Оценим необходимость в эмиттерном повторителе между оконечным каскадом и нагрузкой, выражением
Нетрудно заметить, что неравенство верно, а, следовательно, согласовывающий каскад можно не ставить.
- Источник питания на 9 В;
- Верхняя граница температурного диапазона
- Нижняя граница температурного диапазона
- Входной сигнал не более 5 мВ.
- Остальные характеристики соответствуют ТЗ.
Видеоусилитель. Принципиальная схема.
| Поз. Обозначение | Наименование | Кол. | Примечание |
| Конденсаторы | |||
| ТУ | |||
| C1, C5, C9, | К10-17Б-Н50-0,1мкФ ±5% | 5 | |
| C13, C17 | |||
| C2, C6, | К50-29-25В-10мкФ-В ±5% | 4 | |
| C10, C14 | |||
| C3, C7, | К10-17Б-Н47-100пФ-В ±5% | 4 | |
| C11, C15 | |||
| C4, C8, | К50-29-16В-47мкФ-В ±5% | 4 | |
| C12, C16 | |||
| C18 | К50-29-16В-22мкФ-В ±5% | 1 | |
| C19 | К10-17Б-Н1500-220пФ ±5% | 1 | |
| C20 | К50-29-16В-47мкФ-В ±5% | 1 | |
| C21 | К10-17Б-Н50-0,1мкФ ±5% | 1 | |
|
| |||
|
| |||
| Резисторы | |||
| ТУ | |||
| R1, R7, | С2-23-0,062-750 Ом ±5% | 4 | |
| R13, R19 | |||
| R2, R8, | С2-23-0,062-13 кОм ±5% | 4 | |
| R14, R20 | |||
| R3, R9, | С2-33-0,125-1,2 Ом ±5% | 4 | |
| R15, R21 | |||
| R4, R10, | С2-33-0,125-51 Ом ±5% | 4 | |
| R16, R22 | |||
| R5, R11, | С2-33-0,125-8,2 Ом ±5% | 4 | |
| R17, R23 | |||
| R6, R12, | С2-23-0,062-1,5 кОм ±5% | 4 | |
| R18, R24 | |||
| R25 | С2-23-0,062-560 Ом ±5% | 1 | |
| R26 | С2-23-0,062-13 кОм ±5% | 1 | |
| R27 | С5-14В-0,125-0,51 Ом ±1% | 1 | |
| R28 | С2-33-0,125-24 Ом ±5% | 1 | |
| R29 | С2-33-0,125-2,5 Ом ±5% | 1 | |
| R30 | С2-23-0,062-1,5 кОм ±5% | 1 | |
|
| |||
| Транзисторы | |||
| VT1 ¸ VT5 | КТ339А | 5 | |
1. "Расчет усилительных устройств". Учебное пособие к практическим занятиям / Под редакцией Ю. Т. Давыдова. – М.: МАИ, 1993.
2. "Усилители, радиоприемные устройства". Учебное пособие к лабораторным работам / Под редакцией проф. А. С. Протопопова. – М.: МАИ, 1996.
3. Проектирование усилительных устройств / Под редакцией Н. В. Терпугова. – М.: Высшая школа, 1982.
4. Мамонкин И. Г. Усилительные устройства. – М.: Радио и связь, 1989.
[1] Эпитаксиально-планарная технология.