Исходя из таб.1.6.4. в качестве мощных сопротивлений выбираем резисторы RWN5020 с типоразмером корпуса SMD POW (рис.6.2.б).
А = 1.5 мм.В = 1.2 мм.
С = 4.7 мм.
Рис.1.6.1. Рекомендованное расположение резисторов при пайке: RC01, RC02H типоразмера 1206.
а)
б)
Рис.1.6.2. Типоразмеры корпусов резисторов:
а) SMD MELF ; б) SMD POW
В качестве подстроечных сопротивлений выбираем резисторы PVZ3A фирмы Murata черт. 1.6.3.
Подстроечные сопротивления PVZ3A.
Технические параметры. Таблица 1.6.5
Функциональная характеристика | Линейная |
Номинальная мощность | 0.1Вт при 50°С |
Максимальное рабочее напряжение | 50V |
Рабочий диапазон температур | -25°C…85°C |
Допустимое отклонение номинального значения сопротивления | ±30% |
Угол поворота | 230°± 10° |
Диапазон номинальных сопротивлений | 100Ом…2МОм |
Температурный коэффициент сопротивления (ТКО) | 500ppm/°C |
Усилие поворота | 20-200 г./см |
Рис.1.6.3. Типоразмер подстроечных резисторов PVZ3A.
1.6.2 Выбор конденсаторов.
При выборе конденсаторов, учитывая условия эксплуатации изделия, а также электрические параметры, будем руководствоваться тем, что для конденсаторов выдвигаются следующие требования:
- наименьшая масса;
- наименьшие размеры;
- относительная дешевизна;
- высокая стабильность;
- высокая надежность;
Возьмем для рассмотрения несколько типов конденсаторов, и сделаем сравнение относительно класса диэлектрика в виде таблицы.
SMD конденсаторы. Технические параметры. Таблица 1.6.6
Класс диэлектрика | Класс 1 | Класс 2 |
Типоразмер корпусу | 0402…1210 | 0402…2220 |
Номинальное напряжение Uн | 50В; 200В;500В;1кВ;3кВ | 25В; 50 В; 100В; 200В; 500В;1кВ;2кВ;3кВ |
Диапазон емкостей | 1 пФ…10 нФ;1нФ…10мкФ | 1 пФ…1 нФ; 1нФ…10мкФ |
Допуск емкостей (в % или пФ) | При Сн<10 пФ:±0.1 пФ±0.25 пФ±0.5 пФПри Сн≥10 пФ:±1 %±2 %±5 %±10 % | ±5 %±10 %±20 % |
Максимально относительная девиация емкости ΔС/С | - | ±15 % |
Диапазон рабочих температур | -55…+125ºС | -55…+125ºС |
Максимальное значение тангенса угла потерь tg δ | <1.10-3 | <25.10-3<35.10-3 (16В) |
Сопротивление изоляции при 25 ºС | > 105 МОм | > 105 МОм |
при 125 ºС | - | > 104 МОм |
Постоянная времени при 25 ºС | > 1000 с | > 1000 с |
при 125 ºС | > 100 с | > 100 с |
Типоразмер SMD конденсаторов. Таблица 1.6.6
Размермм | 04021005 | 060321608 | 08052012 | 12063216 | 12103225 |
l | 1.5±0.1 | 1.6±0.15 | 2.0±.02 | 3.2±0.2 | 3.2±0.3 |
b | 0.5±0.05 | 0.8±0.1 | 1.25±0.15 | 1.6±0.15 | 2.5±0.3 |
s | 0.5±0.05 | 0.8±0.1 | 1.35max | 1.3max | 1.7max |
k | 0.1-0.4 | 0.1-0.4 | 0.13-0.75 | 0.25-0.75 | 0.25-0.75 |
Исходя из таб.1.6.6., в качестве SMD конденсаторов выбираем конденсаторы с диэлектриком 1-го класса, типоразмером корпуса 1206 (рис.1.6.4.).
А = 1.5 мм.
В = 1.2 мм.
С = 4.7 мм.
Рекомендованное расположение
при пайке SMD конденсаторов типорозмера 1206.
Выбираем электролитические конденсаторы фирмы Hitano, для обычного монтажа серии ECR.
Серия ECR:
диапазон напряжений | 6.3…100В | 160…460В |
диапазон емкостей | 0.47…10000мкФ | 0.47…220мкФ |
температурный диапазон | -40…+85°С | -25…+85°С |
ток потерь | <0.01CU | <0.03CU |
разброс емкостей | ±20% при 20°С, 120Гц |
Диэлектрические потери (tgs), не больше
U,B | 16 | 25 | 35 | 50 | 63 | 100 | 200 | 350 | 400 |
tgs(D4-6.3) | 0.16 | 0.14 | 0.12 | 0.1 | 0.1 | 0.08 | 0.18 | 0.2 | 0.2 |
Стабильность при низких температурах (отношение импедансов на частоте 120Гц).
