Получение тонкопленочных электретов на основе фторопласта - 4 и изготовление приборов на их основе (стр. 5 из 13)

Поскольку в окружающем пространстве существуют и отрицательные носители заряда они притягиваются к слою положительных ионов и рекомбинируют с ними, что вновь вызывает появление внешнего электрического поля наводимого диполями и приток новых ионов из окружающего пространства. С одной стороны диполи удерживают положительные ионы вблизи поверхности диэлектрика, а с другой — препятствуют их проникновению в приповерхностный объем, следовательно, образуется динамически равновесная система ОПЗ—гомозаряд—“дипольный слой”—“положительный экран”.

Согласно барьерной физической модели спад гомозаряда при отсутствии подвижного положительного заряда в образце происходит следующим образом: сначала электроны термически активируются с уровней захвата, а затем дрейфуют во внутреннем поле электрета через барьерный слой по всей толщине пленки. Время релаксации такого активационно–дрейфового процесса для тонких диэлектриков можно определить из выражения:

(1.5)

где L — толщина диэлектрической пленки, m — подвижность носителей участвующих в дрейфе, E — средняя напряженность поля в пленке,

— энергия активации электрона с ловушки.

Предэкспоненциальный множитель определяет время пролета электрона через барьер, второй обратно пропорционален вероятности термической активации носителя. Кривые токов ТСД полученные в работах обнаруживают наличие трех максимумов, соответствующих релаксации инжектированного заряда, поэтому суммарное изменение величины гомозаряда во времени представляется суперпозицией релаксационных процессов разрядки всех центров захвата и выражается как

. (1.6)

Здесь t,

— величина заряда и время его релаксации для i–го центра захвата (фиксированной по значению энергии ловушки).Один из недостатков такого подхода в утверждении, что все электрическое поле заряда сосредоточено в объеме пленки. Эта модель внутренней релаксации была бы справедлива для мембран с гомозарядом в случае металлизированных короткозамкнутых образцов. В противном случае расчеты приводят к завышенным значениям времени пролета. При храненении или эксплуатации мембран в свободном, т.е. в незакороченном и незаземленном состоянии, в соответствии с расположением в пленке внедренного заряда, создаваемое им электрическое поле сосредоточено преимущественно в приповерхностной области образца. При хранении образцов в замкнутом сосуде малого объема, т.е. при невозможности компенсации гомозаряда ионами внешней среды время его жизни возрастает на несколько порядков и приблизительно совпадает с рассчитываемым по формуле. В этом случае потеря заряда определяется исключительно процессами в объеме диэлектрика. Уменьшение объема сосуда, в котором хранился электрет, т. е. снижение концентрации ионов, позволяло повысить его стабильность значительной степени, что еще раз подтверждает предположение о выносе заряда на поверхность электрета в реальных условиях. При несоблюдении вышеуказанных режимов хранения процесс релаксации вызван взаимодействием внедренного заряда и положительных ионов на поверхности образца.

Изменение конфигурации напряженности электрического поля отмечалось и в работе. Исследовались электреты, полученных облучением пучком ускоренных электронов в условиях их эксплуатации, т. е. при наличии плоскости нулевого поля в образце, и в режиме хранения с заземленным элетктродом. В роли плоскости нулевого поля могли выступать положительные ионы на поверхности диэлектрика или металлический электрод помещенный вблизи поверхности. В этом случае происходило изменение конфигурации напряженности электрического поля, как указано выше, и перемещение гомозаряда к поверхности, через которую производилась инжекция. В образце с заземленным электродом подобного перемещения не наблюдалось.

Тогда предлагаемое строение накопленного заряда подразумевает несколько иной изгиб зон чем при барьерной модели. В этом случае, согласно модифицированной барьерной модели, электрон, после его выброса с ловушки, будет испытывать дрейф в сильном поле электрета и выноситься или на ближайшую поверхность или через объем. Исследования показали, что в образцах из пленок ПТФЭ с отрицательным гомозарядом процесс разрядки диэлектрика действительно определяется эмиссией неравновесного заряда с поверхности и его дрейфом. Кроме того, исследования указали на образование в образце неоднородно распределенного объемного заряда.

В силу малого изгиба зон в объеме материала по сравнению с изгибом зон на поверхности основной дрейф активированных носителей заряда будет происходить в направлении ближайшей поверхности диэлектрика, и, в этом случае, толщину пленки (L) в выражении следует заменить на значение пространственной глубины залегания заряда (DL). Тогда мы получаем следующее выражение

. (1.7)

Другая неточность барьерной модели, в том то что она рассматривает дрейф носителей в электрическом поле с постоянной напряженностью E. В действительности дрейф электронов происходит в самосогласованном электрическом поле, величина которого уменьшается по мере релаксации гомозаряда.

