Электронные цепи и приборы (шпаргалка) (стр. 6 из 10)
ПТ с индуц. каналом – это такие тр-ры, в начальный момент которого проводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Такой канал образуется в результате приложения напряжения на затворе (индуцируется) (рис. 1).
рис. 1.
Ic=f (Uз), при Uc=const.
Uз=0, канал между С и И отсутствует, а значит ток стока очень маленький приблизительно равен нулю. Пусть на затворе подается отриц. напряж., тогда электроны из п-области отталкиваются от отриц. затвора, а дырки притягиваются. В результате между С и И появляется слой с электропроводностью р-типа, кот. служит каналом, а значит ток ч/з канал растет. Чем больше отриц. напряж. (-Uз), тем больше дырок притягивается к каналу, канал расширяется, Ic увеличивается. Хар-ки смещаются вверх.
Режим работы при котором канал расширяется и Ic увеличивается, наз. режимом обогащения. Т.о. в таком ПТ канал появляется только в определенных условиях, поэтому тр-р называется и индуцированным каналом.
Параметры полевого транзистора.
1. внутреннее сопротивление:
Ri = ΔUc / ΔIc , при Uз = const.
2. крутизна характеристики:
S = ΔIc / ΔUз , при Uс = const.
3. коэффициент усиления:
K = Ri·S.
4. мощность рассеивания:
Pc = Ic рт·Uc рт.
26. Полевой тр-р с изолированным затвором с встроенным каналом.
ПТ с изолир. затвором – это такие тр-ры, затвор которых изолирован от проводящего канала материалом диэлектрика или окисью кремния. Т.о. по структуре конструктивно получается, затвор – металлический слой, проводящий канал – полупроводник, изолятор – диэлектрик. По технологическому принципу изготовления различают 2 типа таких тр-ров: с индуцированным и со встроенным каналом.
ПТ со встроенным каналом – это такие тр-ры, у кот. при их изготовлении уже проводящий канал между истоком и стоком есть.
рис. 1.
В таком тр-ре канал выполняется уже в процессе изготовления.
Uз = 0, U > 0(+), U < 0(-).
Uз = 0, – между стоком и истоком уже существует канал и Ic имеет некоторое значение.
U < 0, – электроны из канала отталкиваются, а дырки притягиваются. В результате канал обедняется основными носителями - режим обеднения. Канал сужается, Ic уменьшается и хар-ки смещаются вниз.
U > 0, – дырки отталкиваются от канала, а электроны притягиваются. Канал обогащается основными носителями. Он расширяется и Ic увеличивается, характеристики смещаются вверх.
Параметры полевого транзистора.
1. внутреннее сопротивление:
Ri = ΔUc / ΔIc , при Uз = const.
2. крутизна характеристики:
S = ΔIc / ΔUз , при Uс = const.
3. коэффициент усиления:
K = Ri·S.
4. мощность рассеивания:
Pc = Ic рт·Uc рт.
27. Триод.
Триодом (Т) называют трехэлектродный электровакуумный прибор, имеющий катод, анод и сетку. Сетка – это электрод, кот. обычно выполнен в виде проволочной спирали и располагается в непосредственной близости от поверхности катода. Основное назначение С воздействовать на значение объемного заряда у катода и управлять электронным потоком, поэтому ее часто называют управляющей. На С относительно катода может подаваться как положит. так и отриц. потенциал. В качестве общего электрода, в триоде может выступать катод, сетка или анод. В соответствии с этим и схемы включения Т называются схемой с заземленным (общим) катодом, сеткой или анодом.
+Uc, электроны ускоряются и дойдут быстрее до анода. Ток анода растет.
-Uc, электроны тормозятся, не все дойдут до анода. Ток анода уменьшается.
Триоды можно применять как мощные усилители и генераторы в передающих устройствах, энергетических и электротехнических промышленных установках.
30. Кинескопы.
Кинескоп – это электронно-лучевая телевизионная трубка, предназначенная для приема изображений. Электронный прожектор, используемый в кинескопах строится по 3х-линзовой схеме. Первый анод имеет больше диаметр, чем рядом расположенные, ускоряющий электрод и второй анод. Благодаря такой конструкции ток первого анода близок к нулю, что не изменяет фокусировку электронного луча при регулировании напряжения на модуляторе.
Для покрытия экранов в кинескопах обычно используют механическую смесь желтого и голубого люминофоров. Баллон (колба) кинескопа – весьма ответственная часть конструкции, определяющая, многие эксплуатационные характеристики трубки. Давление воздуха на экран очень велико, поэтому для обеспечения высокой механической прочности в целях безопасности экран выполняют из стекла толщиной до 10 мм.
