Исследование влияния технологических факторов на скорость получения и качество пленок оксида к (стр. 1 из 2)

Министерство образования и науки Российской Федерации

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

(ТУСУР)

Кафедра РЭТЭМ

Доклад

Исследование влияния технологических факторов на скорость получения и качество пленок оксида кремния.

Выполнил студент гр. 232-5:

______ Кравченко К.В.

«__» декабря 2004 г.

Принял:

______ Чикин Е.В.

«__» __________ 2004 г.

- Томск 2004 -

1. Введение.

Общим для диэлектрических пленок различного назначения является требование технологичности, под которой понимают, прежде всего, совместимость процессов получения покрытия с изготовлением структура ИМС в целом. Технологичными следует считать также процессы, осуществляемые при не высоких температурах нагрева пластины и обеспечивающие приемлемую для производства скорость роста пленки. Загрязнения пленки, ухудшающие электрические свойства, должны отсутствовать. Поэтому химическое и электрохимическое выращивание пленок в растворах и электролитах при производстве полупроводниковых ИМС находит ограниченное применение.

Эксплуатационным требованиям достаточно полно отвечает окись кремния, получаемая при нагревании его поверхности в присутствии кислорода (термическое окисление). Термически выращенный окисел SiO₂ обладает наилучшими маскирующими свойствами и высокими электрическими параметрами. Склонность окиси кремния к стеклообразованию способствует к получению беспористой пленки. Хорошо растворяясь в плавиковой кислоте, SiO₂ в то же время практически стабильна по отношению к смесям HF+HNO₃ и другим реагентам, что позволяет эффективно использовать ее в качестве маски при селективном травлении кремния.

Процесс окисления выполняют в эпитаксиальных установках или в однозонных диффузионных печах со специальными газораспределительными устройствами. Он хорошо согласуется с типовыми операциями физико-термической обработки. На практике разгонку примеси при диффузии совмещают с окислением поверхности дорожек. Окисление поверхности после эпитаксии также выполняется на одной установке в едином цикле.

При окислении образуются химические связи между атомами кислорода, в результате чего плотность поверхностных состояний уменьшается на несколько порядков по сравнению с атомарно чистой поверхностью¹. Достаточно толстый переходный слой, существующий на границе SiO₂ и Si, обуславливает слабое изменение ТКР, что снижает внутренне натяжение и уменьшает коробление пластин после их охлаждения.

2. Механизм получения пленок SiO₂ методом термического окисления.

Наиболее широко применяемый метод формирования пленок SiO₂ – окисление кремния при высоких температурах – термическое окисление.

Пленки SiO₂ толщиной 0,5…1 нм образуются на кремнии уже при комнатной температуре как при хранении на воздухе, так и при обработке в различных растворителях, используемых для очистки и травления поверхности.

После образования первого слоя SiO₂ на поверхности кремния дальнейший рост слоя может протекать по двум механизмам. Первый механизм предполагает диффузию кислорода через приповерхностный слой SiO₂ к поверхности кремния и реакцию на этой поверхности с образованием нового моноатомного слоя SiO₂. Согласно второму механизму к поверхности диоксида диффундирует кремний и соединяется там с кислородом. Экспериментальными исследованиями было доказано, что второй механизм не играет существенной роли в процессе окисления, так как скорость диффузии кремния в диоксидах на несколько порядков меньше скорости диффузии кислорода. Таким образом, механизм окисления складывается из нескольких последовательных стадий: диффузии кислорода (или другого окислителя) из газового потока к поверхности кремниевой пластины; адсорбции кислорода этой поверхностью; реакции окисления кремния – образования первоначального слоя SiO₂; диффузии окислителя через этот слой к поверхности кремния, где протекает следующая реакция окисления.

Характер зависимости толщины окисла от времени окисления при постоянных температурах и давлении окислителя показан на рисунке 1. Условно эту зависимость можно разбить на четыре участка, каждый из которых может быть аппроксимирован функцией Xo= f(t) определенного вида.

Рисунок 1

Вид зависимости толщины окисла Хо от времени окисления t при постоянных температуре и давлении газообразного окислителя.

Участок 1, соответствующий начальному периоду окисления, описывается линейной функцией Хо/Кс = t. Скорость роста пленки на этом этапе постоянна и определяется скоростью поверхностной реакции: dXo/dt = Kc, где Кс – константа скорости химической реакции на поверхности (мкм/с). Линейный участок отвечает узкому интервалу толщин окисла (~ до 0,01 – 0,02 мкм), которые на практике не применяются.

