Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника (стр. 6 из 6)
IБ0 = 0,1 мА.
Имея постоянную составляющую IБО= 0,1 мА, строим на этом уровне изменение базового тока iБ(t), т. е. сумму переменного и постоянного составляющих (на рис.3 заштриховано). Соответствующее изменение базового напряжения, с пределами изменения VБмин и VБмах на уровне VБ0, показана на нижней части этого рисунка.
Аналогичное построение осуществляется и на выходной характеристике транзистора относительно уровней IК0 и VК0 c амплитудами IКМ и VКМ.
Параметрами переменного сигнала на входе и на выходе являются соответственно IБМ, VБМ и IКМ, VКМ.
При определении IКМ, VКМ, а также VБМ, следует обратить внимание на то, что полуволны этих величин не одинаковы. Это приводит к тому, что усиление сопровождается искажениями (при равной амплитуде положительной и отрицательной полуволн базового тока, амплитуды коллекторного тока и коллекторного и базового напряжений неодинаковы). Поэтому желательно, чтобы величины IКМ, VКМ, и VБМ были усреднены, т. е.:
IКМ =
2,9 мА;VКМ =
= 2,85 В;VБМ =
= 0,04 В;Используя найденные величины, а также значения 2×
и 2× 
(см. рис.3), находим h-параметры и коэффициенты усиления по току КI и напряжению KU:h11Э =
0,8 кОм; h12Э = 
;h21Э =
70; h22Э = 
» 0,26 мСм » 0,26×10-3 См;КI =
58; KU = 
» 70;Кроме того можно определить:
R ВХ = h11 = 0,8 кOм; КР = КI×KU = 58 × 70 = 4060;
P К~=
» 4 мВт;РК0 = I К0×V К0 = 7,5 × 12 » 90 мВт;
где P К~ и РК0 – мощности соответственно на нагрузке и транзисторе.
Система уравнений транзистора через h-параметры можно записать в следующем виде:
Этой системе соответствует эквивалентная схема транзистора, где используются ранее определенные h-параметры:
 |
Рис. 4
где левая часть схемы соответствует первому уравнению вида
VБ = h11ЭIБ + h12ЭVK = 0,8 IБ +0,03VK,
а правая часть – второму уравнению
IК = h21ЭIБ + h22ЭVK = 70IБ + 0,26×VK
Список литературы
Основная
Батушев В. А. Электронные приборы. – М. , “Высшая школа” 1980. – 383 с.
Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1983. – 384 с.
Дополнительная
Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы.
– М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1981. – 431 с.
Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991г. – 288 с.
Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. – М.: Высшая школа, 1986.
– 464 с.
Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, функциональная электроника. – М.: Высшая школа, 1987. – 416 с.
Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Сов. радио, 1980.
– 424 с.
Носов. Ю. Р. Оптоэлектроника. – М.: Сов. Радио, 1977. – 232 с.
Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. Под ред. Б. Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981г. – 656 с.
Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова – М.: Энергоатомиздат, 1985г. – 904 с.
Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970. – 592 с.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 4
Программа курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” 4
Раздел 1. Полупроводниковые приборы 4
Раздел II. Оптоэлектронные и квантовые приборы 7
Раздел III. Микроэлектроника 8
Содержание лекций 10
Перечень лабораторных работ 11
Методические указания 11
Методические указания по разделам курса 12
Раздел 1. Полупроводниковые приборы 12
Раздел II. Оптоэлектронные и квантовые приборы 15
Раздел III. Микроэлектроника 16
Контрольное задание 26
Задача №1 27
Задача № 2. 27
Методические указания по выполнению контрольного задания 28
Пример расчета задачи 2 29
Список литературы 34
* Если, заданная (согласно шифра) совокупность исходных данных не позволяет реализовать нормальный режим усиления без искажения, то студентам разрешается провести корректировку величин ЕК и RК, предварительно обосновав необходимость нового режима.