Таблица 1.5
| Компетенции в области проектно-конструкторской деятельности по ФГОС ВПО | |
| Коды компетенций | Дополнительные требования к профессиональным компетенциям |
| (ДПК-10) | Выпускник способен проводить предварительное технико-экономическое обоснование проектов |
| (ДПК-11) | Выпускник готов выполнять расчет и проектирование электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с техническим заданием с использованием средств автоматизации проектирования |
| (ДПК-12) | Выпускник способен разрабатывать проектную и техническую документацию, оформлять законченные проектно-конструкторские работы |
| (ДПК-13) | Выпускник готов осуществлять контроль соответствия разрабатываемых проектов и технической документации стандартам, техническим условиям и другим нормативным документам |
1.2.7 Компетенции в области организационно-управленческой деятельности
Таблица 1.6
| Компетенции в области организационно-управленческой деятельности по ФГОС ВПО | |
| Коды компетенций | Дополнительные требования к профессиональным компетенциям |
| (ДПК-14) | Выпускник готов участвовать в разработке организационно-технической документации (графиков работ, инструкций, планов, смет и т.п.) и установленной отчетности по утвержденным формам |
| (ДПК-15) | Выпускник умеет выполнять задания в области сертификации технических средств, систем, процессов, оборудования и материалов |
| (ДПК-16) | Выпускник владеет методами профилактики производственного травматизма, профессиональных заболеваний, предотвращения экологических нарушений |
1.2.8 Компетенции в области научно-педагогической деятельности
Таблица 1.7
| Компетенции в области научно-педагогической деятельности по ФГОС ВПО | |
| Коды компетенций | Дополнительные требования к профессиональным компетенциям |
1.2.9 Компетенции в области научно-инновационной деятельности
Таблица 1.8
| Компетенции в области научно-инновационной деятельности по ФГОС ВПО | |
| Коды компетенций | Дополнительные требования к профессиональным компетенциям |
| (ДПК-17) | Выпускник умеет внедрять результаты исследований и разработок и организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности |
1.3 Аннотации примерных программ учебных дисциплин вариативной части профессионального цикла профиля
1.3.01 Дисциплина Б3.В.01 Микросхемотехника
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 5 зач. ед. (136 часов)
1. Цели изучения дисциплины
Главная цель данного курса - ознакомить студентов с современными микроэлектронными устройствами, подготовить их к самостоятельному проектированию электронных схем, необходимых в научно-исследовательской работе, к дальнейшему углублению и расширению научно-технического образования с помощью специальной литературы.
2. Место дисциплины в учебном плане
Дисциплина Б3.В.01 «Микросхемотехника» изучается в четвертом семестре и опирается на знания, приобретенные при изучении предшествующих дисциплин: Б2.Б.03 «Физика», Б2.Б.01 «Математика», Б3.Б.07.02 «Электронные приборы». Б3.Б.07.03 «Радиотехнические цепи и сигналы». Полученные знания и навыки закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих дисциплин: Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника», Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», Б3.Б.08. «Метрология и физико-технические измерения» а также в процессе самостоятельной научно-исследовательской работы студентов (Б3.В.10).
В результате изучения дисциплины студенты должны знать основные свойства и методы анализа и расчета линейных и нелинейных электрических цепей, основы схемотехники и микросхемотехники, способы построения и принцип действия электронных устройств.
3. Основные дидактические единицы (разделы)
| Разделы программы | Лекции | Практич. занятия | Самост. работа | ||
| 1. Введение | 4 | 2 | 2 | ||
| 2. Транзисторы и схемы на их основе | 6 | 6 | |||
| 3. Основы цифровой схемотехники | 5 | 2 | 10 | ||
| 4. Последовательностные схемы | 8 | 4 | 10 | ||
| 5. Микросхемы памяти | 4 | 4 | 4 | ||
| 6. Программируемые микросхемы. | 6 | 2 | 10 | ||
| 7. Синтезируемые элементы аналоговой схемотехники | 12 | 1 | 16 | ||
| 8. Аналого-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи | 6 | 2 | 10 | ||
| Итого В том числе с элементами НИРС – 34 часа | 51 | 17 | 68 | ||
| Трудоемкость дисциплины | 136 | ||||
В результате изучения дисциплины студенты должны:
знать:
- активные и пассивные элементы полупроводниковых микросхем;
- физическую структуру, топологию и электрические параметры элементов;
- основные параметры и характеристики ИС;
- основы цифровой схемотехники
уметь:
- использовать полученные знания в своей учебной и профессиональной деятельности;
владеть:
- навыками построения различных устройств на основе цифровых и аналоговых микросхем, в том числе с использованием современного программного обеспечения;
иметь представление
- о роли микросхемотехники в современной науке, технике и технологии;
- об истории ее возникновения, развития и выдающихся ученых;
- о возможных применениях в различных областях науки и о прогнозировании научно-технического прогресса.
