1212A.
| Название характеристики | Параметры характеристики |
| Тип: | электромагнитный |
| Встроенный генератор: | нет |
| Частота, Гц: | 2400 |
| Номинальное рабочее напряжение, В: | 12 |
| Максимальный ток ,мА: | 40 |
| Сопротивление катушки, Ом,: | 140 |
| Интенсивность звука, дБ: | 85 |
| Толщина корпуса h, мм: | 9 |
| Диаметр (ширина) корпуса d, мм: | 12 |
| Рабочая температура, °С: | -40...+85 |
Рисунок 3.1 - Излучатель звука BF1 HCM1212A.
3.3 Компаратор LM393N
Основные характеристики компаратора LM393N приведены в таблице 3.2, сам элемент изображен на рисунке 3.2.
Таблица 3.2 - Основные характеристики компаратора LM393N.
| Название характеристики | Параметры характеристики |
| Число компараторов: | 2 |
| Корпус: | PDIP8 |
Рисунок 3.2 - Компаратор LM393N.
3.4 Регулятор напряжения линейный LM317LZ.
Основные характеристики линейного регулятора напряжения LM317LZ приведены в таблице 3.3, сам элемент изображен на рисунке 3.3.
Таблица 3.3 - Основные характеристики линейного регулятора напряжения LM317LZ.
| Название характеристики | Параметры характеристики |
| Корпус: | TO92 |
| Мин. входное напряжение: | 5 |
| Макс. входное напряжение: | 45 |
| Выходное напряжение: | 1.2 ... 37 |
| Номинальный выходной ток: | 1,5 |
| Ток потребления: | 10000 |
Рисунок 3.3 - Линейный регулятор напряжения LM317LZ.
3.5 Диоды VD1, VD2, HL1, HL2, HL3.
Основные характеристики диодовVD2, VD1, HL1, HL2, HL3 приведены в таблице 3.4, элементы HL1, HL2, HL3 изображены на рисунке 3.4.
Таблица 3.4 - Основные характеристики диодовVD1, HL1, HL2, HL3.
| Название характеристики | Параметры характеристики | ||
| VD2 | VD1 | HL1, HL2, HL3 | |
| Тип: | Стабилитрон | Стабилитрон | Светодиод |
| Модель: | КД212А | КД522Б9 | АЛ307А |
| Корпус: | kd16 | SMD | КИ2-2 |
| Рабочая температура, °С : | -60...+125 | -60...+70 | |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В: | 200 | 50 | - |
| Максимальное импульсное обратное напряжение ,В: | 200 | 75 | 2 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток, А: | 1 | 0,1 | 0,22 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток, А: | 50 | 1,5 | 0,1 |
| Максимальный обратный ток, мкА: | 50 | 1 | - |
| Максимальное прямое напряжение, В: | 1 | 1,1 | 2 |
| Максимальное время восстановления ,мкс: | 300 | 4 | 2 |
| Общая емкость, Сд.пФ: | 60 | 3 | - |
| Цвет свечения: | - | - | Красный |
| Длина волны, нм: | - | - | 650-675 |
| Минимальная сила света Iv мин., мКд: | - | - | 0,15 |
| Цвет линзы: | - | - | Красный матовый |
| Рабочая частота, кГц: | 100 | - | - |
| Форма линзы: | - | - | Круглая |
| Видимый телесный угол, град: | - | - | 20 |
Рисунок 3.4 – Светодиоды HL1, HL2, HL3.
3.6 Транзисторы.
Основные характеристики транзисторовVD1, HL1, HL2, HL3 приведены в таблице 3.5, сами элементы изображены на рисунке 3.5.
Таблица 3.5 - Основные характеристики транзисторовVT1…..VT23.
