Получение тонкопленочных электретов на основе фторопласта - 4 и изготовление приборов на их основе (стр. 6 из 13)
Согласно этой модели электрет представляет собой многослойную структуру. Инжектированный в приповерхностный объем электронный заряд компенсируется положительным пространственным зарядом в объеме диэлектрика и экранирующим слоем ионов. Рекомбинации внедренных электронов с ионами экранирующего слоя препятствует приповерхностный буферный слой из дипольных участков молекул ориентированных инжектированным зарядом. Для подтверждения развития модели и определения структуры внедряемого гомозаряда целесообразно исследовать спектр энергетических ловушек в политетрафторэтилене. Это позволит связать структурные особенности полимера с процессами накопления и релаксации в нем электронного гомозаряда. Необходимость получения полной информации об энергетических спектрах требует проводить исследования в режиме максимального заполнения ловушек. В связи с этим в следующей главе производится поиск оптимального режима электретировани пленок ПТФЭ в плазме газового разряда для получения максимальной поверхностной плотности гомозаряда.
2.Технико - экономическое обоснование проекта.
Важнейшей задачей электронной техники в настоящее время является миниатюризация приборов и элементов, обеспечение минимального веса, высокой чувствительности и экономичности. Это возможно с помощью применения новых материалов и физических явлений. В частности в качестве постоянных магнитов используются пленочные электреты, что позволяет решить многие проблемы.
Но несмотря на все достоинства их применение до сих пор ограничено, в следствии нестабильности заряда, изменения характеристик под действием окружающей среды, плохой воспроизводимости результатов электретирования.
Целью данной дипломной работы является подтверждение модели образования заряда электрета на основе неполярного диэлектрика, проведение оптических исследований, и исследования влияния внешних факторов на величину заряда электрета. Производилась разработка новой ячейки для электретирования мембран диаметром 10 мм., с последующим их применением в электретном микрофоне, который является составной частью диагностического комплекса по измерению проходимости бронхов.
Применение датчиков на основе электретов нашло широкое применение в повседневной жизни, что делает тему данной работы весьма актуальной.
3.Экспериментальная часть.
3.1.Методика получения электретов в плазме.
В данном разделе мы должны рассмотреть способы получения электретированных мембран, проверить воспроизводимость результатов электретирования, рассмотреть влияние окружающей среды на величину и стабильность заряда электрета. Провести оптические исследования электретированных пленок фторопласта, которые должны подтвердить теорию образования гомозаряда. Конечной целью является получение электретированных мембран, для создания электретного микрофона необходимого для диагностической установки по тестированию проходимости бронхов.
Для исследований мы выбрали фторопласт - 4, который является одним из лучших высокополимеров, созданных на основе химического синтеза. Пленки ПТФЭ обладают наиболее стабильными во времени электретными свойствами,
способностью к холодному течению и высокая пластичность материала при низких температурах.
ПТФЭ обладает высокой степенью кристалличности (количество кристаллической фазы доходит до 40—85 %). Кристаллизация ПТФЭ начинается при охлаждении ниже 327 °C, причем наибольшая скорость кристаллизации наблюдается при 310 °C.
В идеальном случае ПТФЭ является неполярным полимером. Диэлектрическая проницаемость пленок ПТФЭ составляет 1,8—2,2 на частоте 1 кГц, а тангенс угла диэлектрических потерь
на частоте 1 Мгц.Пленки ПТФЭ прозрачны для видимого света и ультрафиолетового излучения. ПТФЭ мало устойчив к g– и b–облучению. При этом его механические свойства резко ухудшаются.
Таким образом несмотря на то, что ПТФЭ является в целом неполярным полимером, на его поверхности и в приповерхностном объеме существуют дипольные участки молекул, что должно учитываться при рассмотрении динамики процессов инжекции и релаксации гомозаряда. В процессе электретирования при взаимодействии плазмы с поверхностью ПТФЭ может происходить изменение концентрации дипольных частей молекул.
Многочисленные данные по исследованию зависимости поверхностного плотности заряда от времени хранения показывают, что наиболее стабильным в заполяризованном диэлектрике является гомозаряд.
