Cd1-xMnxTe—Cd1-yMnyTe
8. Сверхрешетки с напряженными слоями (СНС) (пять полупроводниковых систем): GaAs—InxGa1-xAs, GaAs—GaAsxP1-x, GaP—GaAsxP1-x, ZnS—ZnSe и GaSb—AlSb.
9. Сверхрешетки вида полуметалл — полупроводник (КРТ): HgTe-CdTe,Hg1-xCdxTe-CdTe
10. Сверхрешетки на основе кремния, в том числе:
- Si—Si1-xGex
- аморфные сверхрешетки из гидрогенизированного аморфного кремния (a-Si:H),
- гидрогенизированного аморфного германия (a-Ge:H),
- нитрида кремния (a-SiNx:H),
- карбида кремния (a- Si1-xCx:H),
11. Композиционные сверхрешетки типа II (тройные соединения):In1-xGaxAsиGaSb1-yAsy,In1-xGaxAs и GaSb1-yAsy, где предельный случай х = 0, у = 0 отвечает сверхрешетке InAs—GaSb, РbТе—Pb1-xSnxTe.
12. Политипные сверхрешеткиInAs—GaSb слоев AlSb, конструируются из базовых многопереходных элементов типа ВАС, АВСА, АСВСА и т. д., где А означает AlSb, В —GaSb, а С —InAs.
13. Легированные сверхрешетки на основе: GaAs, Si, соединения РbTе, Pb1-xGexTe или Pb1-xSnxTe.
14. Легированные композиционные сверхрешетки: нелегированные слои i-GaAs зажаты между чередующимися легированными п- и р-слоями AIxGa1-xAs.
15. Пористый и нанокристаллический кремний
16. Углеродные нанотрубки различной хиральности и диаметра и др.
17. Гетероэпитаксиальные структуры AlGaN/GaN
Нанотехнологии и методы характеризации:
1. Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)
2. Металлоорганическая газовая эпитаксия
3. Химическое парофазное осаждение (CVD)
4. Электронно - лучевая и рентгеновская литография
5. Литография сверхдальнего ультрафиолета (EUV – литография)
6. Наноимпринтинг (печать с помощью штампа) - развиваемые взамен оптической литографии новые групповые технологии получения рисунка с разрешением ≤ 10 нм. Технологии позволяют реализовать как получение маски для дальнейших технологических операций, так и функциональных структур.
7. Зондовые нанотехнологии с использованием атомно-силовой и туннельной микроскопии (технологии «снизу-вверх»), включая локальное анодное окисление ультратонких слоев КНИ и др.
8. АСМ – метод одновременной механической модификации и анодного окисления (TINE&MEMO)
9. Наноструктурирование, основанное на применении прецизионной литографии и селективного плазменного травления
10. Просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия
11. Отражательная электронная микроскопия в сверхвысоком вакууме (СВВ ОЭМ)
12. Дифракция медленных электронов (ДБЭ) и дифракция быстрых отраженных электронов (ДОБЭ)
13. Лазерная эллипсометрия
13. Полевая электронная и ионная микроскопия
14. Рентгеновская спектроскопия и дифракция
15. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
16. Ультрафиолетовая электронная спектроскопия (УФЭС)
17. Электронная Оже-спектроскопия (ЭОС)
18. Инфракрасная и рамановская спектроскопия
19. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия
20. Магнитный резонанс
21. Ионная имплантация
22. Ионное и реактивно-ионное травление
23. Методы получения наночастиц:
электроискровая эрозия, ионно –плазменное распыление, осаждение из газовой фазы, механическое размалывание, химические методы, самоорганизация в плазме микроволнового газового разряда низкого давления, методы коллоидной химии, детонационный синтез и электровзрыв, кристаллизация аморфных сплавов и выделение нанофаз и др.
24. Методы получения УНТ:
электродуговое распыление графита, абляция графита с помощью лазерного или солнечного облучения, каталитическое разложение углеводородов в процессах химической газофазной эпитаксии и СВЧ плазменного эпитаксиального осаждения из газовой фазы.
Список использованных источников информации
1. Атомная структура полупроводниковых систем/ отв. Ред. А.Л. Асеев. Новосибирск: Издательство СО РАН, 2006. – 292 с.
2. G.Markovich, C.P.Collieretall. Architectonicquantumdotsolids. Acc. Chem. Res. 1999, v.32, p.415-423.
3. M. Nirman, L.Brus. Luminescence photophysics in semiconductor nanocrystals. Acc. Chem. Res. 1999, v.32, p.407-414.
4. S.Empedocles, M.Bawendi Spectroscopy of Single CdSe Nanocrystallites. applications. Pure Appl.Chem., 2000, v.72, p. 3-9.
5. R. Turton. The quantum dot. A journey into the future of microelectronics. 2000, New York, Freeman, p.211.
6. H.Jeong, A.M.Chang. The Kondo effect in an artificial q quantum dot molecule. Science 2001, v.293, p.2221-2223.
7. S.C.Farmer, T.E.Patten. Photoluminescent polymer/quantum dot composite nanoparticles.Chem Mater. 2001, v.13, p.3920-3926.
