Для конденсаторов К73-9-200 В ; l0=0,29 ; количество 21 шт.
КнС46=120/200=0,6,
lобщК73-9-200=0,29*0,2*10*1*1*21=12,18 1/ч.
Для конденсаторов КТ-1 ; l0=1,64 ; количество 23 шт.
КнС50=66,6/80=0,83,
lобщКТ-1=1,64*1,1*1*1*10*23=414*10-6 1/ч.,
Для конденсаторов К73-16 ; l0=0,29 ; количество 1 шт.
КнС23=0,6/10=0,06,
lобщК73-16=0,1*0,29*1*1*10*1=0,29*10-6 1/ч.
6.1.3.Рассчитываем коэффициенты нагрузок для диодов КД522Б; l0=0,452 ; количество 4 шт.
КнVD=Uраб./Uдоп., (6.5)
где КнVD-коэффициент нагрузки диода;
Uраб-напряжение на диоде, В;
Uдоп-допустимое напряжение на диоде, В.
КнVD2=0,5/1,1=0,45,
lобщДИОДОВ=0,452*10*1*1*4=18,08*10-6 1/ч.
6.1.4.Рассчитываем коэффициенты нагрузок для стабилитронов
Стабилитроны КС168А ; l0=0,5 ; количество 1 шт.
Кн=0,5, K1=0,5,
lобщКС168А=0,5*10*1*1*1=0,5*10-6 1/ч.
6.1.5.Рассчитываем коэффициенты нагрузок для транзисторов
РК=URн2/RН, (6.6)
где РК-мощность на коллекторе, Вт;
Urн-напряжение на нагрузке, В;
RН-сопротивление нагрузки, Ом.
KнVT=PK/PK ДОП., (6.7)
где KнVT-коэффициент нагрузки транзистора;
PK-мощность на коллекторе, Вт;
PK ДОП-допустимая мощность на коллекторе, Вт.
Общая интенсивность отказов рассчитывается по формуле 6.3.
Для транзисторов КТ315А ; l0=1,44 ; количество 3 шт.
РК=10,62/3600=0,031 Вт,
KнVT1=0,031/0,150=0,25,
lобщКТ315А=1,44*10*0,35*1*1*3=15,12*10-6 1/ч.
Для транзисторов КТ969А ; l0=0,84 ; количество 6 шт.
Кн=0,5, K1=0,5,
lобщКТ969А=0,5*10*1*1*6=3*10-6 1/ч.
6.1.6.Рассчитываем коэффициенты нагрузок для моточных элементов
Для линии задержки ЛЗЯ-0,33 ; l0=0,84 ; количество 1 шт.
Кн=0,5, K1=0,5,
lобщЛЗЯ-0,33=0,5*10*1*1*1=0,5*10-6 1/ч.
Для линии задержки УЛЗ-64-5 ; l0=0,84 ; количество 1 шт.
Кн=0,5, K1=0,5,
lобщУЛЗ-64-5=0,5*10*1*1*1=0,5*10-6 1/ч.
Для катушки индуктивности ; l0=1,018 ; количество 10 шт.
Кн=0,5, K1=0,5,
lобщ L=0,5*10*1*1*10=5*10-6 1/ч.
6.1.7.Рассчитваем коэффициенты нагрузки микросхем
Для микросхем l0=0,01 ; количество 4 шт.
Кн=0,5, K1=0,5,
lобщМИКРОСХЕМ=0,5*10*1*1*4=2*10-6 1/ч.
Рассчитаные коэффициенты заносятся в сводную таблицу интенсивности отказов данного блока.(Табл. 6.1)
6.2.Расчет среднего времени безотказной работы
Т0=1/lСХЕМЫ , (6.33)
где Т0- среднее время безотказной работы.
Т0=1/519,413*10-6=1925 ч.
6.3.Расчет вероятности безотказной работы в зависимости от времени эксплуатации блока.