Согласно представлениям о природе гомозаряда, его образование в случае термоэлектретирования связано с инжекцией в поверхностные слои диэлектрика свободных зарядов из электродов и из воздушного зазора в случае его ионизации. В работе [12] отмечается увеличение гомозаряда примерно в 15 раз при поляризации с прокладками по сравнению с контактными методами электретирования. Локальный характер микропробоев в зазоре при термоэлектретировании является причиной неравномерного распределения зарядов по поверхности образца и недостаточной повторяемости зарядов.
Анализ физической модели образования гомозаряда приводит к предположению о возможности успешного использования в качестве инжектирующего электрода высоко ионизированной внешней среды – плазмы газового разряда. Действительно, высокая концентрация зарядов в плазме, возможность ее регулирования путем изменения тока в разрядном промежутке, создают реальные предпосылки для получения в диэлектрике высокого по величине и равномерного по поверхности гомозаряда. Более подробно мы рассмотрим явления на границе диэлектрик – плазма.
При зажигании заряда в замкнутом объеме на его стенки течет электрический ток, обусловленный движением электронов и ионов. В стационарном состоянии нормальная составляющая тока на диэлектрическую стенку должна равняться нулю, то есть:
Jn=Sjкн =0 (2.1)
Суммирование проводится по электронному и всем компонентам ионного тока.
В момент зажигания разряда основные носители отрицательного заряда являются – электроны, обладая большими скоростями, чем положительно заряженные ионы, попадают на стенку в большом количестве и заряжают ее отрицательно по отношению к газу. На некотором расстоянии от диэлектрической пленки в газе образуется нейтрализующий этот отрицательный заряд слой положительного заряда. Таким образом, если вдали от стенки концентрация носителей обеих знаков могут быть одинаковы и в целом ионизированный газ нейтрален (плазма), то вблизи стенки эта нейтральность нарушается. Электрическое поле в этом слое направлено от газа к стенке, а электроны тормозятся и часть из них, обладающая меньшими скоростями возвращается обратно в газ. Несмотря на большое различие в подвижностях в установившемся состоянии электронный ток на стенку равен ионному току, в следствии чего сохраняется равенство. Если в качестве стенки использовать исходный материал электрета, то совершенно очевидно, что его поверхность, обращенная к газовому разряду будет заряжаться отрицательно до величины пристеночного потенциала, определяемого параметрами заряда, и на поверхности образуется небольшой по величине электронный заряд, препятствующий дальнейшему проникновению электронов из плазмы. Этот заряд нестабилен и быстро исчезает после прекращения заряда. Созданием в пленке внутреннего электрического поля, направленного в сторону плазмы, можно реализовать условия для дрейфа электронов в объем диэлектрика. Учитывая высокую концентрацию электронов в плазме можно ожидать при этом можно ожидать достаточно высокого по величине и равномерно распределенного по поверхности заряда. Необходимо заметить, что в данной системе вряд ли удастся получить в образце устойчивый положительный заряд со стороны плазмы, поскольку эта поверхность диэлектрика заряжена отрицательно, а управлять процессами в разряде через диэлектрическую пленку приложением к ней относительно плазмы разности потенциалов весьма трудно, так как в следствии резкого различия в значениях электропроводности ионизированного газа и диэлектрической пленки почти все напряжение оказывается приложенным к диэлектрику и внутри у него образуется сильное электрическое поле. В силу этого условия основное воздействие со стороны внешнего электрического поля испытывают заряды, попавшие на диэлектрическую стенку за счет кинетической энергии, которыми в данном случае являются электроны.
3.2.Установка для получения электретов в плазме газового разряда.
Функциональная схема установки представлена на рисунке 3.1. Электронная часть включает в себя генератор задающих импульсов, импульсный усилитель, блок питания импульсного усилителя и источник высокого напряжения (для питания импульсного усилителя и зажигания плазмы). Ячейка для электретирования помещается в рабочий объем вакуумного поста, сунок конструкции установки для электретирования обеспечивающего необходимое разряжение в процессе получения электрета. Регулирование величины давления в разрядном промежутке регулируется с помощью натекателя. Система позволяет производить электретирование в среде различных газов.