8. T.Baron, F.Martin, P.Mur et.al. Low pressure chemical vapor deposition growth of silicon quantum dots on insulator for nanoelectronics devices. Appl. Surf. Sci. 2000, v.164, p.29-34.
9. G.Markovich, C.Patrick, S.E.Henrichs, at. al. Architectonic quantum dot solids. Acc.Chem.Res. 1999, 32, 415-423.
10. H.-M.Xiong, Xu Zhao, Jie-Sheng Chen New polymer-Inorganic Nanocomposites: PEO-ZnO and PEO-ZnO-LiCLO4 films J.Phys. Chem.B 2001,105, 10169-10174.
11. S.Empedocles, M.Bawendi Spectroskopy of single CdSe nanocrystallines А.Chem.Res. 1999, 32, 389-396.
12. M.Nirmal, L.Brus Lumininescence Photophysics in semiconductor nanocrystals. Acc.Chem.Res. 1999, 32, 407-414.
13. S.P.Gubin Metalcontaining nano-particles within polymeric matrices: preparation, structure and properties. Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects. 2002, 202, 155-163.
14. А.А.Алехин, С.Ю.Суздальцев, Р.К. Яфаров. Тонкая структура углеводородных пленок, полученных в плазме микроволнового газового разряда низкого давления. // Письма в ЖТФ. 2003. Т.29, вып. 15. С. 73-79.
15. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры./ Под ред. Л.Ченга, Л. Плога, М.:Мир, 1989, 582 с.
16. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор. ФТП, 1998г, 32, №4. С.385 – 410.
17. J.W Cahn. Trans. Met. Soc., 242, 166 (1968).
18. А.Г. Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов, М., Наука, 1974.
19.I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993).
20. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag. B, 70, 557 (1994).
21. Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур. УФН. 2001 г.Том 171, № 7. С.689 – 715.
22. А.Ф. Андреев. ЖЭТФ, 80, 2042 (1981).
23. В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981)
24. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev. Phys. Rev. B, 51, 17767 (1995).
25. M. Kasu, N. Kobayashi. Appl. Phys. Lett., 62, 1262 (1993).
26. Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов, Г.Е. Цирлин, В.Н. Петров, Ю.Б. Самсоненко, А.О. Голубок, С.Я. Типисев. ФТП, 28, 903 (1994).
27. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. D¨aweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. B, 45, 3507 (1992).
28. Ж.И. Алфёров, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов. ФТП, 26, 1715 (1992).
29. M. Higashiwaki, M. Yamamoto, T Higuchi, S. Shimomura, A. Adachi, Y Okamoto, N. Sano, S. Hiyamizu. Jpn. J. Appl. Phys., 35, L606 (1996).
30. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 51, 10104 (1995).
31. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 20-24, 1994; p. 227.
32. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985).
33. D.E. Eaglesham, M. Cerullo. Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990).
34. J.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990).
35. D. Vanderbilt, L.K. Wickham. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 202, 555 (1991).
36. C. Ratsch, A. Zangwill. Surf. Sci., 293, 123 (1993).
37. И.M. Лифшиц, B.B. Cлезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958).
38. F. Glas, C. Guille, P. Henoc, F. Houzay. Inst Phys. Conf. Ser., 87, 71 (1987).
39. J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994).
40. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 63, 3203 (1993).
41. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirsraedter, J. Christen, R. Heitz, J. Bohrer, F. Heinrichsdorf, D. Bimberg, S.S. Ru-vimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond, Vancouver, Canada, August 1994, ed. by D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore) v. 3, p. 1855.
42. G. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995).
43. M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995).
44. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U Richter, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Thin Sol. Films, 267, 32 (1995).
45. S.S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 51, 14766 (1995).
46. M. Grundmann, N.N. Ledentsov, R. Heitz, L. Eckey, J. Christen, J. Bhrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. St. Sol. (b), 188, 249 (1995).
47. H.H. Леденцов, B.M. Устинов, C.B. Иванов, Б.Я. Meльцер, M.B. Maкcимов, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Aлферов. УФН, 166, 423 (1996).
48. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства. Обзор. Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11. С.1281 – 1299.
49. Y. Chen, J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 77, 4046 (1996).
50. D.E. Jesson, G. Chen, K.M. Chen, S.J. Pennycook. Phys. Rev. Lett., 80, 5156 (1998).
51. M. Kastner, B. Voigtl¨ander. Phys. Rev. Lett.,¨ 82, 2745 (1999).
52. X.L Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R. Stanley Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999).
53. X.L Kamins, E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997).
54. G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Science, 279, 353 (1998).
55. G. Medeiros-Ribeiro, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Phys. Rev. B, 58, 3533 (1998).
56. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Appl. Phys. A, 67, 727 (1998).
57. R.S. Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg. J. Phys. Chem. B, 102, 9605 (1998).
58. T.I. Kamins, G.A.D. Briggs, R. Stanley Williams. Appl. Phys. Lett., 73, 1862 (1998).
59. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995).
60. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 26-30, 1995; p. 392.
61. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 43 (1995).
62. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp., December 1995, Charlottesville, Virginia, USA; v. 2. p. 581.
63. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P.S. Kop'ev, D Bimberg. Surf Sci., 352-354, 117 (1996).