ВАХ
r=∆U/∆I
чем < тем лучше
|
Д814Д => U=12 В Rбал.=(E-Uст.)/(Iст.+Iн.)
Кст.=(∆Е/Е)/(∆U/Uн) ТКН – температупный коэффициент U=(∆U/U)/ ∆t≈0,0001%
в них исп. прямая ветвь ВАХ
КС07А U=0,7B
Примечание: Для получения высокочастотных колебаний (генератор); пороговые утройсва – тригеры Шмита
Биполярные транзисторы
П/п прибор с 2-мя и более переходами и с 3-мя и более выводами
Режимы работы БТ
1.)Отсечка – оба перехода закрыты, обратно смещены
2.)Насыщения – оба перехода смещены прямо
3.)Активный режим – эммитеры прямо, колектор обратно
4)Активно инверсный – эммитеры обратно, колектор прямо
Активный режим. Физика работы.
Iк=aIэ+Iко Iко-обратный ток колектора, a-коэффициент передачи тока эмитера
|
1)Схема с общей базой
Iвх-Iэ
Iвых-Iк
Uвх-Uэб
Uвых-Uкб
2)Схема с общим эмитером
|
3) Схема с общим колектором
|
Каждая схема характеризуется семействами входных и выходных статических ВАХ
Iвх=f(Uвх) | Uвых-const
Iвых=f(Uвых) | Iвх-const
ВАХ транзисторов
Iк=bIб +(Uкэ/r*к)+I*к0 b-коэффициент передачи Iб
b=a/1-a
2)ОБ
|
1)ОЭ
rк≈100 Ом rэ=dUбэ/dIб | Uк- const
rэ=2jt/Iэ0 =(Si)≈50мВ/ Iэ0
r*к=dUкэ/dIк | Iб- const ≈100кОм
2)ОБ
rэ=dUбэ/dIэ | Uк- const
r*к=dUкб/dIк | Iэ- const
Частотные свойства транзистора
Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных емкостей, и от коэффициентов a и b
ΔI2=h21ΔI1+h22 ΔU2
h11= ΔU1/ ΔI1 │ΔU2=0 – входной сигнал
h12= ΔU1/ ΔU2 │=μ=0 – коэф. обр. отриц. внутр.связи
│ΔI1=0
h21= ΔI2/ ΔI1 │ ΔU2=0 – коэф усиления I
h22= ΔI2/ ΔU2 │=1/rк выходная проводимость
│ΔI1=0
Связь h-параметров с собственными параметрами транзистора
ОБ | ОЭ | |
h11 | rэ+rб(1-α) | rб+rэ(1+β) |
h12 | 0 | 0 |
h21 | α | β |
h22 | 1/rк | 1/rк*=(1+ β)/rк |
Полевые транзисторы (ПТ)
В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем.
ПТ с: p-n переходом
МДМ или МОП
«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.
«-»-малая крутизна
ПТ с p-n переходом
|
rc=ΔUcч/ΔIc
Uзи=const(отсечки)
≈10-100кОм
Стокозатворная характеристика
|
крутизна:
S=(dIc/dUзи)
Uc=const
(МДП)-транзисторы-МОП
|
МОП: -с встроенным
|
|
ВАХ:
стокзатворная изолированный канал
|
Встроенный канал
|
rк=1/s “+”высокое Rвх 1012…14 Ом, высокие допустимые напряжения
Применение:цифровая схемотехника, аналоговые ключи, входные-выходные каскады усилителей мощности, управляемые R.
Терристор
П/п прибор с 3-мя и более p-n переходами, применяется для переключения токов. Различают 2-х электродные – динистор и 3-х электродные – тринистор.
|