По мере роста пленки фронт химической реакции продвигается в глубь кремниевой пластины. Все большую роль начинает играть диффузия окислителя через окисел к границе раздела SiO₂ – Si. Замедленная доставка кислорода к границе раздела приводит к изменению вида зависимости на линейно-параболическую

(участок 2). Здесь k_Д – константа диффузии окислителя через окисел (мкм²/с). Скорость роста пленки на этом участке убывает в соответствии с выражением .

На участке 3 скорость процесса окисления ограничена диффузией окислителя через окисел и зависимость толщины от времени приобретает параболический характер

. Скорость роста пленки быстро убывает с толщиной: .

На участке 4 толщина растущего окисла приближается к некоторому придельному значению

, которое зависит от вида окислителя, его давления в газовой фазе и от температуры процесса. Время, необходимое для диффузии окислителя через окисел, возрастает, что приводит к значительному уменьшению скорости роста пленки, а зависимость становится логарифмической. Процесс окисления на этом этапе не эффективен, его надо заканчивать в конце участка 3.

Константы k_Д и k_С могут быть найдены из уравнения Аррениуса:

, где Ea – энергия активации; Т – абсолютная температура; k – постоянная Больцмана; Ко – константа, линейно зависящая от давления газообразного окислителя, а также от кристаллографической ориентации плоскости подложки.

Поскольку k_Д и k_С зависят от температуры, интервалы толщин окисла и времени на каждом участке также зависят от температуры.

Если требуется вырастить пленку максимальной толщины, то выбирают экономически целесообразное время процесса, соответствующее граничной области между 3 и 4 участками. При выращивании пленок расчетной толщины (например, подзатворный окисел в МДП-структурах) процесс заканчивают на 2 или 3 участках. Время окисления жестко контролируют.

Для определения времени, необходимого для окисления, используют экспериментальные зависимости

, которые строят обычно в логарифмическом масштабе (рисунок 2).

а) б)

Рисунок 2

Зависимость толщины окисла кремния от времени окисления в сухом кислороде (а) и водяном паре (б) при нормальном давлении (~0,1 МПа).

3. Анализ влияния технологических параметров на процесс окисления кремния.

В зависимости от окислительной среды различают термическое окисление в сухом кислороде, в парах воды и комбинированное.

Термическое окисление в сухом кислороде характеризуется наибольшей продолжительностью вследствие высокой энергии активации процесса диффузии молекул кислорода через растущий окисел (~ 1,3 – 1,4 эВ), что обуславливает малое значение константы диффузии k_Д. Из рисунка 2,а, видно, что для получения пленки SiO₂ толщиной, например, 1 мкм при температуре 1300 ^оС требуется 15 часов. Преимуществом рассматриваемого процесса является высокое качество пленки, о чем свидетельствует ее высокая плотность (2,27 г/см³).

Термическое окисление в атмосфере водяного пара (гидротермальное окисление) значительно ускоряет процесс окисления кремния. Как и при окислении в сухом кислороде, тонкий слой окисла образуется за счет хемосорбции². В дальнейшем молекулы воды диффундируют через окисел к границе раздела SiO₂ – Si, где происходит реакция H₂O+Si→ SiO₂+H₂. Таким образом, процесс протекает в две стадии. Водород, выделяющийся на границе раздела, достаточно быстро диффундирует к поверхности окисла.

Как следует из рисунка 2,б, окисел толщиной 1 мкм при температуре до 1300 ^оС получается за 1 час, при снижении температуры до 1000 ^оС время увеличивается до 4 часов.

Более высокая скорость роста пленки по сравнению с окислением в атмосфере сухого кислорода, объясняется меньшим диаметром молекулы окислителя, меньшей энергией активации процесса диффузии (~ 0,8 эВ) и большей константой диффузии k_Д. Так как константы диффузии и поверхностной реакции пропорциональны давлению водяного пара, то, повышая давление, можно сокращать время выращивания пленок заданной толщины. Так, при температуре 1000 ^оС и давлении 2 МПа, пленка толщиной 1 мкм получается примерно за 10 мин. Окисление при повышенном давлении водяного пара (ускоренное гидротермальное окисление) позволяет не только снижать температурное воздействие на пластину, но и получать более толстые (2 – 3 мкм) пленки SiO₂.