Туннельные |
Планар-ные |
Слоистые высокотемпературные |
Двухмерные сверхрешетки |
Трехмерные сверх- решетки |
Криостат ( от крио… и греч. Statos – стоящий, неподвижный), термостат, рабочий объем которого поддерживается при криогенных температурах за счет постороннего источника холода. Обычно в качестве источника холода (хладагента) применяют сжиженные или отвержденные газы с низкими температурами конденсации ( азот, водород, гелий и др.). По уровню поддерживаемой температуры и роду используемого хладагента различают криостат гелиевого, водородного и азотного уровней охлаждения. Температуру помещенного в криостат объекта регулируют изменением давления паров хладагента либо с помощью системы терморегулирования, установленной между источником холода и объектом.
(Рис. 4) Сверхпроводящий криоэлектронный резонатор
-резонатор с высоким значением добротности (до 1011)
Список литературы
1. АлфеевВ.Н. "Радиотехника низких температур", М., 1966г.
2. АлфеевВ.Н. "Полупроводники, сверхпроводники и параэлектрики в криоэлектронике", М., 1979г.
3. "Большая советская энциклопедия", М., 1985г.
4. Вендак О.Г., Гарин Ю.Н. "Криогенная электроника, М., 1977г.
5. Губанков В.Н. "Итоги науки и техники, серия радиоэлектроника, т.38", М., 1987г.
6. ДжаллиУ.П. "Криоэлектроника", М., 1975г.
7. " Криогеника", М., 1986г.
8. Интернет: сервер NASA (www.nasa.gov)
9. " Электроника: Энциклопедический словарь", М., 1991г.
[1]Proceeding of the IEEEE, №10, 1964
[2]В.Н. Алфеев, Радиотехника низких температур, М., изд-во "Советское радио", 1964
[3]Точнее: 4,216 К (гелий); 20,39 К (водород); 77,3 К (азот), 90,2 (кислород).—Прим. перев
[4] Эффект Джозефсона - протекание сверхпроводящего тока через тонкий слой изолятора, разделяющий два сверхпроводника ( так называемый контакт Джозефсона). Если ток не привышает критического значения то падение напряжения на контакте отсутствует, если привышает то возникает падение напряженияи контакт излучает ЭМ волны.
[5] Приложение (таблица № 1 )
[6] См. приложения: рис. 3
[7] См. приложения: рис. 2
[8] См. приложения: рис. 4
[9] Приложение (Рисунок 1)