где Рсв – падающая на ФД оптическая мощность.
η – квантовый выход.
h – 6,63·10-34 – постоянная Планка
ν – частота света.
При Рсв на выходе НЛПН равном 0,5мВт на ФПУ будем иметь :
Iф0=А·Рсв/D ; где : D – потери в линии.
С учетом потерь на двух оптических разъемах(α=1дБ/км) и затуханием ОК(α=1дБ/км) суммарные потери D=3дБ/км, что составляет 10lgD=10lg3=0,5 раз.
А = 0,7 Вт/А
Подставляя фототок Iф0 в выражение(1) и (2) получим следующие соотношения
i2ш,ф0 = 2
Iф0Δf = 32·10-19·1,75·10-4 = 5,6·10-15А2i2ф,ш= I2ф0·10RIN/10·Δf = (0,175·10-3)2·10-15·106 = 3,06-1·10-17A2
т.е. мы получили ,что шумовой ток ,создаваемый постоянной оптической мощностью за счет RIN на два порядка меньше шумового тока , создаваемого постоянной фоновой засветкой и, соответственно, его влиянием в нашем случае можно пренебречь.
Таким образом , чем меньше ток базы . тем меньше шумы транзистора, но при малых токах ухудшается h21 ,а также ухудшаются частотные свойства , ухудшается fт, поэтому для вышесказанного частотного диапазона компромиссным решением будет использование СВЧ транзистора при токах покоя .
Iк ≈ 1÷2 мА
Формула коэффициента шума показывает справедливость этих допущений.
Например, при Rг = 1 кОм (эквивалентное сопротивление нагрузки ФД по переменному току ) , более нежелательно из-за больших частотных искажений.
При fв ≥ 400МГц необходимо использовать СВЧ транзистор 2Т3114В-6 , у которого fгр ≈ 4,7ГГц при Iк = 2мА
где: r’б - сопротивление тела базы
rб’э – сопротивление базы-эмиттер
h21э – 100
r’б – 5 Ом (для транзистора 2Т382А)
Rг=R1||R2||R4≈1кОм
rб’э=26/Iк·h21
При токе Iк=2мА, h21э=100, r’б=10 Ом.
При этих данных rб’э=1,3кОм; F=1,45 эквивалентный шумовой ток, учитывающий R транзистора , равен
для f=1МГцПри минимизации собственных шумов ФПУ и максимизации динамического диапазона к построению электрической принципиальной схемы ФПУ и выбору режимов транзисторов его каскадов , особенно выходных , предъявляются противоречивые требования.
Во-первых, транзисторы выбираются СВЧ диапазона , например 2Т3114В-6 маломощные, с fгр≥4 ГГц.
Ток покоя входного каскада нами уже выбран из условия минимизации шумов.
Транзистор 2Т3114В-6 имеет следующие параметры:
Pк доп = 25 мВт; fг= 4,7 ГГц;
Iк доп = 15 мА; h21= 100 ;
Uк доп = 5 В; Cк = 0,4 пФ; rрасч = 6 нс
Чтобы совместить эти противоречивые требования (минимальные шумы , максимальный частотный и динамический диапазон), входной каскад выполняется по схеме эмиттерного повторителя, который обладает этими свойствами .
Второй каскад для обеспечения заданного частотного и динамического диапазонов выполняется по каскодной схеме с местной обратной связью(ОС). В качестве 2-го и 3-го каскадов используется СВЧ микросхема типа М 45121-2.
Наличие во втором каскаде ФПУ обратной связи увеличивает особенно динамический диапазон, а также и частотный, при этом не ухудшаются шумовые свойства ФПУ, так как первый каскад создает требуемое усиление по мощности.
Это же позволяет ток покоя каскадной схемы выбрать достаточно большим, что в свою очередь увеличивает глубину обратной связи и тем самым уменьшает нелинейные и частотные искажения.
Электрические параметры микросхемы приведены в таблице 3.1 в конце главы.
3.2 Выходной каскад
Выходной каскад для согласования с внешней нагрузкой выполнен по схеме эмиттерного повторителя. При этом Rн=50 Ом и ток покоя выбирается достаточно большим.
Принципиальная схема выходного каскада изображена на рис.3.3.
Рис.3.3 Принципиальная схема выходного каскада ФПУ.
В качестве выходного транзистора VT2 можно использовать тот же транзистор, что и в предварительном усилителе:2Т3114В-6.