4. Объем дисциплины по видам учебной работы и формы контроля
| Виды занятий и формы контроля | Объем по семестрам |
| Лекции, ч/нед | 3 |
| Практические занятия, ч.нед | 1 |
| Самостоятельные занятия, ч/нед | 4 |
| Экзамены, шт/сем | 1 |
Общая трудоемкость дисциплины составляет 136 часов.
1.3.02 Дисциплина Б3.В.02 Физика твердого тела и полупроводников
Общая трудоёмкость изучения дисциплины составляет 8 зач. ед. (297 часов)
1 Цели и задачи изучения дисциплины
Целью дисциплины является обеспечение фундаментальных знаний и навыков в области физики твёрдого тела и физики полупроводников.
2. Место дисциплины в рабочем учебном плане
Дисциплина Б3.В.02 «Физика твердого тела и полупроводников» является дисциплиной вариативной части профессионального цикла ФГОС ВПО по профилю «Физика и техника полупроводников» направления подготовки бакалавров «Техническая физика» и изучается в двух семестрах. Дисциплина опирается на знания, полученные при изучении предшествующих курсов «Физика», «Математика» и параллельно читаемые курсы «Квантовая механика», «Методы математической физики». Знания, умения и навыки, приобретенные в результате изучения дисциплины, закрепляются и углубляются в ходе изучения последующих специальных дисциплин Б3.В.05 «Квантово-размерные системы», Б3.В.06 «Квантовая и оптическая электроника» и Б3.В.07 «Микро- и оптоэлектроника», а также необходимы для самостоятельной научно-исследовательской работы, для подготовки выпускной работы, для быстрой адаптации в первичной должности выпускника, работающего в области современных наукоемких технологий, и для его дальнейшего профессионального роста.
| № | Разделы дисциплины по РПД | Объем занятий, час | ||
| Л | ПЗ | СР | ||
| 1 | Структура и симметрия идеальных и реальных кристаллов | 10 | 5 | 5 |
| 2 | Основные типы дефектов кристаллической структуры | 10 | 5 | 5 |
| 3 | Дифракция в кристаллах и обратная решетка | 6 | 4 | 6 |
| 4 | Упругие колебания в кристаллах, оптические и акустические фононы | 6 | 2 | 4 |
| 5 | Тепловые свойства кристаллов | 6 | 3 | 2 |
| 6 | Модель свободных электронов | 6 | 3 | 2 |
| 7 | Основы зонной теории, классификация твердых тел | 8 | 4 | 2 |
| 8 | Статистика электронов | 6 | 4 | 4 |
| 9 | Диэлектрические и магнитные свойства, ферромагнетизм; сегнетоэлектрики. | 6 | 2 | 3 |
| 10 | Оптические свойства; | 6 | 3 | 3 |
| 11 | Сверхпроводимость | 6 | 3 | 3 |
| 12 | Собственная и примесная проводимость полупроводников; основные полупроводниковые материалы | 4 | 2 | 2 |
| 13 | Некристаллические полупроводники | 8 | 4 | 2 |
| 14 | Диффузия и дрейф носителей | 8 | 3 | 3 |
| 15 | Генерация и рекомбинация | 6 | 3 | 5 |
| 16 | Контактные явления | 6 | 3 | 7 |
| 17 | Электронно-дырочный переход; гетеропереходы | 8 | 4 | 6 |
| 18 | Поверхностные электронные состояния; эффект поля | 6 | 3 | 7 |
| 19 | Фотоэлектрические и акустоэлектронные явления | 6 | 4 | 5 |
| 20 | Оптика полупроводников | 6 | 3 | 5 |
| 21 | Сильно легированные полупроводники | 6 | 3 | 3 |
| Общая трудоемкость 297 час. | 140 | 70 | 87 | |
В результате изучения дисциплины студенты должны: