Определение параметров p-n перехода (стр. 1 из 2)

«МАТИ»-РГТУ

им. К. Э. Циолковского

тема: «Определение параметров p-n перехода»

Кафедра: "Xxxxxxxxxxxxxxxxxxxx

xxxxxxxxxxxxxxxx"

Курсовая работа

студент ХxxxxxxxX. X.группа XX-X-XX

дата сдачи

оценка

г. Москва 2001 год

Оглавление:

1. Исходные данные	3
2. Анализ исходных данных	3
3. Расчет физических параметров p- и n- областей	3
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны	3
б) собственная концентрация	3
в) положение уровня Ферми	3
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда	4
д) удельные электропроводности p- и n- областей	4
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок	4
ж) диффузионные длины электронов и дырок	4
4. Расчет параметров p-nперехода	4
a) величина равновесного потенциального барьера	4
б) контактная разность потенциалов	4
в) ширина ОПЗ	5
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении	5
д) тепловой обратный ток перехода	5
е) график ВФХ	5
ж) график ВАХ	6, 7
5. Вывод	7
6. Литература	8

1. Исходные данные
1) материал полупроводника – GaAs2) тип p-nпереход – резкий и несимметричный3) тепловой обратный ток ( ) – 0,1мкА4) барьерная ёмкость ( ) – 1пФ5) площадь поперечного сечения ( S) – 1мм2 6) физические свойства полупроводника
Ширина запрещенной зоны, эВ	Подвижность при 300К, м2/В×с		Эффективная масса		Время жизни носителей заряда, с	Относительная диэлектрическая проницаемость
	электронов	Дырок	электрона mn/me	дырки mp/me
1,42-8	0,85-8	0,04-8	0,067-8	0,082-8	10-8	13,1-8
2. Анализ исходных данных
1. Материал легирующих примесей: а) S (сера) элемент VIA группы (не Me) б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me) 2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -33. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)4. – ширина запрещенной зоны5. , – подвижность электронов и дырок 6. , – эффективная масса электрона и дырки7. – время жизни носителей заряда
8. – относительная диэлектрическая проницаемость
3. Расчет физических параметров p- и n- областей
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны б) собственная концентрация в) положение уровня Ферми (рис. 1) (рис. 2)