Расчет производится для выбранных интервалов времени, в пределе до t=1,2-1,3T0
P(t)=e-lсхемы*t , (6.34)
P(500)=e-(519,413*0,000001*500)=0,77,
P(1000)=e-(519,413*0,000001*1000)=0,59,
P(1500)=e-(519,413*0,000001*1500)=0,45,
P(2000)=e-(519,413*0,000001*2000)=0,35,
P(2500)=e-(519,413*0,000001*2500)=0,27,
P(3000)=e-(519,413*0,000001*3000)=0,21,
P(3500)=e-(519,413*0,000001*3500)=0,16.
Полученные данные сводим в таблицу 6.2
Таблица 6.2
Зависимость вероятности безотказной работы от времени эксплуатации
t, ч. | 500 | 1000 | 1500 | 2000 | 2500 | 3000 | 3500 |
P(t) | 0,77 | 0,59 | 0,45 | 0,35 | 0,27 | 0,21 | 0,16 |
По полученным данным строим график зависимости вероятности безотказной работы блока от времени эксплуатации.
P(t),ч.t,ч.
Рис. 6.1.
6.4.Расчет вероятности безотказной работы после замены элементов
Техническое обслуживание блока проводилость после эксплуатации в течении 500 часов, при этом обслуживании произведена замена транзистора КТ315А.
lСХЕМЫ=lСХЕМЫ1+lVT1 1/ч., (6.35)
где lСХЕМЫ1-интенсивность отказов без lVT1
lСХЕМЫ=519,413+15,12 1/ч.
Производим расчет вероятности безотказной работы блока для ранее определенных интервалов времени, результаты заносятся в таблицу 6.3.
P(500)= e-(519,413*0,000001+15,12*0,000001)=0,99,
P(1000)= e-(519,413*0,000001+15,12*0,000001*500)=0,85,
P(1500)= e-(519,413*0,000001+15,12*0,000001*1000)=0,72,
P(2000)= e-(519,413*0,000001+15,12*0,000001*1500)=0,61,
P(2500)= e-(519,413*0,000001+15,12*0,000001*2000)=0,52,
P(3000)= e-(519,413*0,000001+15,12*0,000001*2500)=0,44,
P(3500)= e-(519,413*0,000001+15,12*0,000001*3000)=0,38.
Таблица 6.3
t, ч. | 500 | 1000 | 1500 | 2000 | 2500 | 3000 | 3500 |
P(t) | 0,99 | 0,76 | 0,58 | 0,44 | 0,34 | 0,26 | 0,20 |
Cреднее время работы повысилось на 525 часов.
6.5.Расчет показателей ремонтопригодности
6.5.1.Среднее время восстановления ТВ
ТВ=(t1+t2+t3+t4+t5)/5 ч., (6.36)
где t-реальные затраты времени на ремонт блоков,
ТВ=(1+2,5+3+3,5+4)/5=3 ч.
6.5.2.Вероятность восстановления в заданное время P(tВ)
P(tВ)=1-e-(tв/Tв) , (6.37)
где tВ-нормативное время ремонта
P(tВ)=1-e-(3,5/3)=0,69.
6.5.3.Коэффициент готовности КГ
КГ=Т0/(Т0+ТВ), (6.38)
КГ=1925/(1925+3)=0,998.
6.5.4.Коэффициент технического обслуживания КТИ
КТИ=tИР/(tИР+tР+tТО), (6.39)
где tИР-время исправной работы в течении года;
tР-время на ремонт;
tТО-время на техническое обслуживание.
КТИ=2000/(2000+3,5+4)=0,996.
6.5.5.Расчет количества запасных элементов.
Расчет производим на годичный срок эксплуатации и 1000 блоков.
tP*NЭ*n
mЭ= ---------------= tP*NЭ*n*lЭ , (6.40)
T0
mVT1=2000*3*5,04*10-6*1000=30 шт.,
mVD3=2000*4*0,452*10-6*1000=3 шт.,
mVТ3=2000*6*0,84*10-6*1000==10 шт.,
mМС=2000*4*0,01*10-6*1000==1 шт.
