Расчёт элементов эмиттерно-связанной логике (стр. 2 из 3)

R₂=708 Ом R₄=2124 Ом R₆=2360 Ом R₈=2360 Ом R_б=50 кОм

2.5 Из формулы:

, (2.5)

определяем входной ток логической единицы (через каждый открытый эмиттерный переход):

2.6 Из формулы:

, (2.6)

Определить ток логического «0» определяемый сопротивлением R_б в цепи базы закрытого транзистора.

2.7 Из формулы:

, (2.7)

определяем напряжение порога переключения:

2.8 Из формулы:

, (2.8)

определяем ширину активной зоны:

2.9 Из формулы:

, (2.9)

определяем логический перепад:

2.10 Из формулы:

, (2.10)

определяем напряжение статической помехоустойчивости по уровню “0” и “1”.

2.11 Из формулы:

, (2.11)

определяем ток логической части элемента :

2.12 Из формулы:

(2.12)

и

, (2.13)

определяем точки эмиттерных повторителей:

2.13 Из формулы:

(2.14)

и

, (2.15)

определяем ток источника опорного напряжения:

2.14 Из формулы:

, (2.16)

определяем общий ток, потребляемый элементом в состоянии “0” и (“1”):

2.15 Из формулы:

, (2.17)

определяем мощность потребляемым логической частью элемента:

2.16 Из формулы:

, (2.18)

определяем мощность эмиттерных повторителей:

2.17 Из формулы:

, (2.19)

определяем мощность потребляемую источником опорного напряжения:

2.18 Из формулы (2.17), (2.18), (2.19) определяемм суммарную мощность потребляемая элементом (одинаковая для состояния “0” и “1”):

2.19 Из формулы:

, (2.20)

, (2.21)

определяем и :

2.20 Из формулы:

, (2.22)

определяем входное сопротивление элемента, когда на входе действует напряжение логического “0”:

2.21 Из формулы:

, (2.23)

определяем входное сопротивление элемента, когда на его входе действует напряжение логической “1”:

2.22 Из формулы:

, (2.24)

определяем входное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логического “0”:

2.23 Из формулы (24) определяем выходное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логической “1”:

Расчёт динамических параметров

2.24 Из формулы:

, (2.25)

где f_T – граничная частота усиления транзистора.

При f_T=11 МГц определяем:

2.25 Из формулы:

, (2.26)

и

, (2.27)

где М – количество транзисторов в схеме VT₁¸VT₃, VT₆; С_к - ёмкость коллекторных переходов транзисторов; С_п1 – паразитная ёмкость металлических соединений и изоляции транзисторов и резистора R₁; С₂ – ёмкость на выходе транзистора VT₆; В – статическое значение коэффициента усиления транзистора VT₆; С_н – ёмкость нагрузки; С_п2 – паразитная ёмкость изоляции резистора R₆ и металлических соединений подключенных к выходу схемы.

При М=4, С_к=2 пФ, С_п1= 1 пФ, С_н=30 пФ, С_п2= 2 пФ.

2.26 Из формулы:

, (2.28)

2.27 Из формулы:

, (2.29)

2.28 Из формулы:

, (2.30)

определяем время спада:

2.29 Из формулы:

, (2.31)

определяем время наростания потениала:

2.30 Из формулы:

, (2.32)

определяем задержку при включении:

2.31 Из формулы:

, (2.33)

определяем задержку при выключении:

2.32 Из формулы:

, (2.34)

определяем среднюю задержку распространения:

2.33 Из формулы:

, (2.35)

определяем время перехода из состояния “1” в состояние “0”:

2.34 Из формулы:

, (2.36)

определяем время перехода из состояния “0” в состояние “2”:

2.35 Из формулы:

, (2.37)

2.36

Т.к. и , то время задержки выключения равно времени задержки включения: = =28,5 нс