Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники (стр. 3 из 3)

Рис. 6. Многослойная n-p-n система, использующаяся для измерения магнитного поля.

Таком магнитометр может быть сконструирован в виде полупроводниковой пластинки с большим числом последовательно расположенных p-n переходов (рис. 5).

Поверхность пластинки, перпендикулярная плоскостям переходов, освещается светом, интенсивность которого имеет величину порядка интенсивности солнечного света. При такой освещенности прибор с типичными параметрами полупроводника находится в состоянии насыщения, и выходной сигнал не зависит от интенсивности света. При этом фотовольтаические эффекты на соседних p-n переходах взаимно уничтожаются, а фотомагнитные складываются, и ФМЭ наблюдается в чистом виде, а не на фоне первичной фото эдс. Использование многослойной структуры позволяет не только увеличить вольтовую чувствительность прибора, но и снизить порог чувствительности. Прибор прост в эксплуатации, не требует электрического питания, стабилизации и измерения освещенности и монохроматизации света.

Список использованной литературы

1. Равич Ю. И., «Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение», 1972.

2. www.informost.ru, «Функциональная электроника»,

Милинкис Б. М., Щука А. А., 2002

3. www.uran.donetsk.ua, Кузнецов А. В, «Функциональная электроника», 2001

4. www.phys.nsu.ru, Кравченко А. Ф., Физические основы информационных технологий, 2002

5. Амброзяк С., «Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов», 1973

6. Устюжанинов В. Н., Фролова Т. Н. «Нестационарные и релаксационные эффекты в полупроводниках», Владимир, 2002

7. Рывкин С. М., «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», 1963

8. www.ispu.ru, «Физика твердого тела», Егоров В.Н., 2002