7.ТЕХНОЛОГИЯ РЕМОНТА И РЕГУЛИРОВКИ
7.1.Анализ возможных неисправностей
Перечень неисправностей наиболее часто встречающихся в блоке цветности БЦ-10 , представлены в табл. 7.1.
Перечень неисправностей
Таблица 7.1.
Признак неисправности | Возможная причина |
Экран светится одним каким-либо цветом, видны линии обратного хода разверток | транзисторы VT3-VT5, VT7-VT9; микросхема D3. |
Отсутствует цвет на цветном изображении | неисправна микросхема D1 или D4 |
Нет черно-белого изображения | неисправен C1,C5,R17, микросхема D2, R33,DT1 |
Не регулируется контрастность | неисправен делитель R20,R24,R25,неисправна микросхема D2 |
Не регулируется яркость | неисправны элементы C20,R31,C23,R10,D2 |
Нет зеленого цвета | неисправна микросхема D2, элементы C26,VT5,R77 |
7.2.Стандартные операции ремонта
При проверке отдельных элементов схемы следует убедиться в исправности постоянных и переменных резисторов как внешним осмотром , так и проверкой омметром. При исправном резисторе омметр должен показать номинальное значение сопротивления. У переменных резисторов дополнительно проверяют плавность хода подвижной части, отсутствие люфта, качество контакта подвижной части с неподвижной, значение начального скачка сопротивления и другие показатели.
Конденсаторы (неэлектролитические) можно проверить на пробой омметром. В случае пробоя омметр покажет короткое замыкание. Множитель омметра при проверке конденсаторов необходимо поставить в положение “´100” или “´1000”. Конденсаторы емкостью в несколько сотых, десятых, единиц или десятков микрофарад при подобной проверке дают отклонение стрелки прибора вправо и быстрое ее возвращение в начальное положение к отметке “¥“. Перед проверкой конденсатора один его вывод необходимо выпаять.
Электролитические конденсаторы также проверяют омметром. Для этого переключатель омметра надо установить на “´100” или “´1000”. Если конденсатор исправен , то при соединении омметра с выводами конденсатора стрелка сначала значительно отклонится, а затем медленно возвратится в начальное положение к отметке “¥“. Если электролитический конденсатор потерял емкость, то стрелка почти не будет отклоняться. В случае большой утечки стрелка отклонится, а затем медленно возвратится влево и остановится на значительном расстоянии от начального положения, т.е. значения “¥“.
Катушки индуктивности и дроссели , а также обмотки трансформаторов также проверяют омметром. При обрыве обмотки омметр покажет бесконечно большое сопротивление. Часто встречается такая неисправность , как короткозамкнутые витки, когда несколько витков из-за нарушения изоляции провода замыкаются между собой. Встречаются случаи замыкания обмотки на металлический экран , которые также обнаруживают омметром. При проверке трансформаторов необходимо убедиться в исправности изоляции между обмотками.
Исправность полупроводниковых приборов проверяется омметром. Для проверки диодов необходимо отпаять один из выводов, чтобы исключить влияние остальных элементов схемы, и измерить прямое и обратное сопротивление перехода. Сопротивление диода в обратном направлении будет намного больше, чем в прямом. Такой диод исправен. В противном случае диод нужно заменить.
Транзисторы также можно проверять замером прямого и обратного сопротивления переходов. У маломощных транзисторов обратное сопротивление в сотни и тысячи раз больше прямого. У транзисторов средней и большой мощности обратное сопротивление в сотни и тысячи раз превышает прямое. Убедиться в исправности транзистора можно также измерением сопротивлений транзистора при отключенном коллекторном выводе. Для этого омметр подключают между базой и коллектором, а затем - между базой и эмиттером. В первом случае прибор покажет малое сопротивление, во втором - сравнительно большое (сотни Ом , единицы кОм или десятки кОм- в зависимости от типа транзистора). Более тщательно транзисторы проверяют специальными приборами для измерения параметров транзисторов или тестером (например Ц-4341), который позволяет измерять значения статического коэффициента усиления и обратного тока коллектора.