Определим среднее значение и половину поля рассевания относительной погрешности сопротивления, вызванное старением резистивного материала по формулам:
где
Таким образом, получаем следующее:
Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния суммарной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:
где:
Положив МRПР = 0, тогда:
Допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности сопротивления по следующей формуле:
Подставим вычисленные выше значения в данную формулу, получим:
Определим допустимое значение случайной составляющей поля рассеяния производственной относительной погрешности коэффициента формы, по следующей формуле:
Подставим значения и получим:
Определим расчетное значение коэффициента форм резистора:
Определим ширину резистивной пленки:
Определим сопротивление контактного перехода резистора:
Проверим следующее условие:
Определим среднее значение коэффициента формы:
Определим среднее значение МRПР и половину поля рассеяния dRПР относительной производственной погрешности:
Определим граничные условия поля рассеяния относительной погрешности сопротивления резистора:
Определим площадь занимаемую резистором:
Определим коэффициент нагрузки резистора:
Подобно этому расчету рассчитываем резистор R8, а результаты заносим в таблицу №2.
Таблица №2
резисторы | B, мм | В1, мм | В2,мм | S, мм2 | P, мВт | КН | |
№ | R,Ом | ||||||
R2 | 120 | 3,319 | 1,7 | 3,219 | 11,046 | 144 | 0,652 |
R8 | 120 | 3,134 | 1,6 | 3,034 | 9,824 | 126 | 0,641 |
Расчёт площади платы
Выбор типа подложки и корпуса
Для определения минимально допустимой площади платы, необходимо произвести расчёт площади под каждый вид плёночных (резисторов, конденсаторов, контактных площадок) и дискретных элементов.
Число контактных площадок определяется исходя из заданной схемы соединений. Технологические и конструктивные данные и ограничения позволяют оценить минимально допустимые геометрические размеры контактных площадок в зависимости от способа формирования плёночных элементов.
Общая площадь необходимая под контактные площадки:
где Si – площадь i – й площадки;
m – число площадок.
Определим площадь контактных площадок под резисторы:
Определим площадь контактных площадок под транзисторы и диодные сборки:
Определим площадь резисторов:
Определим площадь транзисторов:
Определим площадь диодов:
Суммарная (площадь) минимальная площадь платы, необходимая для размещения элементов и компонентов находится по формуле:
где Ки – коэффициент использования платы, обычно принимают Ки=2…3. Введение коэффициента использования связано с тем, что полезная площадь (площадь, занимаемая элементами и компонентами) несколько меньше полной, что обусловлено технологическими требованиями и ограничениями. Конкретное значение коэффициента использования зависит от сложности схемы и способа её изготовления.
Исходя из ориентировочного расчёта суммарной площади, проведённого выше, выбираем подложку с необходимыми размерами и выбираем типоразмер корпуса.
Данной площади платы соответствует размер подложки 12*10 мм. Геометрические размеры подложек стандартизированы. Выбираем подложку из ситалла СТ50-1. Этот материал очень широко используется для изготовления гибридных интегральных микросхем, так-так имеет очень хорошие электрофизические и механические характеристики. Минимальный габаритный размер подложки из данного материала 48*60 мм, поэтому на данной подложке изготавливается групповым методом несколько гибридных микросхем, потом эту подложку режут на заданное количество подложек, в данном случае на 24 подложки.
Данному размеру подложки соответствует корпус 158.28. Конструктивно–технологические характеристики этого корпуса даны в таблице № 3.
Таблица № 3
Условное обозначение корпуса | Тип корпуса | Кол–вовыводов | Размер зоны крепления, мм | Максимальный размер платы, мм | Масса не более,гр. |
158.28 | металлостеклянный | 28 | 13,2*15,7 | 12,5*15,0 | 5,8 |
Заключение