Смекни!
smekni.com

Методические указания к курсовой работе «разработка математических моделей электронных схем в различных режимах их работы» (стр. 12 из 18)

m n

где M N

Imnсл =jSS (rw1+sw2) •C•Ursc w-r-s (119)

r s

линейная проводимость

M N

iG(t)=(1/4)S SGUmnG w-m-n (120)

m n

С учетом всех пред идущих выводов в матричной форме получим систему в области комплексных амплитуд используя одномерное преобразование Фурье

M N M N M N

(|Асн|/4)SS Imnсн +(|Ас|/4)SSImnс+(|Ас|/4)SSImnн+

m n m n m n

M N M N M N

+(|АR|/4)S SG|Ас|tUmn= (1/4)SSImnвx1+(1/4)SSImnвx2 (121)

m n m n m n

где

2p 2p

óó M N

Imncн=(jw1/4p2)•ôôС (|Асн|/4)[SSUmn•w-m-n]•wmn

õõ m n

0 0

MN

[SS(r+sw2/w1)|Асн|tUrs•wrs]•dt1•dt2

r s

MN

Incл=jSS(rw1+sw2)С|Асн|tUrs (122)

r s

2p2p

óó M N

Inн=(1/p2)•ô ôiн[SS|Асн|tUmn•w--m-n]•wmn •dt1•dt2 (101)

õõ m n

0 0

ПРИМЕР МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ЭЛЕКТРОННОЙ СХЕМЫ В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ ПРИ ДВУХ БОЛЬШИХ СИГНАЛАХ. ЧАСТОТНАЯ ОБЛАСТЬ.


Электронная схема для математической модели динамического режима в частотной области для двух больших сигналов представлена на рисунке 13

Рис. 13

Пусть входное воздействие на схему (рис.13) будет иметь постоянную и две переменные составляющие гармонически не связанные:

uвх(t) = u01+u1м•sin(w1•t)+u2м•sin(w2•t) (123)

Тогда система уравнений описывающая данную схему будет иметь вид:

uД(t) + uR(t) = u1вх(t)+u2вх(t)

iД(t) + iС(t) -- iR(t) =0

iС(t)=C•duД(t)/dt (124)

iR(t)=GRuR(t)

iД(t)=Io•(eu(t) / jт --1)

Перейдем от уравнений (124) во временной области к уравнениям в частотной области (U, I -комплексные величины).

Гармоники входного воздействия:

2p 2p

óó

uвх(t) Û Umn=1/(4p2)•ôôuвх(t)•е-j•(m•t1+n•t2)•dt1•dt2 (125)

õõ

0 0 где t1=w1•t, t2=w2•t

Получим U00 ÛUo, U01 ÛU2, U12 Û0,U10 ÛU1, U02 Û 0, U21 Û0

U20 Û 0 …….. ………

Гармоники тока через диод:

2p 2p

óó æ 0.5jтSSUкДеj(mt1+ nt2) ö

iД(t)ÛImnД=1/(4p2)•ôôIоç е m n --1÷е-j(mt1+nt2)•dt1•dt2

õõ è ø

0 0 где t1=w1•t, t2=w2•t (126)

Ток через емкость для к-ой гармоники:

(линейная емкость) iС(t) Û ImnС= j•(m•w1+n•w1)•C•UmnД (127)

Ток через резистор для к-ой гармоники:

iR(t) Û ImnR= GRUmnR (128)

Система уравнений (124) относительно комплексных амплитуд при m=0,1,2,3,…. и n=0,1,2,3,…. имеет вид:

UmnД +UmnR--UmnВХ=0 Þ F1(I), I=1,2,3,….

ImnД +ImnC -ImnR=0 Þ F2(I) (129)

С учетом (125)-(128) уравнения (129) запишутся

UmnД +UmnR--UmnВХ= F1(I)

ImnД +j•(m•w+n•w)•C•UmnД-GRUmnR=F2(I) (130)

___Ú___

FIД {UmnД} или

I00д(SUmnД) 0•С•U00Д U00R F1
I01д(SUmnД) j•(0+w2)•С•U01Д U01R F2
I02д(SUmnД) j•(0+2w2)•С•U02Д U02R F3
I10д(SUmnД) j•(w1+0)•С•U10Д U10R F4
I11д(SUmnД) + j•(w1+w2)•С•U11Д - | GR|• U11R = F5 (131)
………….. ………………….. …… ….
I21д(SUmnД) j•(2w1+1w2)•С•U21Д U21R F8
I22д(SUmnД) j•(2w1+2w2)•С•U22Д U22R F9
………….. ………………….. …… ….
………….. ………………….. …… ….

МЕТОДЫ И АЛГОРИТМЫ АНАЛИЗА ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

Наибольшее распространение при анализе чувствительности наш­ли метод приращений, методы, основанные на решении уравнений чув­ствительности - моделей чувствительности, метод присоединенных схем [1,4,5] .

В методах моделей чувствительности вид уравнении чувствитель­ности определяется уравнениями схемы относительно множества качественных. показателей или характеристик и методом анализа чув­ствительности (например, в методах сопряженных систем и вариа­ционном [1,5] формируется специальная сопряженная система).

Например, чувствительность коэффициентов передачи по напря­жению по параметрам d в частотной области для схемы ТРУ ((69)-(70)), определится из соотношения

SKd=(d/K)•(K/d)=[d/(K•Uвх)]•( j/ d)=

=[d/(K•Uвх)]•|Y-1|•[(Y/d)•j + (I/d)] (132)

Как видим, вычисление вектора чувствительноcтей связано с решением системы линейных уравнений с той же матрицей схемы |Y| и новой правой частью, в которой присутствуют производные Y/d и I/d. Расчет чувствительности линейных схем во временной об­ласти (см. 49) сводится к численному интегрированию дополни­тельной системы уравнений

Y=АY +(А/d)x +(B/d)U(t) (133)

где Y=x /d, Y=Y / t

и вычислению

Sxd=(d/x )•Y

Подобным образом можно получить соотношения для анализа чувствительности электронных схем в статическом и нелинейном динамическом режимах. Относительное отклонение качественных показа­телей связано с чувствительностью следующим образом