| Название характеристики | Параметры характеристики | ||||
| VТ1... VТ8, VТ15, VТ19...VТ21 | VТ22... VТ23 | VТ16, VТ18 | VТ9... VТ10 | VТ17 | |
| Тип: | Транзисторы биполярные | Транзисторы биполярные | Транзисторы полевые | Транзисторы биполярные | Транзисторы биполярные |
| Модель: | КТ315Г | КТ972Б | КП501А | КТ209К | КТ3102ЕМ |
| Корпус: | KT-13 | KT-27-2 | TO-92 | KT-26 | KT-26 |
| Структура: | NPN | NPN | N-FET | PNP | NPN |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: | - | - | 240 | - | - |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., В: | - | - | 1 | - | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс., Вт: | 0,15 | 8 | 0,5 | 0,2 | 0,25 |
| Крутизна характеристики S, мА/В: | - | - | 100 | - | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц: | 250,00 | 200,00 | - | 5,00 | 300,00 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин: | 50 | 750 | - | 80 | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А): | 0,1 | 4 | - | 0,3 | 0,1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. В цепи б-э.(Uкэr макс), В: | 35 | 45 | - | 45 | 20 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: | 35 | - | - | 45 | 20 |
| Название характеристики | Параметры характеристики |
| Модель: | С516RD |
| Тип: | с общим анодом |
| Макс. прямое напряж. (при токе 20 мА), В: | 2,5 |
| Макс. прямой ток, мА | 25...30 |
| Макс. обратное напряжение, В: | 5 |
| Обратный ток (при напряжении 5 В), мкА: | 10 |
| Мощность рассеивания, мВт: | 150 |
| Макс. импульсный прямой ток, мА: | 140...160 |
| Диапазон рабочих температур, °С: | -40…+85 |
Рисунок 3.6 - Семисегментный индикатор.
3.8 Резисторы
В схеме используются R15 подстроечный резистор марки СП5-2 сопротивлением 680 Ом; остальные резисторы постоянные, номинальной мощностью 0,25 Вт марки С1-4 с точность 5%, кроме резисторов R13 и R16 с точностью 1%. R1 = 180 кОм; R2 = 12 кОм; R3... R10 = 51 Ом; R11 = 100 кОм; R12, R21... R25 = 1 кОм; R13, R16 = 10 кОм; R14 = 2,2 кОм; R17, R26... R28 = 220 Ом; R18 = 75 Ом; R19 = 2,7 кОм; R20 = 5,6 кОм;
3.9 Конденсаторы
В схеме используются: С5 подстроечный конденсатор CTC-038-30RSM, изображенный на рисунке 3.7, с минимальной ёмкостью 4 пФ и максимально – 30пФ, добротностью менее 200; конденсаторы С1, С11, С6, С7 типа К50-35 (см. рисунок 3.8) соответственно ёмкостью 47 мкФ, 10 мкФ, 10 мкФ, 10 мкФ и рабочи-ми напряжениями 6,3 В, 25 В, 16 В, 16 В и допуском номинальной емкости 20%; конденсаторы С2, С3, С4, С9, С10, С12...С19 типа К10-17 (см. рисунок 3.9) с допуском номинальной емкости 5%, соответственно ёмкостью 33Ф, 33Ф, 5,1Ф, 1,2 мкФ, остальные 0,1 мкФ, температурный коэффициент емкости М47;
Рисунок 3.7 - С5 подстроечный конденсатор CTC-038-30RSM.
Рисунок 3.8 - Конденсаторы С1, С6, С7 типа К50-35.
Рисунок 3.9 – Конденсаторы С2, С3, С4, С9, С10, С12...С19 типа К10-17.
3.10 Микроконтроллер AT89C52-24PI.
На рисунке 3.10 изображен Микроконтроллер AT89C52-24PI.
Рисунок 3.10 - Микроконтроллер AT89C52-24PI.
AT89C52-24PI - малопотребляющий, высокоэффективный 8-битовый микроконтроллер CMOS с 8 килобайтами, программируемой и стираемой памятью (PEROM). Устройство изготовлено, используя технологию компании Atmel энергонезависимой памяти высокой плотности и совместимо со стандартом промышленности 80C51 и 80C52 набора команд. На чипе энергонезависимой память позволяет памяти микросхемы быть повторно запрограммированной в сис-теме или обычным энергонезависимым программатором памяти. Комбинируя универсальный 8-битовый центральный процессор со энергонезависимой памятью на монолитном чипе, AT89C52 - мощный микроконтроллер, который обеспечивает очень гибкое и эффективное в затратах решение многих вложенных заявлений контроля.
На рисунке 3.11 указаны выводы микроконтроллера. Более подробное устройство микроконтроллера приведено ниже (см. рисунок 3.12).
Рисунок 3.11 – Выводы микроконтроллера AT89C52-24PI.