ЭТПиМЭ (стр. 3 из 3)
Тогда:
=2 мм b = 0,5 мм
R1 = 1000 × ( 2 / 0,5 ) = 4 кОм
=1 мм b = 0,5 мм
R2 = 1000 × ( 1 / 0,5 ) = 2 кОм
=2,25 мм b = 1,25 мм
R3 = 1000 × ( 2,25 / 1,25 ) = 1,8 кОм
Сведем результаты в таблицу.
| Номиналы резисторов кОм. | Материал резистора. | Материал контакта площадок. | Удельное сопротивление поверхности RS, (Ом/ ) | Удельная мощность рассеивания (P0, Вт/см2). | Способ напыления пленок. | - длина резистора. (мм). | B - ширина резистора. (мм). |
| 4 | ПАСТА ПР-1К | ПАСТА ПП-1К | 1000 | 3 | Сетно-графия | 2 | 0,5 |
| 2 | ПАСТА ПР-1К | ПАСТА ПП-1К | 1000 | 3 | Сетно-графия | 1 | 0,5 |
| 1,8 | ПАСТА ПР-1К | ПАСТА ПП-1К | 1000 | 3 | Сетно-графия | 2,25 | 1,25 |
3.2. Подбор навесных элементов ГИМС.
Для данной схемы требуется:
1) один 4-х эмиттерный транзистор.
2) три транзистора n-p-n.
3) два диода.
Геометрические размеры навесных элементов должны быть соизмеримы с размерами пассивных элементов:
1) В качестве 4-х эмиттерного транзистора использован транзистор с геометрическими размерами 1х4 мм и расположением выводов как на рис.1.
 |
 |
2) В качестве транзистора n-p-n используем транзистор КТ331.
Эксплутационные данные:
Umax кэ = 15 В
Umax бэ = 3 В
I к max = 20 мА
3) В качестве диодов использован диод 2Д910А-1
 |
Эксплутационные данные:
Uоб р = 5 В
Iпр = 10 мА
Проверим удовлетворяет ли мощность рассеивания на резисторах максимальной мощности рассеивания для материала из которого изготовлены резисторы, а именно для пасты ПР-1К у которой P0 = 3 Вт/см2.
Для R1
P1 max = 4,2 мВт
SR1 =× b = 2 × b = 2 × 0,5 = 1 мм2
Необходимо чтобы P0 ³ P1 max , т.е. условие выполняется.
Для R2
P2 max = 8,4 мВт
SR2 =× b = 2 × b = 1 × 0,5 = 0,5 мм2
Необходимо чтобы P0 ³ P2 max , т.е. условие выполняется.
Для R3
P3 max = 0,26 мВт
SR2 =× b = 2 × b = 2,25 × 1,25 = 2,82 мм2
Необходимо чтобы P0 ³ P3 max , т.е. условие выполняется.
3.3. Топологический чертеж ГИМС (масштаб 10:1).