МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ
(технический университет)
Кафедра Электроники и электротехники
Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”
Андриатис Ю.А.
группа АП-52
Ушаков В.Н.
Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
| |
R1 RK РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬНОГО RC - КАСКАДА
Cк НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
C
|
|
|
РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА
НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ
Iб IBЫX
| ||
| | |
|
h21эIб
| |
Из схемы находим:
(jwвС) (Rk || Rн) + (1 / jwвС)
1 + jwвС(Rk || Rн) 1 + jwвtв
где tв = С(Rk || Rн) - постоянная времени нагрузочной цепи
(Rk || Rн)
U2 (Ku)0
U1 1 + jwвtв
На высших частотах происходит не только усиление сигнала но и появляется дополнительный фазовый сдвиг выходного сигнала относительно входного поэтому это выражение разбивается на два:
1
tg φв = – wвtв
В области высших частот характеристика будет иметь завал:
|
|
K0t1t2 f(w)
f(w)
t2 > t1
Равномерность частотной характеристики зависит от С. Чем меньше С тем характеристика лучше (более равномерна).
Вообще избавиться от паразитной емкости – С невозможно. Ее можно только уменьшить за счет рационального конструирования.
Кроме того на значение паразитной емкости влияет входная емкость следующего каскада и для ее уменьшения надо подключать к каскаду электронные устройства с минимальной входной емкостью.Например: эмиттерный повторитель.