64. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, V.G. Malyshkin, I.P. Ipa-tova, P.S. Kop'ev, D Bimberg. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 24-28, 1996; p. 439.
65. J.D. Eshelby. Proc. R. Soc. London, Ser. A, 241, 376 (1957).
66. V.A. Markov, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov et al. Surf Sci., 250, 229 (1991).
67. I. Goldfarb, P.T Hayden, J.H.G. Owen, G.A.D. Briggs. Phys. Rev. Lett., 78, 3959 (1997); Phys. Rev. B, 56, 10459 (1997).
68. Y Kim, B.D. Min, E.K. Kim. J. Appl. Phys., 85, 2140 (1999).
69. J. Zhu, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 73, 620 (1998).
70. J. Johansson, W Seifert Appl. Surf Sci., 148, 86 (1999).
71. O.P. Pchelyakov, I.G. Neisvestnyi, Z.Sh. YanovitskayaPhys. Low-Dim. Structur., 10/11, 389 (1995).
72. J.A. Floro, E. Chason, M.B. Sinclair, L.B. Freund, G.A. Lucadamo. Appl. Phys. Lett., 73, 951 (1998).
73. H. Omi, T. Ogino. Appl. Surf Sci., 130-132, 781 (1998).
74. G. Springholz, V Holy, M. Pinczolits, G. Bauer. Science, 282, 734 (1998).
75. Y.W. Zhang. S.J. Xu, C.-H. Chiu. Appl. Phys. Lett., 74, 1809 (1999).
76. J.A. Floro, V.B. Sinclair, E. Chason et al. Phys. Rev. Lett., 84, 701 (2000).
77. F. Liu, M.G. Lagally. Surf Sci., 386, 169 (1997).
78. G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W Jager. Semicond. Sci. Technol., ¨11, 1521 (1996).
79. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 75, 1413 (1999).
80. C.S. Peng, Q. Huang, W.Q. Cheng et al. Appl. Phys. Lett., 72, 2541 (1998).
81. M. Abdallah, I. Berbezier, P. Dawson, M. Serpentini, G. Bremond, B. Joyce. Thin Sol. Films, 336, 256 (1998).
82. J. Zhu, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 72, 424 (1998).
83. K. Sakamoto, H. Matsuhata, M.O. Tanner, D. Wang, K.L. Wang. Thin Sol. Films, 321, 55 (1998).
84. H. Omi, T. Ogino. Appl. Surf. Sci., 130-132, 781 (1998).
85. H. Omi, T. Ogino. Phys. Rev. B, 59, 7521 (1999).
86. D. Martou, P. Gentile, N. Magnea J. Cryst Growth. 201/202, 101 (1999).
87. Y. Homma, P. Finnie, T. Ogino, H. Noda, T. Urisu. J. Appl. Phys., 86, 3083 (1999).
88. C.W Oh, E. Kim, Y.H. Lee. Phys. Rev. Lett., 76, 776 (1996).
89. A. Nagashima, T. Kimura, J. Yoshino. Appl. Surf. Sci., 130-132,248 (1998).
90. T. Tezuka, N. Sugiyama J. Appl. Phys., 83, 5239 (1998).
91. V. Le Thanh. Thin Sol. Films, 321, 98 (1998).
92. X. Deng, M. Krishnamurthy. Phys. Rev. Lett., 81, 1473 (1998).
93. O.G. Schmidt, С Lange, K. Eberl, О Kienzle, F. Ernst Thin Sol. Films, 321 70 (1998).
94.О. Leifeld, R. Hartmann, E. Muller, E. Kaxiras, K. Kern, D. Grutzmacher. Nanotechnol., 10, 122 (1999).
95. E.S. Kim, N. Usami, Y Shiraki. Appl. Phys. Lett., 72, 1617 (1998).
96. A.A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa Appl. Phys. Lett., 72, 320 (1998).
97. T.I. Kamins, R.S. Williams. Appl. Phys. Lett., 71, 1201 (1997).
98. T.I. Kamins, R.S. Williams, D.P. Basile. Nanotechnol., 10, 117 (1999).
99. B.Г. Maлышкин, B.A. Щукин. ФTП, 27, 1932 (1993).
100. V.A. Shchukin. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 24-28, 1996; p. 175.
101. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. ¨Proc. 7th Int Conf. Modulated Semicond. Struct., Madrid, July, 10-14, 1995 [Sol. St Electron., 40, 785 (1996)].