U,B | 16 | 25 | 35 | 50 | 63 | 100 | 200 | 350 | 400 |
Z(-25°C)/ Z(+20°C) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
Z(-40°C)/ Z(+20°C) | 4 | 4 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Типоразмеры электролитических конденсаторов. Таблица 1.6.8
мкФ/B | 16 | 25 | 35 | 50 | 63 | 100 | 200 | 350 | 400 |
1 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 6´11 | 6´11 | |||
2.2 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 6´11 | 6´11 | 8´12 | |||
4.7 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 8´12 | 8´12 | 10´13 | |||
10 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 6´11 | 10´16 | 10´13 | 10´13 |
22 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 6´11 | 6´11 | 10´21 | 10´13 | 10´16 |
33 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 6´11 | 6´11 | 8´12 | 13´21 | 10´21 | 10´21 |
47 | 5´11 | 5´11 | 5´11 | 6´11 | 6´11 | 10´13 | 13´21 | 13´21 | 13´26 |
100 | 5´11 | 6´11 | 6´11 | 8´12 | 10´13 | 10´21 | 16´26 | 16´32 | 16´32 |
220 | 6´11 | 8´12 | 8´14 | 10´13 | 10´16 | 13´26 | 18´36 | 18´41 | |
330 | 8´12 | 8´14 | 10´13 | 10´17 | 10´20 | 13´26 | |||
470 | 8´12 | 8´14 | 10´16 | 13´21 | 13´26 | 16´26 | |||
1000 | 10´16 | 10´21 | 13´21 | 13´26 | 16´25 | 18´41 | |||
2200 | 13´21 | 13´21 | 16´26 | 16´36 | 18´36 | ||||
3300 | 13´26 | 16´26 | 16´32 | 18´36 | 22´41 | ||||
4700 | 16´26 | 16´32 | 18´36 | 22´41 | 25´41 |
Рис.1.6.5. Габаритные размеры электролитических конденсаторов.
D | 5 | 6 | 8 | 10 | 13 | 16 | 18 | 22 | 25 |
P | 2.0 | 2.5 | 3.5 | 5.0 | 5/0 | 7.5 | 7.5 | 10 | 12.5 |
d | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.6 | 0.6 | 0.8 | 0.8 | 1.0 | 1.0 |
1.6.3 Выбор индуктивности и трансформаторов
Выбираем изделия фирмы Epcos.
В качестве дросселей, для фильтров по питанию, из таблицы выберем дроссели типа DB36-10-47, DST4-10-22, FMER-K26-09.
Катушки индуктивности. Технические параметры. Таблица 1.6.9
Тип | индуктивностьмкГн | Q | Тест. частотаГц | сопротивлениеОм | Ток тип.А | Ток нас.А | |
L | Q | ||||||
DB36-10-47 | 150±20% | 46 | 100К | 2.520М | 0.02 | 12.80 | 14.20 |
DST4-10-22 | 47±20% | 42 | 100К | 2.520М | 0.01 | 12.20 | 15.50 |
FMER-K26-09 | 60±20% | 56 | 100К | 2.520М | 0.12 | 8.2 | 10.4 |
Выбираем тип трансформаторов TS40-15-2, KERBIP-2-K20, TS300-12-K28, TS12-300-K32 диапазон рабочих температур -40…+45оС.
1.6.4 Выбор активных элементов
Выбираем транзисторы фирмы STMicroelectronics табл.1.6.10.
Технические параметры транзисторов. Таблица 1.6.10
Параметры | К1531 | GT15Q101 | BC556 | IRFP150 | IRFD123 | 2N2907 | К792 |
Напряжение коллектор-база | 500B | 1200В | 80В | 100В | 80В | -60В | 900В |
(сток-затвор) | 500B | 1200В | 65В | 100В | 80В | -40В | 900В |
Напряжение коллектор-эмиттер (сток-исток) | ±30B | ±20В | 5В | ±20B | ±20B | -5В | ±20B |
Напряжение | 15A | 15А | 100мА | 43A | 1.1А | -600мА | 3A |
база-эмиттер | 60A | 30А | 200мА | 170A | 4.4А | -1.2А | 5A |
(затвор-исток) | 2мА | 20мА | |||||
Ток коллектора | 150Bт | 150Вт | 0.5Вт | 193Вт | 1.5Вт | 200мВт | 100Вт |
(сток) | 1480пФ | 1800пФ | 10пФ | 1750пФ | 450пФ | 30пФ | 800пФ |
Импульсный ток коллектора | 400пФ | 3пФ | 420пФ | 200пФ | 8пФ | 250пФ | |
(сток) | 150°C | 150°С | 150°С | 175°С | 150°С | 150°С | 150 °С |
Выбираемдиодыфирм Fairchild и International Rectifier.
Технические параметры диодов. Таблица 1.6.11
Параметры | U обр. В | І макс., А | І обр, мА | F макс., кГц |
PSOF107 | 300 | 0.3 | 0.005 | 40 |
1N4937 | 600 | 1.5 | 2 | 150 |
LL4148 | 100 | 0.2 | 0.005 | 300 |
LL414P | 60 | 0.5 | 0.01 | 300 |
MUR860 | 600 | 10 | 20 | 200 |
MUR31 | 800 | 8 | 2 | 10 |
RUR30100 | 1000 | 30 | 1 | 300 |
Выбираеммикросхемыфирм Unitrode, National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.
В качестве контролеров питания выбираем UC3842 фирмы Unitrode, SG3525 фирмы STMicroelectronics.
В качестве микросхемы стабилизатора напряжения выбираем ИМС фирмы STMicroelectronics.
Технические параметры микросхемы
интегрального стабилизатора. Таблица 1.6.13
Тип | Входное напряжение, В | Напряжение стабилизации, В | Выходной ток, А | Температура, °С |
78M05ST | +30 | +5 | 1.2 | -55…+125 |
1.7. Расчет печатной платы.