Учет всех этих рекомендаций позволил реализовать схему ФПУ, которая изображена на рис.3.2 и 3.3.
Первые три транзистора охвачены общей отрицательной обратной связью(ОООС), что позволяет увеличить частотный и динамический диапазоны без ухудшения чувствительности.
Анализ принципиальной схемы ФПУ показывает, что использование в качестве входного каскада эмиттерного повторителя позволяет решить одновременно много задач:
- уменьшить нелинейные искажения входного каскада ;
- увеличить его частотный диапазон;
- уменьшить нелинейные искажения второго каскада путем увеличения глубины местной ОС за счет малого выходного сопротивления эмиттерного повторителя.
Все это не ухудшает чувствительности ФПУ, так как входной каскад в h21 раза усиливает мощность сигнала.
Определим граничную частоту усиления ФПУ:
U2(p) = τ1(p)·K(p) = Јф·Zвх·F·K(p),
где U2(p) - напряжение на входе ФПУ
U1(p) - напряжение на нагрузке ФД, т. е. комплексном сопротивлении по переменному току, действующему между базой входного транзистора и общим проводом.
К(р) – общий коэффициент усиления всех каскадов ФПУ ,кроме выходного.
Јф – фототок сигнала;
Zвх – входное сопротивление ФПУ при действии общей ОС, охватывающей первые два каскада.
В нашем случае К(р) = К1(р)·К2(р) ≈ К1·К2 ≈ К2 , так как К1 = 1 и усиление этих каскадов можно считать в нашем частотном диапазоне постоянным.
Тогда, при Zвх,F= Zвх ; Fкз = 1, Fхх = 1+КВ(р)
Где В(р) =
; = Rг·Свх; Zвх = ;Получим:
;1 + B0K= F0,
, K2 = 4Частота верхнего среза для входных каскадов ФПУ( первого и второго) при действии общей ООС равна:
ФПУ может быть выполнен и на дискретных транзисторах, по приведенной выше схемотехнике, но при этом должны использоваться транзисторы с fг > (4÷5) ГГц
Технология использования возможна гибридно-пленочная.
Таблица 3.1
Параметры, единицы измерения | Норма | |
Не менее | Не более | |
1. Верхняя частота рабочего диапазона, МГц | 1000 | - |
2. Коэффициент шума в режиме преобразования, дБ | - | 10 |
3. Верхняя граница линейности АЧХ по сжатию Кр на 1дБ, мВт | 0,1 | - |
4. Развязка между каналами, дБ | 30 | - |
5. Коэффициент передачи по мо- щности в режиме усиления, дБ | - | 5 |
6. Допустимая входная мощность, мВт | - | 5 |
7. Минимальная наработка, час | 25000 | - |
8. 90 - процентный ресурс, час | 40000 | - |
9. Масса, г | - | 1,5 |
10. Конструктивное исполнение планарное, 14 гибких ленточных вывода, габариты (мм.) |
* Для повышения устойчивости и уменьшения паразитных связей свободные выводы и основание корпуса рекомендуется заземлить.
4. Расчет фотоприемного устройства
4.1 Расчет выходного усилителя.
Расчет К-цепи по постоянному току включает выбор режимов транзисторов и расчет сопротивлений резисторов, обеспечивающих выбранные режимы и их стабильность. При этом мощности, потребляемые, от источников питания и сигнала должны быть минимальными.
Режим работы транзистора , определяемый положением исходной рабочей точки(точки покоя) на выходных характеристиках транзистора (рис.4.1.)т.е. значениями тока покоя коллектора Iк к постоянной составляющей напряжения между коллектором и эмиттером Uк , должно быть таким, чтобы на внешней нагрузке обеспечивалось заданная(номинальная)мощность сигнала и параметры предельных режимов работы транзистора не превышали максимально допустимых значений.
Принимая во внимание потери мощности сигнала в выходной цепи , вносимые цепью обратной связи, выходной цепью транзистора, максимальное рабочее значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора
Ркр макс < ik
Рк доп = 100 мВт
(Мощность рассеиваемая на коллекторе транзистора не должна превышать допустимую величину).
Определим режим работы выходного транзистора. Ток коллектора выходного транзистора был оговорен при выборе принципиальной схемы.
Для уменьшения нелинейных и частотных искажений ток покоя выбрали равным 10 мА исходя из того что:
Rкр макс ≈ Uкэ·Iк