Доноры в соединениях типа АIIIВV характеризуются крайне низкими значениями коэффициентов диффузии. Чтобы проникновение доноров достигало измеримых размеров, необходимы высокая температура (в пределах 200-3000С от точки плавления основного вещества) и продолжительное время диффузии. Это приводит к нарушению (эрозии) поверхности из-за переноса летучего элемента V группы под влиянием небольших градиентов температуры внутри ампулы. Кроме того, диффузия таких доноров, как S, Se и Te, осложняется образованием на поверхности полупроводника слоя сложного фазового состава (химических соединений типа Ga2S3).
На практике при формировании р-п-структур используется лишь диффузия цинка, который является акцепторной примесью и обладает достаточно высокой растворимостью в полупроводниках типа АIII ВV . Температурная зависимость коэффициента диффузии (в м2/с) цинка в арсениде галлия определяется выражением
DZn =15exp [ -2,49 эВ/(kT)].
Чтобы снизить поверхностную концентрацию акцепторов, диффузию цинка в GaAs часто проводят через тонкий слой SiO2, наносимый на поверхность пластин. Для диффузии цинка в GaP в качестве источника легирующей примеси с успехом применяют ZnP2, который помещают в ампулу вместе с пластинами фосфида галлия.
Большими коэффициентами диффузии в полупроводниках типа АIIIВVобладают элементы I группы, особенно медь. Малая энергия активизации процесса диффузии этих примесей указывает на междуузельный механизм их миграции в кристаллической решетке соединения.
Рекомбинация носителей заряда. Ценным свойством многих полупроводников типа АIII ВV является высокая эффективность излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Для генерации излучения в видимой области спектра ширина запрещенной зоны полупроводника должна превышать 1,7 эВ. Из соединений типа АIIIВV, освоенных в технологическом отношении, этому условию удовлетворяют фосфид галлия GaP и нитрид галлия GaN. Материалы с более узкой запрещенной зоной способны эффективно излучать в инфракрасной области. К их числу относится, в частности, арсенид галлия, имеющий ∆ Э = 1,43 эВ. Излучение фотонов в GaAs происходит в результате прямой межзонной рекомбинации электронов и дырок. Эффективная люминесценция в GaN и GaP возникает лишь при введении специальных примесей. Так, при легировании нитрида галлия цинком в зависимости от концентрации последнего можно получить рекомбинационное излучение в желтой, зеленой или голубой областях спектра. В фосфиде галлия наиболее интенсивная люминесценция обусловлена рекомбинацией с участием изоэлектронных ловушек. Роль таких ловушек играют атомы азота или нейтральные комплексы Zn – O. Последние образуются в том случае, когда атомы цинка (мелкого акцептора) и кислорода (глубокого донора) занимают соседние узлы в решетке GaP. Изоэлектронные ловушки азота вызывают люминесценцию фосфида галлия в зеленой области спектра, а комплексы Zn – O ответственны за красное излучение. ответственны за красное излучение. Наибольший практический интерес представляет инжекционная электролюминесценция, возбуждаемая при прямом включении р-н-переходов.
Применение полупроводниковых соединений типа АIII ВV. Многообразие свойств полупроводников типа А В обуславливает их широкое применение в приборах и устройствах различного технического назначения. Особый интерес к этой группе материалов был вызван потребностями оптоэлектроники в быстродействующих источниках и приемниках излучения. Инжекционные лазеры и светодиоды на основе полупроводников типа А В характеризуется высокой эффективностью преобразования электрической энергии в электромагнитное излучение. Существенными преимуществами таких приборов являются малые габаритные размеры, простота конструкции, возможность внутренней модуляции излучения путем изменения управляющего напряжения, совместимость с элементами интегральных микросхем по рабочим параметрам и технологическим операциям.
Благодаря этому полупроводниковые лазеры и светодиоды с успехом используются в вычислительной информационно-измерительной и оборонной технике, в космонавтике и технике связи, а также в бытовой аппаратуре. Арсенид галлия явился первым полупроводником, на котором в 1962 г. Был создан инжекционный лазер, т.е. осуществлена генерация когерентного излучения с помощью р-н-перехода. Лазерный эффект возникает лишь в случае, если плотность тока через р-н-переход превышает некоторое пороговое значение.
Сопоставление эффективности люминесценции различных материалов показывает, что квантовый выход растет с увеличением длины волны. Поэтому, если зрительное восприятие информации не является обязательным, в устройствах оптоэлектроники используют в основном излучатели инфракрасного диапазона (арсенид галлия и твердые растворы на его основе).