102. Ж.И. Алферов, H.A. Беpт, A.IO. Eropов, A.E. Жуков, П.С. Копьев, И.JI. Kpecтников, H.H. Jleденцов, A.B. Лунев, M.B. Maксимов, A.B. Caxapов, B.M. Устинов, A. Ф. Цапульников, IO.M. Шерняков, Д. Бимбepr. ФТT, 30, 351 (1996).
103. N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.V. Zaitsev, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, M.V Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, U. Gosele, S.S. Ruvimov. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 421, 133 (1996).
104. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, S.V Zaitsev, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54, 8743 (1996).
105. N.N. Ledentsov. Proc. 23rd Int. Conf on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, July 21-26, 1996, ed.by M. Scheffler, R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996), v. 1. p. 19.
106. N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.V. Kochnev, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, O.A. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele. Appl. Phys. Lett.,¨ 69, 1095 (1996).
107. Cho А. К, Arthur J. R. — Progr. Solid State Chem., 1975, v. 10, p. 157.
108. Chang L. L., Esaki L., Howard W. E, Ludeke R. — J. Vacuum Sci. Technol.1973, v. 10, p. 11.
109. Esaki L., Chang L.L. — Thin Solid Films, 1976, v. 36, p. 285.
110. Dingle R. — In: Advances in Solid State Physics, v. 15./Ed. H. J. Queisser. —Braunschweig: Pergamon-Vieweg, 1975, p. 21.
111. Manuel P., Sai-Halasz G. A., Chang L. L., Chang С A., Esaki L. — Phys.Rev. Lett., 1976, v. 37, p. 1701.
112. Chang L. L., Sakaki H., Chang С A., Esaki L. — Phys. Rev. Lett., 1977,v. 38, p. 1489.
113. Gossard A. C,- Petroff P. M., Wiegmann W., Dingle R., Savage A. — Appl.Phys. Lett., 1976, v. 29, p. 323.
114. Holonyak N, Kolbas R. M., Laidig W. D., Vojak B. A. — Appl. Phys. Lett.,1978, v. 33, p. 737.
115. Dingle R., Stormer H. L., Gossard A. C, Wiegmann W. — Appl. Phys. Lett.,1978, v. 33, p. 665.
116. von Klitzing K., Obloh H., Ebert G., Knecht J., Ploog K. — In: Precision Measurement and Fundamental Constants. II./Eds. B. N. Taylor,W. D. Phillips. — Nat. Bur. Stand. (USA) Spec Publ. No. 617, 1984, p. 519.
117. Tsui D. C, Stormer H. L., Gossard А. С — Phys. Rev. B, 1982, v. 25, p. 1405. [Имеется пер. в сб.: Квантовый эффект Холла. М.: Мир,1986, с. 69.]
118. Tsui D. С, Stormer Н. L., Gossard А. С. - Phys. Rev. Lett., 1982, v. 48, p. 1559. [Имеется пер. в сб.: Квантовый эффект Холла. М.: Мир, 1986, с. 83]
119. Chang L. L., Esaki L. — Surf. Sci., 1980, v. 98, p. 70
120. Sai-Halasz G. A., Tsu R., Esaki L. — Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, p. 651.
121. Sakaki H., Chang L. L., Ludeke R., Chang СA., Sai-Halasz G. A., Esaki L. — Appl. Phys. Lett., 1977, v. 31, p. 211.
122. Sai-Halasz G. A., Esaki L., Harrison W. A. — Phys. Rev. B, 1978, v. 18,p. 2812.
123. Chang L. L., Kawai N., Sai-Halasz G. A., Ludeke R., Esaki L. — Appl. Phys.Lett., 1979, v. 35, p. 939.
124. Kawai N., Chang L. L., Sai-Halasz G. A^ Chang СA., Esaki L. — Appl.Phys. Lett., 1980, v. 36, p. 369.
125. Ploog K., Fischer A., Kunzel H.- J. Electrochem. Soc, 1981, v. 128, p. 400.
126. Dohler G. H. — Phys. Stat. Sol. (b), 1972, v. 52, p. 79, 533.
127. Dohler G. H. — In: Advances in Solid State Physics, /Ed. P. Grosse. — Braunschweig: Vieweg, 1983, v. 23, p. 207.
128. Galazka R. R. — In: Physics of Semiconductors 1978. Inst. Phys. Conf. Ser.43./Ed. R L. H. Wilson. — London: Inst. of Physics, 1979, p. 133.
