где
Получаем следующие значения:
Величина индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы переменная составляющая тока не заземлялась через источник питания, а величина блокировочной ёмкости – таким образом, чтобы коллектор транзистора VT1 по переменному току был заземлён.
3.3.4.3 Эмиттерная термостабилизация
Для выходного каскада выбрана эмиттерная термостабилизация, схема которой приведена на рисунке 3.10. Метод расчёта и анализа эмиттерной термостабилизации подробно описан в [3].
Рисунок 3.10
Расчёт производится по следующей схеме:
1.Выбираются напряжение эмиттера
2. Затем рассчитываются
3. Производится поверка – будет ли схема термостабильна при выбранных значениях
В данной работе схема является термостабильной при
Для того, чтобы выяснить будет ли схема термостабильной производится расчёт приведённых ниже величин.
Тепловое сопротивление переход – окружающая среда:
где
Температура перехода:
где
Неуправляемый ток коллекторного перехода:
где
Параметры транзистора с учётом изменения температуры:
где
3(мВ/градус Цельсия) для кремния.
где
Определим полный постоянный ток коллектора при изменении температуры:
где
Для того чтобы схема была термостабильна необходимо выполнение условия:
где
Рассчитывая по приведённым выше формулам, получим следующие значения:
Как видно из расчётов условие термостабильности не выполняется.
3.4 Расчёт входного каскада по постоянному току
3.4.1 Выбор рабочей точки
При расчёте требуемого режима транзистора промежуточных и входного каскадов по постоянному току следует ориентироваться на соотношения, приведённые в пункте 3.3.1 с учётом того, что
3.4.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется в соответствии с требованиями, приведенными в пункте 3.3.2. Этим требованиям отвечает транзистор КТ371А. Его основные технические характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
1. граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
2. Постоянная времени цепи обратной связи
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ
4. Ёмкость коллекторного перехода при
5. Индуктивность вывода базы
6. Индуктивность вывода эмиттера