Большой набор значений ширины запрещенной зоны у полупроводников типа АIIIВV позволяет создавать на их основе различные виды фотоприемников, перекрывающих широкий диапазон спектра. Среди них наибольшее распространение получили фотодиоды и фотоэлементы. Арсенид галлия потенциально является одним из лучших фоточувствительных материалов для применения в солнечных батареях. Антимонид индия имеет важное техническое значение для изготовления приемников инфракрасного излучения, обладающих фоточувствительностью вплоть до λ ≈ 7 мкм.
Разновидностью фотонных приемников излучения является фотоэлектронные умножители, работающие на основе внешнего фотоэффекта. Полупроводники А В позволяют создавать эффективные фотокатоды и эмиттеры вторичных электронов. Например, фотокатоды из арсенида галлия р-типа, активированного пленкой Cs2O для снижения работы выхода электронов, обладают квантовым выходом в ближней инфракрасной области спектра на несколько порядков выше, чем у фотокатодов из традиционных материалов.
Токовая неустойчивость в сильных электрических полях, обусловленная междолинными переходами электронов, используется для создания генераторов
СВЧ-колебаний (генераторов Ганна), работающих в диапазоне частот 109-1010Гц.
Кроме арсенида галлия перспективными материалами для этих целей являются InP,
InAs и твердые растворы на их основе.
Арсенид галлия и антимонид индия применяются для изготовления туннельных диодов. По сравнению с германиевыми диодами приборы из арсенида галлия характеризуются более высокой рабочей температурой, а диоды из InSb обладают лучшими частотными свойствами при низких температурах.
На основе узкозонных полупроводников типа АIIIВV (InSb, InAs), обладающих высокой подвижностью электронов, изготавливают магниторезисторы и преобразователи Холла.
Прогресс в технологии арсенида галлия, достигнутых за последнее десятилетие, открыл широкие перспективы применения этого материала для создания полевых транзисторов и быстродействующих интегральных микросхем. По сравнению с кремнием арсенид галлия является более сложным в технологическом плане материалом. На нем трудно вырастить стабильный собственный окисел, он не допускает диффузионного легирования донорными примесями. Разложение при высоких температурах создает трудности при проведении операций отжига. Однако совершенствование техники эпитаксии, освоение технологии ионного легирования, лазерного отжига, электронно-лучевой литографии, разработка новых методов осаждения защитных слоев позволяют реализовать возможности арсенида галлия в повышении степени интеграции и быстродействия интегральных микросхем.
Строение и химическая связь. К соединениям типа АII ВVI относят халькогениды цинка, кадмия и ртути. Среди них можно выделить сульфиды, селениды и теллуриды. В эту группу не входят окислы указанных металлов.
Являясь алмазоподобными полупроводниками, соединения типа АII ВVI кристаллизуются в структуре цинковой обманки кубического (сфалерит) или гексагонального (вюрцит) типа. Химическая связь носит смешанный ковалентно-ионный характер. По сравнению с полупроводниками типа АIII ВVв халькогенидах сильнее выражена ионная составляющая связи, что обусловлено большими различиями в электроотрицательностях элементов, образующих соединение. Это находит свое отражение в свойствах соединений, которые систематизированы в табл. 2.
| Cоединение | Тип струк-туры* | Периодрешетки×10,мм | Плот-ность,Мг/м3 | Темпера-тура пла-вления,0 С | Шириназапрещен-ной зоны,эВ | Тип электро-провод-ности | Подвиж-ностьэлектроновм/(В*с) | Подвиж-ностьдырок,м/(В*с) |
| ZnSZnSCdSHgS | СВВС | 5,413,82(а)6,26(с)4,13(а)6,75(с)5,84 | 4,094,104,827,73 | 1020**178017501480 | 3,673,742,531,78 | пппп | _0,014_ с 0,034 c0,0350,07 | _0,00050,0110,0015_ |
| ZnSeCdSeHgSe | СВС | 5,664,30(а)7,01(с)6,08 | 5,435,818,25 | 15201264790 | 2,731,850,12 | ппп | 0,026с 0,0722,0 | 0,00150,0075_ |
| ZnTeCdTeHgTe | ССС | 6,106,486,46 | 6,345,868,09 | 12391041670 | 2,231,510,08 | рп, рп, р | 0,0530,122,5 | 0,0030,0060,02 |
* C--сфалерит, В-вюрцит; **-- температура фазового перехода из b на a- модификацию