Смекни!
smekni.com

Методические указания к курсовой работе «разработка математических моделей электронных схем в различных режимах их работы» (стр. 4 из 18)

На основе уравнений (20)-(21) может быть составлена ММС в форме нормальных обыкновенных дифференциальных уравнений (в ви­де уравнений переменных состояния [1,2,4,5].


Выберем дерево графа cxeмы так, чтобы в ветви дерева вошли источники напряжения, емкости и нужное количество резисторов, а в хорды - источники тока, индуктивности (если имеются) и оставшиеся резисторы. Это всегда можно сделать, если ветви схемы не образуют топологических вырождений. (например, контуров из емкост­ных ветвей и источников ЭДС или сечений, образованных индуктивны­ми ветвями и источниками тока). Иначе необходимо устранение вы­рождения [5]. На рис.5 показано дерево и сечения на графе схемы ТРУ.

Рис.5

Соответствующая матрица сечений П для схемы

Сечения

ветви

E Uвх С1 С2 С3 С4 Сэ Ск R3 R1 R2 RБ R4 R5 R6 R7 Iд Iк Iдэ Iдк

7

1 1 1

1

1 -1

2

1 -1

5

1 1 -1 1 -1

|П|=

8

1 -1

9

1 1 1

4

1 -1 1 1 -1 1

6

1 1 1 1 -1

3

1 1 -1 -1

Емкостной контур (С2®Сэ®Ск®С3®С4) разорван включе­нием небольшого R7. Матрица |П| разбивается на ряд характерных субматриц

1

pERX

pEI

pCRX

pCI

pCHIH

pCHIД

pRBRX

pRBI

pRX=

pERX

pRX=

pEI
pCRX pCI
pRBRX pRBI

Подставим компонентные уравнения (11) в (20)-(21), в результате получим

С•d(Uc)/dt=pCRX•GХuRX+pCIH+IH(uH)+pCIДaIH(22)

iEB=pEBRX•GХuRX+pEBIIXü

ý (23)

iRB=pRBRX•GХ•uRX+pRBI•IXþ

uRX ptRX

EB

EB=|E, uBX|t uRB=uR3(24) IX=|IH, IД|t
=

uC

uIX ptIX

uRB

uRB=RBiRB

В этих уравнениях

C1 1/R1
C2 1/R2
C= Cэ¦(uЭБ) , GX=1/RX= 1/RБ
Cэ¦(uКБ)

СН 1/R7
RB=R3,

IH=

IЭ(uЭБ) IК(uКБ)

IД=a•IH=

aN aI IЭ IК

Подстановка уравнения (24) в (22) приводит поcледнее к виду (25)

-1

EB

EB

С•d(Uc)/dt= С

(pCRX•GХptRX

uC

+pCIH•IH•(ptIX

uC

)+pCIДa•IH )

uRB

uRB

Соотношения (25), (23) и (24) - ММС в форме уравнений переменных состояния, назовем ее ММС-ДР2. (Математическая модель схемы - динамический режим 1).

В сокращенном виде эти соотношения запишутся в виде

Xд=¦д( Xд, Xл, ЕВ), Xд=| Xлд, Xнд|t, Xл=¦л( Xд, Xл, ЕВ) (26)

Второе уравнение можно представить и в форме:

|А|•X=¦д( Xд, ЕВ)

Если подставить в (23)-(25) значения топологических субматриц pIJ и параметров ветвей C1,C2,...,R1,R2,.., a и т.п., то получим математическую модель ТРУ для динамического режима при большом воздействующем сигнале.

Сравнение ММС-ДР1 и ММС-ДР2 показывает, что прежде всего они отличаются видом математических уравнений (в первом случае - неявная форма алгебро-дифференциальных нелинейных уравнений, во вто­ром случае производные, переменных дифференциальных уравнений вы­ражены явно) и числом независимых переменных (в первом случае - это j, во втором - |uС, uRX, uIX |t- При необходимости получе­ния напряжений и токов всех ветвей в ММС-ДР1 приходится иметь дело с (2•l+q) уравнениями (14), (13) и (11), в ММС-ДР2 с n£ 2•l уравнениями.

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ЭЛЕКТРОННОЙ СХЕМЫ В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ

Схема находится в статическом режиме, если на нее воздейству­ют постоянные во времени сигналы, т.е. при t=to (или равном ну­лю)

uвх(to)=Е=const.

При этом токи в емкостях (напря­жения на индуктивностях) равны нулю, что соответствует duC /dt =0 и diL /dt=0 или отсутствию изменений токов и напряжений в схеме. Подставляя эти условия в соотношения (9), (14), (25) полу­чим соответствующие математические модели для статического режи­ма - ММС ТРУ: ММС-Cтl, ММС-Ст2.

Математическая модель ТРУ для статического режима будет иметь вид (9) без членов с производными и при uвх=Е.

Уравнение (6) остается без изменений и позволяет определить напряжения на всех ветвях (включая емкостные) в статике после на­хождения из (27) j и подстановки в (6). Необходимые токи ветвей, как и в динамике, можно найти из уравнений (2), (3).

Модель ММС-Ст1 на основе ММС-ДР1 (см. соотношения (14), (13), (11)) запишется как