ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ (стр. 3 из 4)

,

описывается выражением:

,

где

;

;

Очевидно что при неизменном R_к коэффициент усиления К₀ - не изменится.

;

_в , и параметры рассчитанные по формулам 5.7, 5.8, 5.9.

L_к = 75*6.55*10^-9 =4.9*10^-9 (Гн)

τ_к =

f_в каскада равна:

7. Промежуточный каскад

7.1 Расчет рабочей точки. Транзистор VT2

Рисунок 7.1 - Предварительная схема усилителя

Возьмем Rк = 800 (Ом).

(Ом)

В

Кроме того при выборе транзистора следует учесть: f_в=14 (МГц).

Этим требованиям соответствует транзистор КТ339А. Однако данные о его параметрах при заданном токе и напряжении недостаточны, поэтому выберем следующую рабочую точку:

I_ко= 5мА

U_кэо=10В

Таблица 7.1 - Параметры используемого транзистора

Наимено-вание	Обозначение	Значения
Ск	Емкость коллекторного перехода	2 пФ
Сэ	Емкость эмиттерного перехода	4 пФ
Fт	Граничная частота транзистора	300 МГц
Βо	Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	100
Tо	Температура окружающей среды	25оС
Iк	Постоянный ток коллектора	25 мА
Тперmax	Температура перехода	448 К
Pрас	Постоянная рассеиваемая мощность (без теплоотвода)	0,26 Вт

Рассчитаем параметры эквивалентной схемы для данного транзистора используя формулы 5.1 - 5.13.

Ск(треб)=Ск(пасп)*

=2× =1,41 (пФ), где

Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при заданном Uкэ0,

Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).

rб=

=17,7 (Ом); gб= =0,057 (Cм), где

rб-сопротивление базы,

-справочное значение постоянной цепи обратной связи.

rэ=

= =6,54 (Ом), где

Iк0 в мА,

rэ-сопротивление эмитера.

gбэ=

= =1,51(мСм), где

gбэ-проводимость база-эмитер,

-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Cэ=

= =0,803 (пФ), где

Cэ-ёмкость эмиттера,

fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой

=1

Ri=

=1000 (Ом), где

Ri-выходное сопротивление транзистора,

Uкэ0(доп), Iк0(доп)-соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора.

gi=1(мСм).

(Ом) (7.1)

(7.2)

– входное сопротивление и входная емкость нагружающего каскада.

(7.3)

(См)

- верхняя граничная частота при условии что на каждый каскад приходится по 0,75 дБ искажений. Желательно ввести коррекцию.

7.1.1 Расчет высокочастотной индуктивной коррекции

Схема высокочастотной индуктивной коррекции представлена на рисунке 7.2.

Рисунок 7.2 - Схема высокочастотной индуктивной коррекции

промежуточного каскада

Высокочастотная индуктивная коррекция вводится для коррекции искажений АЧХ вносимых транзистором. Корректирующий эффект в схеме достигается за счет возрастания сопротивления коллекторной цепи с ростом частоты усиливаемого сигнала и компенсации, благодаря этому, шунтирующего действия выходной емкости транзистора.

Расчетные формулы:

,

,

где

;

;

При неизменном R_к коэффициент усиления не будет изменятся.

;

τ ,τ_в и S₀ рассчитываются по 5.7, 5.8, 5.9.

(Гн)

с

= - верхняя граничная частота корректированного каскада при условии что на каждый каскад приходится по 0,75 дБ искажений.

7.1.2 Расчет схемы термостабилизации

Используем эмиттерную стабилизация поскольку был выбран маломощный транзистор, кроме того эмиттерная стабилизация уже применяется в рассчитываемом усилителе. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.

Порядок расчета:

1. Выберем напряжение эмиттера

, ток делителя и напряжение питания ;

2. Затем рассчитаем

.

Напряжение эмиттера

выбирается равным порядка . Выберем .

Ток делителя

выбирается равным , где - базовый ток транзистора и вычисляется по формуле:

(мА);

Тогда:

мА

Напряжение питания рассчитывается по формуле:

(В)

Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:

(Ом);

(кОм);

(кОм);

В диапазоне температур от 0 до 50 градусов для рассчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлемую стабилизацию.