Для подачи высокого напряжения на второй анод прожектора внутреннюю поверхность колбы покрывают аквадагом (проводящим графитовым слоем). Наружная поверхность трубок в широкой части часто тоже покрывают аквадагом. Внутреннее и внешнее покрытие электрически изолированы друг от друга, и образуют конденсатор фильтра высоковольтного выпрямителя.
28. Электронн. лампы. Тетрод. Принцип действия. Основные характеристики и параметры. Применение.
Многоэлектродные лампы (МЛ) – это электронные лампы с общим электронным потоком, содержащие анод, катод и сетки. К МЛ относят тетроды, в том числе и лучевые, пентоды, частотопреобразовательные лампы и лампы специального назначения.
рис. 1.
В тетроде на характеристике имеется завал, который называется динатронным эффектом (ДЭ). ДЭ возникает при Ua < Uc2. Он обусловлен потоком вторичных электронов с анода на экранирующую сетку, в результате чего анодный ток тетрода уменьшается, а ток экранирующей сетки увеличивается. ДЭ приводит к качественному изменению характеристик Ia = f (Ua) и Ic2 = φ (Ua) тетрода.
Дальше, когда Ua становится больше Uc2, то вторичные электроны остаются на аноде и характеристика выпрямляется.
Тетрод применяется для усиления электрических сигналов. Сетка С2 уменьшает проходную емкость, значит можно использовать лампу на более высоких частотах.
Параметры многоэлектродных ламп.
1. крутизна анодно-сеточной характеристики отражает зависимость анодного тока тетрода или пентода от напряжения Uc1, при условии постоянства всех остальных напряжений
S = dIa / dUc1, (Uc2, Ua = const)
(для пентода так же Uc3 = const).
2. дифференциальное (внутреннее) сопротивление. При его определении должны поддерживаться постоянными напряжения на управляющей и экранирующей сетках:
Ri = dUa / dIa, (Uc1, Uc2 = const)
(для пентода так же Uc3 = const).
3. статический коэффициент усиления характеризует относительное влияние напряжении Uc1 и Ua на анодный ток
μ = dUa / dUc1, (Ia, Uc2 = const)
(для пентода так же Uc3 = const).
29. Электронные лампы Пентод. Принцип действия Основные характеристики и параметры. Применение.
Многоэлектродные лампы (МЛ) – это электронные лампы с общим электронным потоком, содержащие анод, катод и сетки. К МЛ относят тетроды, в том числе и лучевые, пентоды, частотопреобразовательные лампы и лампы специального назначения.
Динатронный эффект можно устранить созданием тормозящего поля для вторичных электронов с анода с помощью сетки С3, вводимой в пространство А – С2, которая называется защитной. На сетку С3 подаем отрицательное напряжение. Назначение анода, катода, С1 и С2 то же самое, что и в других лампах. Вторичные электроны, которые выходят из анода не дойдут до С2, возвращаются обратно на анод, т.к. отталкиваются от отрицательно заряженной сетки С3. В результате этого динатронный эффект исчезает.
рис. 1.
В таких лампах проходная емкость еще меньше и они применяются на более высоких частотах.
Параметры многоэлектродных ламп.
1. крутизна анодно-сеточной характеристики отражает зависимость анодного тока тетрода или пентода от напряжения Uc1, при условии постоянства всех остальных напряжений
S = dIa / dUc1, (Uc2, Ua = const)
(для пентода так же Uc3 = const).
2. дифференциальное (внутреннее) сопротивление. При его определении должны поддерживаться постоянными напряжения на управляющей и экранирующей сетках:
Ri = dUa / dIa, (Uc1, Uc2 = const)
(для пентода так же Uc3 = const).
3. статический коэффициент усиления характеризует относительное влияние напряжении Uc1 и Ua на анодный ток
μ = dUa / dUc1, (Ia, Uc2 = const)
(для пентода так же Uc3 = const).
31. Гибридные микросхемы. Принцип построения. Технологические приемы реализации. Применение.
Гибридная микросхема (ГМ) выполняется на диэлектрической пластинке (керамика, органическое стекло, текстолит). Элементы выполняются по пленочной и полупроводниковой технологии, поэтому такие микросхемы называются гибридными. Активные элементы (диоды, транзисторы) выполняются по обыкновенной полупроводниковой технологии, при помощи таких процессов, как диффузия, фотолитография, окисление. Эти элементы разрезаются отдельно, покрываются лаком, и присоединяются к остальной части схемы при помощи сварных соединений. Пассивные элементы (R, L, C) выполняются в виде тонких пленок из вольфрама, тантала, сплава МЛТ. Обкладки конденсаторов выполняются из таких же материалов, а диэлектрическая прокладка наносится ч/з трафарет из диэлектрической пасты. Такой метод нанесения элементов в виде тонких пленок ч/з трафарет, называется пленочной технологией.