В этом случае постоянная релаксации гомозаряда t является функцией времени, что должно приводить к более сложному виду экспоненциальной зависимости

. Учет этого обстоятельства позволяет объяснить замедленный начальный спад гомозаряда по сравнению с рассчитываемым. Связать величину гомозаряда и время его релаксации можно на основе следующей системы

(1.8)

Согласно развитию модели стабильность гомозаряда также должна сильно зависеть от ориентации поверхностных диполей и степени деформации цепочек молекул. Уже проводились исследования релаксации гомозаряда в пленках неполярных диэлектриков, которые показали снижение временной стабильности заряда под действием переменных электрических полей. Также о влиянии дипольного строения поверхности фторопласта на процессы старения электрета можно судить по ряду методов ускоренной стабилизации внедренного заряда.

Так предлагалось стабилизировать гомозаряд импульсной формовкой при электретировании в низкотемпературной плазме. Суть метода состоит в следующем. Во время электретирования (3 мин.) на управляющий электрод подаются импульсы чередующейся полярности со скважностью 1200 Гц. По объяснению высказанному в , во время отрицательного полупериода импульса слабо закрепленные электроны выбрасываются из ловушек сильным электрическим полем с напряжением 100—500 В. Однако в таком случае аналогичный эффект стабилизации заряда было бы достигнут трехминутной выдержкой образцов в поле 100—500 В после электретирования. Кроме того вырывание слабосвязанных электронов с ловушек под действием внешнего поля обязательно проявилось бы при измерении поверхностной плотности заряда компенсационным методом. Поскольку такие явления не наблюдались стабилизация гомозаряда имеет другую природу.

Подобный механизм ускоренного старения заряда в пленках ПТФЭ уже предлагался. Заряженные образцы политетрафторэтилена предлагалось выдерживать в переменном поле небольшой напряженности (5—10 В, 1000 Гц) в течении нескольких часов. Энергии таких полей явно недостаточно для активации электронов из ловушек и объяснение стабилизирующего действия слабых переменных полей не было дано.

Указанные процессы находят логическое объяснение в соответствии с положением о существовании на поверхности политетрафторэтилена ориентированных диполей. Прикладываемое к образцам переменное электрическое поле увеличивает амплитуду колебаний дипольных участков молекул на поверхности диэлектрика, а подобное интенсивное молекулярное движение ведет к выталкиванию захваченных электронов с ловушек и, после их рекомбинации, к снижению величины гомозаряда. Также в литературе упоминается изменение свойств электретных пленочных мембран при увеличении степени их натяжения, то есть при изменении деформации молекулярных цепочек, приводящее к ускоренному спаду заряда. Аналогичное явление быстрого спада гомозаряда в мембранах наблюдалось при попытке изготовления головных телефонов на базе заряженных пленок политетрафторэтилена. Создание в пленках политетрафторэтилена ультразвуковых механических упругих деформаций приводило к выбросу электронов с ловушек 0,5—0,6 эВ и ускоренному спаду эффективной поверхностной плотности заряда. Причем увеличение интенсивности ультразвукового воздействия приводило к нелинейному снижению уровня стабильного заряда. Суммируя наблюдаемые экспериментальные данные можно сказать, что любые воздействия, приводящие к увеличению амплитуды колебаний молекулярных цепочек или их фрагментов (повышение температуры, механическая деформация, электрические или магнитные поля и т. п.), будут способствовать освобождению захваченных этими молекулами электронов и ускоренному спаду гомозаряда. Следует отметить, что уже предпринимались попытки связать характерные особенности электретного эффекта в пленках фторопласт–4 и фторопласт–10 со структурой и дефектами структуры материала. При этом также предполагалось существование дипольных структур вблизи поверхности пленок. Предполагалось, что внедренные при электретировании электроны захватываются глубокими ловушками, а с более мелких локальных уровней за счет флуктуаций теплового движения освобождаются дырки. Пара электрон—дырка образует квазидиполь и в целом электрет нейтрален. При поляризации диэлектрика квазидиполь направлен противоположно внешнему полю и ничем не отличается от обычных дипольных молекул. Под действием сильных флуктуаций теплового движения электрон высвобождается из ловушки и диполь разрушается. Разрушение квазидиполей электрон—дырка происходит также при изменении надмолекулярной структуры фторопластов и при фазовых переходах. Однако модель основывается на предположении, что в материале изначально на ловушках находятся дырки в концентрации достаточной для нейтрализации внедренных электронов. Кроме того, накопление свободных дырок вблизи поверхности, где сосредоточен гомозаряд, при образовании квазидиполей должно приводить к резкому падению поверхностного сопротивления материала, что не отмечалось в практических исследованиях.