129. von Ortenberg M. — Phys. Rev. Lett., 1982, v. 49, p. 1041.
130. Datta S., Furdyna J. K., Gunshar R. L. — Superlattices and Microstructures,1985, v. 1, p. 327.
131. Kolodziejski L. A., Bonsett T. C, Gunshor R. L., Datta S., 'Bylsma R. R, Becker W. M, Otsuka N. —Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, p. 440.
132. Bicknell R. N, Yanka R. W., Giles-Tbylor N. С Blanks D. K., Buckland E L.Schetzina J. F. — Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, p. 92.
133. Esaki L., Chang L. L., Mendez E. E. — Japan J. Appl. Phys., 1981, v. 20,p. L529.
134. Gobelli G. W., Allen EG—Phys. Rev., 1965, v. 137A, p. 245.
135. Шик А. Я. — ФТП, 1974, т. 8, с. 1841.
136. Miller R. С, Gossard А. С, Kleinman D. A., Munteanu О. — Phys. Rev. В,1984,v. 29, р. 3740.
137. Miller R. С, Kleinman D. A., Gossard А. С. — Phys. Rev. В, 1984, v. 29, p. 7085.
138. Batey 1, Wright S. L., DiMaria D. J. — J. Appl. Phys., 1985, v. 57, p.484.
139. Okumura H, Misawa S., Yoshida S., Gonda S. — Appl. Phys. Lett., 1985,v. 46, p. 377.
140. Kroemer H. — Appl. Phys. Lett., 1985, v. 46, p. 504.
141. Arnold D., Ketterson A Henderson T.Klem J., Morkoc H. — J. Appl. Phys.,1985,v. 57, p. 2880.
142. Kelly M. K, Niles D. W., Colavita E., Margaritondo G, Henzler M. — Appl.Phys. Lett., 1985, v. 46, p. 768.
143. Hickmott T. W., Solomon P. M., Fischer R., Morkoc H. — J. Appl. Phys.,1985, v. 57, p. 2844.
144. Meynadie'r M. H., Delalande C, Bastard G., Vos M., Alexandre E, Lievin J. L. — Phys. Rev. B, 1985, v. 31, p. 5539.
145. Matthews J. W., Blakeslee A. E. - J. Vacuum Sci. Tfechnol., 1977, v. 14, p. 989.
146. Osbourn G. С — J. Appl. Phys., 1982, v. S3, p. 1586.
147. Osbourn G. С— Phys. Rev. B, 1983, v. 27, p. 5126.
148. Dodson B. W. — Phys. Rev. B, 1984, v. 30, p. 3545.
149. Quillec M., Goldstein L., LeRoux G., Burgeat J., Primot J. — J. Appl. Phys.,1984, v. 55, p. 2904.
150. Tamargo M. C, Hull R., Greene L: H, Hayes J. R., Cho A. Y. — Appl.Phys. Lett., 1985, v. 46, p. 569.
151. Brown J. M., Holonyak N.. Kaliski R. W., Ludowise M. J., Dietze W. Т., Lewis C.R.— Appl. Phys. Lett., 1984, v. 44, p. 1158.
152. Guorley P. L., Biefeld R. M. — Appl. Phys. Lett., 1984, v. 45, p. 749.
153. Speriosu V. S., Nicolet M. A., Picraux S. Т., Biefeld R. M. — Appl. Phys.Lett, 1984, v. 45, p. 223.
154. Fujiyasu H, Takahashi H., Sasaki A., Kuwabara H. — Proc. 17th Intern. Conf.on Physics of Semiconductors. — San Francisco, 1984, p. 539.
