1.2.1 Компетенции в области научно-исследовательской деятельности
- Выпускник способен строить простейшие физические и математические модели приборов, схем, устройств и установок физической электроники различного функционального назначения, а также использовать стандартные программные средства их компьютерного моделирования.
- Выпускник способен аргументировано выбирать и реализовывать на практике эффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристик приборов, схем, устройств и установок физической электроники различного функционального назначения.
- Выпускник готов анализировать и систематизировать результаты исследований, готовить и представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций.
1.2.2 Компетенции в области производственно-технологической деятельности
- Выпускник способен выполнять работы по технологической подготовке производства материалов и изделий электронной техники.
- Выпускник готов организовывать метрологическое обеспечение производства материалов и изделий электронной техники.
- Выпускник способен осуществлять контроль соблюдения экологической безопасности.
1.2.3 Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности
- Выпускник способен проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов.
- Выпускник готов выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования.
- Выпускник способен разрабатывать проектную и техническую документацию, оформлять законченные проектно-конструкторские работы.
- Выпускник готов осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам.
1.2.4 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности
- Выпускник готов участвовать в разработке организационно-технической документации (графиков работ, инструкций, планов, смет и т.п.) и установленной отчетности по утвержденным формам.
- Выпускник умеет выполнять задания в области сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов.
- Выпускник владеет методами профилактики производственного травматизма, профессиональных заболеваний, предотвращения экологических нарушений.
1.2.5 Компетенции в области научно-инновационной деятельности
- Выпускник умеет внедрять результаты исследований и разработок и организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности
1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 «Физика твердого тела»
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 5 зач. ед. (136 часов)
1 Цели и задачи изучения дисциплины
Целью дисциплины является обеспечение фундаментальных знаний и навыков в области физики твёрдого тела и физики полупроводников.
2. Место дисциплины в рабочем учебном плане
Дисциплина Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физическая электроника» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика» и параллельно читаемые курсы «Квантовая механика», «Методы математической физики». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.05 «Диагностика поверхности материалов электроники», Б3.В.06 «Квантовая электроника» и Б3.В.07 «Специальные вопросы микро- и нанотехнологии», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.
| № | Разделы дисциплины по РПД | Объем занятий, час | ||
| Л | ПЗ | СР | ||
| 1 | Структура и симметрия идеальных и реальных кристаллов | 10 | 5 | 5 |
| 2 | Основные типы дефектов кристаллической структуры | 10 | 5 | 5 |
| 3 | Дифракция в кристаллах и обратная решетка | 6 | 4 | 6 |
| 4 | Упругие колебания в кристаллах, оптические и акустические фононы | 6 | 2 | 4 |
| 5 | Тепловые свойства кристаллов | 6 | 3 | 2 |
| 6 | Модель свободных электронов | 6 | 3 | 2 |
| 7 | Основы зонной теории, классификация твердых тел | 8 | 4 | 2 |
| 8 | Статистика электронов | 6 | 4 | 4 |
| 9 | Диэлектрические и магнитные свойства, ферромагнетизм; сегнетоэлектрики. | 6 | 2 | 3 |
| 10 | Оптические свойства; | 6 | 3 | 3 |
| 11 | Сверхпроводимость | 6 | 3 | 3 |
| 12 | Собственная и примесная проводимость полупроводников; основные полупроводниковые материалы | 4 | 2 | 2 |
| 13 | Некристаллические полупроводники | 6 | 3 | 2 |
| 14 | Диффузия и дрейф носителей | 6 | 3 | 3 |
| 15 | Генерация и рекомбинация | 6 | 3 | 5 |
| 16 | Контактные явления | 6 | 3 | 7 |
| 17 | Электронно-дырочный переход; гетеропереходы | 6 | 3 | 6 |
| 18 | Поверхностные электронные состояния; эффект поля | 6 | 3 | 7 |
| 19 | Фотоэлектрические и акустоэлектронные явления | 6 | 3 | 5 |
| 20 | Оптика полупроводников | 6 | 3 | 5 |
| 21 | Сильно легированные полупроводники | 6 | 3 | 3 |
| 22 | Квантово-размерные структуры | 6 | 3 | 3 |
| Общая трудоемкость 297 час. | 140 | 70 | 87 | |
В результате изучения дисциплины студенты должны:
Знать:
- основы физики твёрдого тела и физики полупроводников;
- физическую сущности процессов, протекающих в проводящих, полупроводниковых, диэлектрических, магнитных материалах и в структурах, созданных на основе этих материалов, в том числе и при воздействии внешних полей и изменении температуры.