2 позиция таблицы. VT6 закрыт, Rк-э высокое.
Вывод: в случае подачи на вход X3 U0 при положительной логике VT6 закрыт и схема ЛЭ может иметь 2 состояния – включенное и выключенное.
Базовые ЛЭ ЭСЛ-типа 500-ойсерии.
Достоинства: ЛЭ ЭСЛ-типа применяются в быстродействующих устройствах, т.к. она (ЭСЛ) имеет малое tздр (время задержки). Это обусловлено:
(1), где Uл – логический перепад. (Примечание. Для ТТЛ с простым инвертором )
Если в (1) при Cн = const уменьшить Uл, то tздр уменьшается.
ЛЭ ЭСЛ имеет малый уровень логического перепада, дост. Большой ток зарада Cпар, Þ длительность положительного перепада схемы мала. Рассмотрим состав, принцип работы и назначение элементов схемы. При положительной логике U1 = – 0,9В, U0 = – 1,7В, опорное напряжение .
«ИЛИ–ИЛИ–НЕ»
Рис.9
1. Токовый переключатель.
2. Источник опорного напряжения.
3. Эмиттерные повторители.
1. VT1, VT2 – левое плечо дифференциального усилителя.
R1, R2, R5
R3, R4 – сопротивления утечки.
На б VT1 и VT2 подаются входные сигналы.
На б VT3 поступает опорное напряжение –1,3В.
Uл = U1 – U0 = 0,8В
2. Делитель R7R8, диоды VD1 и VD2, ЭП VT4R6, VT3.
3. VT5R9 (R9 и R10 в схему ЛЭ в интегральном исполнении не входят).
VT6R10
U(б-э)оVT5,6 = 0,8В
Работа
X1 = X2 = 0
U1 = – 0,9В
U0 = – 1,7В
Uоп = –1,3В
VT1 и VT2 закрыты. Iк1,2 = 0. VT3 открыт. При этом Uc=–(Uоп) + (–U(б-э)VT3) = (–1,3) + (–0,75) = = –2,05В
Что с VT3? Проверим: (Uб – Uэ)VT3 = (–1,3) – (–2,05) = 0,75 — он открыт.
(Uб – Uэ)VT1,2 = (–U0) – (–Uc) = (–1,7) – (–2,05) = 0,35В < Uэз = 0,6В Þ VT1,2 – закрыты.
Т.к. через R1 при закрытых VT1 и VT2 протекает ток IбVT5 (ЭП) по цепи:
«+»ИП ® R1 ® б-э VT5® R9 ® «–»ИП
Режим работы VT5 подобран так, что он всегда открыт и через него течет ток:
«+»ИП ® R1 ® к-э VT5 ® R9 ® «–»ИП
Uб-эVT5o = –0,8В
Uy1 = (Ua + Uб-эVT5) = (–0,1) + (–0,8) = –0,9В ® U1 = – 0,9В
Uc = Uб-эVT3o + Uоп = (–0,75) + (–1,3) = –2,05В
через R2 протекает ток IкVT3, IбVT6. Т.о. создается напряжение Uб = (IкVT3 + IбVT6) R2 = –0,9В
Uy2 = Uб + Uб-эVT6o = (–0,9) + (–0,8) = –1,7В
ИЛИ–НЕ В этом случае y2 = «0»
ИЛИ y1 = «1»
X1 = X2 = 1
В этом случае VT1,2 открыты, но ненасыщены Þ отсутствует избыточность зарядов в цепи базы Þ tздр мало.
VT3 закрыт
Uc = UX1,2 + Uб-эVT1,2o = (–0,9) + (–0,75) = –1,65В. Через R2 протекает только Iб.
y1 = «0»
y2 = «1»
Источник опорного напряжения предназначен для создания стабильного напряжения (–1,3В). Включаются R7, R8.
Т.к. температура изменяется, то требуется температурная компенсация VD1,2, VT4, R6
VD1,2 — для термокомпенсации (для обеспечения пропорционального изменения тока делителя). В точке d в зависимости от toC меняется потенциал.
Работа источника опорного напряжения (ИОН).
Если соединить базу VT3 с точкой d и убрать VD1,2 (закоротить), т.е. исключить VT4 (ЭП) и R6, чтобы мы имели .
Когда VT3 открыт, то имеем недостаток: через R7 кроме Iдел протекает IбVT7 Þ
(Iдел + IбVT3) R7 = , IбVT3 = I ( to )
Как видно, постоянство опорного напряжения на базе VT3 не обеспечивается. Для ликвидации этого недостатка вкл. VT4R6. Тогда через делитель R7R8 всегда протекает ток равный Iдел + IбVT4. Но и в этом случае не обеспечивается стабильность напряжения, т.к. IбVT4 = I ( to ). Существует необходимость ввести диоды VD1,2, в которых R меняется в зависимости от изменения to Þ изменяется ток Iдел. Этим компенсируется изменение токов IбVT4 и IбVT3 от температуры и обеспечивается температурная стабилизация.
Определим потенциал т. d.
Т.к. UбVT3 = Ud + Uб-эVT4, то
Ud = –Uб-эVT4 + UбVT3 = –(Uоп) – (–Uб-эVT4) = –1,3 – (–0,75) = –0,55В
÷Uоп