Выпишем данные параметров транзистора на промежуточной частоте fпр:
Uк=-5В, Iк=1мА, S0=Y21=26мА, g12=4,5мкСим ,gвх=0,21мСим, gвых=4,5мкСим, Свх=21пФ, Свых=11,8пФ, Ск=5пФ, Iк0=5мкА, Nт=9,5. Будем полагать, что монтажные ёмкости цепи коллектора и базы, соответственно См1=См2=10пФ, равными. Ранее была принята схема с общим эмиттером при нагрузке из двух связанных контуров при максимальной связи. Положим g=1.5, DURф=2В и DТ=80°С, тогда расчёт элементов схемы питания УПЧ такой же, как и в УРЧ. Тогда:
. Выберем R1=270 Ом. . Выберем R3=1 кОм. .Выберем R2=160ОмТеперь произведём расчёт С1, Rф и Сф:
(выбираем 200нФ). (выбираем 200Ом). (выберем 100нФ).Согласно предварительному расчёту Копр=1032=60,2дБ. Подставим эту величину в формулу расчёта необходимого усиления каскада:
=20дБ.При трёх каскадах УПЧ эквивалентное затухание контуров должно быть:
1. Положив значение возможного относительного изменения входной и выходной ёмкости транзистора b=0.1 определим минимально допустимое отношение эквивалентной ёмкости контура каскада к ёмкости, вносимой в контур транзисторами: . Предельное затухание контуров определим по формуле: . Находим коэффициент усиления каскада, учитывая что при трёх каскадах hмакс=1,63, по формуле: , что существенно превышает требуемую величину.Полагая р1=1 определим эквивалентную ёмкость контура и его индуктивность:
, . Далее определяем коэф-фициенты включения контуров: р1=1, т.к. L>Lmin=250мкГн, тогда надо рассчитать только р2:
. На этом расчёт УПЧ закончим.ПФ1П-4-3 и отдельным гетеродином.
+ - Еп Rф R1 Сф L4 L5 С2ПФ1П-4-3 fпрR2 R3
C3от гетеродина
Рис.4 Преобразователь частоты с отдельным гетеродином.
В данном преобразователе рассчитаем только смесительную часть.
1.Определяем параметры транзистора в режиме преобразования частоты:
Sпр=0,3Smax=0,3*30=10мА/В;
Rвх.пр=2R11=0,2*1500=300 Ом;
Rвых.пр=2R22=2*200*103=400 кОм;
Свых.пр=С22=8 пФ; Свх.пр=С11=70 пФ.
2.Согласование транзистора смесителя с фильтром осуществляем через широкополосный контур. Определим коэффициент шунтирования контура входным сопротивлением фильтра и выходным сопротивлением транзистора, допустимый из условий обеспечения согласования:
.3.Определим конструктивное и эквивалентное затухание широкополосного контура:
, где Qэш=20 –добротность широкополосного контура.4.Определяем характеристическое сопротивление контура, принимая коэффициент включения в цепи коллектора m1=1:
5.Определим коэффициент включения контура со стороны фильтра:
.6.Эквивалентная ёмкость схемы:
.7.Ёмкость контура: С2=Сэ-Свых.пр=174-70=104 пФ. Выберем С2=100 пФ.
8.Определим действительную эквивалентную ёмкость схемы:
Cэ’=С2+Свых.пр=100+70=170 пФ.
9.Индуктивность контура:
.10.Дествительное характеристическое сопротивление:
.11.Резонансный коэффициент усиления преобразователя:
.12.Индуктивность катушки связи с фильтром, приняв kсв=0,5:
.