155. Voisin P., Delalande C, Bastard G., Voos Af, Chang L. £., Segmuller A.,Chang СA., Esaki L. Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 155.
156. Herman M. A, Pessa M. — J. Appl. Phys., 1985, v. 57, p. 2671.
157. McCaldin J. O., McGill T. C, Mead G. A. — Phys. Rev. Lett., 1976, v. 36,p. 56.
158. Krishnamurthy S., Moriarty J. A. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 209.
159. Abeles В., Tiedje T, — Phys. Rev. Lett., 1983, v. 51, p. 2003.
160. Abeles R, Tiedje Т., Stasiewski H. C, Deckman H. W., Persons P. D., Liang K. S., Roxlo СВ. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 115.
161. Stiles P. J. — Surf. Sci., 1978, v. 73, p. 252.
162. Murase K, Shimomura S., Takaoka S., Ishida A., Fujiyasu H. — Superlatticesand Microstructures, 1985, v. 1, p. 177.
163. Ambrosch K. E, Clemens H., Fantner E. J., Bauer G., Kriechbaum M.,Kocevar P., Nicholas R. J. — Surf. Sci., 1984, v. 142, p. 571.
164. Fujiyasu H., Ishida A., Kuwabara H, Shimomura S., Takaoka S., Kurase K. —Surf. Sci., 1984, v. 142, p. 579.
165. Pichler P., Fantner E. J., Bauer G., Clemens H., Pascher H, von Ortenberg А.Л, Kriechbaum M. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 1.
166. Harrison W. A. — J. Vacuum Sci. Technol., 1977, v. 14, p. 1016.
167. Ploog K., Dohler G. H. — Advances in Phys., 1983, v. 32, p. 285.
168. Ruden P. P., Reinecke T. L., Crowne F. — Superlattices and Microstructures, 1985, v. 1, p. 197.
169. Stormer H. L., Pinczuk A., Gossard A. C, Wiegmann W. — Appl. Phys. Lett.,1981, v. 38, p. 691.
170. Hiyamizu S., Mimura T. — J. Cryst. Growth, 1982, v. 56, p. 455.
171. Dohler G. H. — Physica Scripta, 1981, v. 24, p. 430.
172. Kunzel H, Fischer A., Knecht J., Ploog K. — Appl. Phys., 1983, v. A30, p. 73.7Г. КелдышЛ. В. — ФТТ, 1962, т. 4, с. 2265.
173. Маслюк В. Т., Феннич П. А. — Зарубежная электронная техника, 1981, 8 (241), с. 3.
174. Силин А. П. — УФН, 1985, т. 147, вып. 3, с. 485
175. Bass К G., Tetervov А. Р. Physics Reports, 1986, v. 140, No 5, p. 237.
176. Katayama S., Ando T. J. Phys. Soc Japan, 1985, v. 54, No 4, p. 1615.
177. Levine B. E, Bethea С G., Choi K. K., Walker J, Malik R. J. — J. Appl. Phys., 1988, v. 64, No 3, p. 1591.
178. Stormer H. L., Eisenstein J. P., Gossard A. C, Wiegmann W., Baldwin K. — Phys.Rev. Lett., 1986, v. 56, No 1, p. 85.
179. Movaghar & — Semicond. Sci. Technol., J987, v. 2, No 4, p. 185.
180. Эверитт Х. квантовые вычислительные устройства. Нанотехнология в ближайшем десятилетии / Ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямс и П. Аливисатос. М.: Мир, 2002. С.45.
181. Alivisatos A.P.//Science. 1996. Vol. 271. P. 933.
182. Busch K., John S.// Phys. Rev. 1998. Vol. 58. P.3896.
183. Vlasov Yu.A., Bo X. Zh., Sturm J.C., Norris D.J. // Nature. 2001. Vol. 415. P.289.
184. Iijima S., Ichihashi T. // Nature. 1993. Vol. 363. P. 603.
185. Елецкий А.В. // УФН. 2002. Т. 172. С. 401.
186. Пул Ч., Оуэнс Ф. // Нанотехнологии. Москва: Техносфера, 2006. 336 с.